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          MEMS固態(tài)風(fēng)速風(fēng)向傳感器的設(shè)計(jì)與制作

          作者: 時(shí)間:2008-02-20 來源: 收藏

            1 引言

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/79040.htm

            風(fēng)速及風(fēng)向的測量是氣象觀測中重要的一環(huán)。風(fēng)速風(fēng)向可以基于流體力學(xué)原理、熱學(xué)原理、聲學(xué)原理和仿生學(xué)原理來測量。熱式測風(fēng)儀基于風(fēng)對(duì)熱體的對(duì)流作用來測量風(fēng)速和風(fēng)向,其存在一個(gè)精密的熱源,通過把兩對(duì)相對(duì)的熱源與熱電偶正交放置測量風(fēng)向。超聲測風(fēng)儀可以同時(shí)進(jìn)行超聲波的發(fā)射和接收,基于多普勒效應(yīng)測量風(fēng)速,用三個(gè)或者四個(gè)探頭根據(jù)三角關(guān)系測量風(fēng)向信息?;?a class="contentlabel" href="http://cafeforensic.com/news/listbylabel/label/MEMS">MEMS技術(shù)傳感器有體積小、重量輕及成本低的特點(diǎn),基于技術(shù)的風(fēng)速和風(fēng)向測量傳感器受到了研究者的重視。

            本文介紹了基于的固態(tài)風(fēng)速風(fēng)向傳感器的設(shè)計(jì)原理及軟件模擬結(jié)果,并依據(jù)理論與模擬結(jié)果設(shè)計(jì)了工藝流程,對(duì)設(shè)計(jì)的懸梁式測風(fēng)傳感器進(jìn)行了測量。

            2 傳感器原理

            2.1 硅薄膜式傳感器原理

            硅薄膜式測風(fēng)傳感器的設(shè)計(jì)示意圖如圖1所示。薄膜式風(fēng)速風(fēng)向傳感器主要是利用風(fēng)吹薄膜對(duì)薄膜產(chǎn)生風(fēng)壓,風(fēng)壓導(dǎo)致薄膜形變,薄膜上的應(yīng)變電阻就會(huì)感應(yīng)到薄膜的形變。通過測量應(yīng)變電阻的變化即可解算出風(fēng)速大小。設(shè)定測量時(shí)風(fēng)正面吹向薄膜如圖2所示。

            

           

            圖2中:υ1表示風(fēng)的平均流速;p1表示風(fēng)流的壓力;p2表示薄膜所受的壓力,應(yīng)用流體力學(xué)中理想伯努力方程如式(1)。其中p為空氣的密度,化簡后可以得出薄膜承受絕對(duì)壓強(qiáng)p的變化與風(fēng)速的關(guān)系如式(2),即

            

           

            設(shè)W(x,y)是薄膜彎曲的撓度函數(shù)。由式(2)可以得出0~30 m/s風(fēng)的壓強(qiáng)為0~580.5 Pa。在此范圍之內(nèi)薄膜的撓度遠(yuǎn)小于薄膜的厚度,故撓度可以近似計(jì)算為

            W(x,y)=hf(p)cos2(πx/L)cos2(πy/L)(3)

            其中坐標(biāo)系是平面直角坐標(biāo)系,其原點(diǎn)是正方形薄膜中心,坐標(biāo)軸平行于薄膜的邊。其中h和L分別是薄膜的厚度和邊長。f(p)是一個(gè)關(guān)于薄膜絕對(duì)壓強(qiáng)的函數(shù)。f(p)由方程(4)決定,即

            

           

            p是作用在膜上的絕對(duì)壓強(qiáng);E和υ分別為薄膜材料的楊氏模量和泊松比。材料的形變定義為單位長度材料的變化。設(shè)ε(x,y)是薄膜的應(yīng)變函數(shù),可以用式(5)來計(jì)算,則

            

           

            薄膜上的應(yīng)變電阻的形變與其所在的位置有關(guān)。定義h′為應(yīng)變電阻的高度;W為應(yīng)變電阻的寬度;x0,y0是應(yīng)變電阻的起始位置,則可以得到應(yīng)變電阻的總的形變,如式(6)。應(yīng)變電阻的電阻歸一化變化表達(dá)式為

            

           

            由式(2)可知p與速度υ的平方成正比,故可以得出電阻阻值的相對(duì)變化與風(fēng)速是二次關(guān)系。風(fēng)速信號(hào)解調(diào)出來后,通過正交封裝來解調(diào)風(fēng)向信號(hào)。南北方向的傳感器測出南北方向的速度υns,東西方向的傳感器測出東西方向的速度υwe,通過正交關(guān)系式(9)和式(10)最終得出速度和風(fēng)向值,即

            

           

            2.2 硅懸梁式傳感器原理

            硅懸梁式測風(fēng)傳感器的設(shè)計(jì)示意圖如圖3。懸梁式風(fēng)速風(fēng)向傳感器主要是利用風(fēng)吹懸梁對(duì)懸梁產(chǎn)生力矩導(dǎo)致懸梁彎曲,懸梁上的應(yīng)變電阻就會(huì)感應(yīng)到薄膜的應(yīng)變。通過測量應(yīng)變電阻的變化即可解算出風(fēng)速大小。測量時(shí)風(fēng)流平均速度為u(y)。根據(jù)流體力學(xué)繞流阻力計(jì)算公式(11)。其中CD是繞流阻力因素取決于材料的形狀結(jié)構(gòu),ω是面向風(fēng)速的懸梁寬度,ρ是空氣密度。通過公式(12)得到風(fēng)對(duì)懸梁力矩的作用,其中l(wèi)是懸梁的長度,y為懸梁長度方向,即

            

           

            

           

            懸梁的應(yīng)變通過式(13)來計(jì)算,E是楊氏模量,I是慣性矩。慣性矩計(jì)算公式是式(14),t是懸梁的厚度,ω是懸梁的寬度,則

            

           

            應(yīng)變電阻的阻值變化可用式(7)計(jì)算,即可得電阻變化的歸一化的表達(dá)式為

            

           

            并可以得出電阻阻值的相對(duì)變化與風(fēng)速是二次關(guān)系。和薄膜式傳感器一樣,可以通過正交二次集成的方法解算山風(fēng)向的信息。

            3 傳感器ANSYS CFD模擬

            3.1 硅薄膜式傳感器模擬

            為了方便軟件模擬,簡化了所設(shè)計(jì)傳感器的模型。薄膜的厚度取10μm,2000 μm×2000μm的正方形,空腔的厚度取330μm。圖4為帶有薄膜形變的ANSYS模型。薄膜的模型用Solid45,流體模型應(yīng)用FLUID142,風(fēng)速從0~30 m/s間隔變化。通過模擬得到了薄膜最大形變、最大應(yīng)力與風(fēng)速的關(guān)系曲線,見圖5。分析模擬所得的數(shù)據(jù),可知薄膜撓度和剪切力都與風(fēng)速成二次關(guān)系,與薄膜式傳感器的理論分析相一致。

            

           

            3.2 硅懸梁式傳感器模擬

            所設(shè)計(jì)的懸梁式傳感器的模型為懸梁的厚度取10 μm,長度取1500 μm。采用二維ANSYS模擬。懸梁的模型用Solid42,流體模型應(yīng)用FLUID141,風(fēng)速從0~30 m/s間隔變化。圖6為帶有懸梁形變的ANSYS模型。通過模擬得到了薄膜最大形變、最大應(yīng)力與風(fēng)速的關(guān)系曲線,見圖7。

            

           

            把模擬所得的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析,可知懸梁撓度、剪圖7切力都與風(fēng)速成二次關(guān)系,與懸梁式傳感器理論分析相一致。

            4 傳感器工藝流程、封裝及制作

            4.1 傳感器工藝流程設(shè)計(jì)

            兩種傳感器擬采用基于MEMS的體硅工藝,應(yīng)用正背面異向濕法刻蝕和背面深刻蝕形成薄膜或懸梁。薄膜設(shè)計(jì)為10μm厚,200 μm×2000 μm的正方形;懸梁設(shè)計(jì)為10μm厚,1500 μm長,500 μm寬。采用雙面拋光n型(76 mm)100硅片厚度350 μm。硅片清洗后,用熱氧化工藝制作一層氧化硅,再用LPCVD工藝制作一層氮化硅;之后濺射Pt電極,采用lift-off工藝去掉不需要的Pt金屬。完成以上步驟后,薄膜式傳感器直接在背面腐蝕形成薄膜,完成傳感器的制作;懸梁式傳感器需要先在正面腐蝕出10μm的深坑,后在背面先濕法腐蝕5 h深度達(dá)到200μm,再深刻蝕直到出現(xiàn)圖形。其過程如圖8。

            

           

            4.2 傳感器封裝設(shè)計(jì)

            測風(fēng)傳感器通過正交的封裝測量風(fēng)向信息。正交封裝示意圖如圖9所示。

            

           

            通過用風(fēng)向信息解算公式(9)和(10),即可得出風(fēng)向信息。

            4.3 傳感器制作

            依據(jù)所設(shè)計(jì)的原理及工藝流程,首先制作了懸梁式測風(fēng)傳感器如圖10所示。傳感器為雙懸梁結(jié)構(gòu),通過惠斯通電橋輸出傳感器測量信號(hào),其測試圖如圖11所示。

            

           

            傳感器經(jīng)小型風(fēng)洞測試后得出,其一致性很好。轉(zhuǎn)動(dòng)傳感器,其輸出信號(hào)有變化,這說明可以通過正交的方法計(jì)算出風(fēng)向。

            5 結(jié) 論

            本論文推算了兩種風(fēng)速風(fēng)向傳感器的理論,并進(jìn)行了基于理論的軟件模擬,設(shè)計(jì)了傳感器工藝制作流程和封裝,對(duì)按照本文中所設(shè)計(jì)的理論與原理制作的硅懸梁式傳感器進(jìn)行了實(shí)際測量。傳感器可以很好地感應(yīng)風(fēng)速的變化,根據(jù)輸出電壓隨著傳感器旋轉(zhuǎn)的變化,可以計(jì)算出風(fēng)向。

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          關(guān)鍵詞: MEMS

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