功率開關寄生電容用于磁芯去磁檢測(04-100)
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施加到電容上的電壓源提供對電壓有負90°相移的電流。所以當電流上升到零點時，電壓便對應于其峰值。所述的Soxyless技術包含檢測正柵極電流的過零檢測器(ZCD)以確定“谷點”的出現(xiàn)。
本文將從SMPS初級側接地點流出的電流通過下部柵極驅動器流向功率MOSFET柵極的方向定義為負。
在半導體技術中，驅動并測量這樣的負電流并非易事。
功率MOS柵極上產(chǎn)生的電流與漏極電壓和電容之間的關系可表述成如下：
其中Zc為電容阻抗：
此柵極電流的大小取決于MOSFET、諧振頻率F和在平坦電壓末端漏極上的電壓擺幅(Vring)。
谷點發(fā)生在諧振周期的一半處：
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