功率開(kāi)關(guān)寄生電容用于磁芯去磁檢測(cè)(04-100)
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作者：安森美半導(dǎo)體 Francois LHERMITE
時(shí)間：2008-04-01
來(lái)源：電子產(chǎn)品世界
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Crss電容表示共源極配置中的短路反向傳輸電容。此參數(shù)表示了功率MOSFET在反激式SMPS的關(guān)斷階段中的狀態(tài)。
本文引用地址：http://cafeforensic.com/article/81041.htm典型應(yīng)用
作為典型實(shí)例，諧振頻率在500kHz的范圍內(nèi)，從漏極平臺(tái)到谷點(diǎn)的電壓變化為100V。根據(jù)式3，一般柵極電流峰-峰值幅度的大小是10mA。負(fù)值部分的范圍是5mA。
Crss值隨著功率MOSFET生產(chǎn)商的不同而變化。對(duì)最常用的功率MOSFET所做的調(diào)查顯示，Crss在10pF和100pF之間變化。
另一方面，漏極上的總電容越大，諧振頻率就越低。經(jīng)過(guò)適當(dāng)?shù)恼壑裕瑢⒃谧兓辛鬟M(jìn)柵極的電流選為30mA峰-峰值以對(duì)應(yīng)15mA正負(fù)電流。
仿真
圖5顯示了采用簡(jiǎn)化功率MOS模型的混合驅(qū)動(dòng)。
評(píng)論