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          改進混合信號電路的RF性能(06-100)

          —— 改進混合信號電路的RF性能
          作者: 時間:2008-04-02 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            衛(wèi)星通信也許是最有挑戰(zhàn)性的高可靠性的應(yīng)用。不僅僅用在衛(wèi)星中的元件必須經(jīng)受寬范圍的溫度和輻射考驗,而且所有的元件必須有高水平性能和可靠性。現(xiàn)在,空間應(yīng)用完全進入商業(yè)領(lǐng)域,所以,衛(wèi)星市場所用的器件和元件的價格及尺寸大小也是關(guān)鍵因素。也許最關(guān)心的是功率。用UltraCMOS工藝(在藍寶石襯底上的絕緣體硅工藝)制造器件比用GaAs和體CMOS相比,衛(wèi)星系統(tǒng)設(shè)計人員實現(xiàn)了無比的靈活性,改善了性能和功耗。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/81100.htm

            在空間應(yīng)用中有幾種關(guān)鍵(模擬或和數(shù)字)器件,包括PLL(鎖相環(huán)頻率合成器)、IF集成子系統(tǒng)和前置定標電路。用UltraCMOS制造這些器件,能設(shè)計更輕小,性能更高及低成本的衛(wèi)星系統(tǒng),使發(fā)射成本更低。

            開發(fā)CMOS的潛能

            CMOS的低功率和容易集成的優(yōu)點是人所共知的。CMOS的先進版本UltraCMOS,是50~100nm硅片直接沉積在紅寶石襯底上的完全耗盡型CMOS工藝。采用近似完全絕緣體藍寶石,UltraCMOS晶片具有標準CMOS工藝特性,低缺陷密度,簡單、高產(chǎn)量結(jié)構(gòu)。能絕緣隔離晶體管,與其他工藝相比UltraCMOS改善了功率處理。CMOS工藝具有固有的CMOS邏輯電平,特別適合于集成設(shè)計。

            事實上,UltraCMOS工藝為和混合信號設(shè)計提供截然不同的優(yōu)越性和新方法。對于衛(wèi)星應(yīng)用,有幾個可關(guān)注的特性。此工藝提供低電容特性,使得在低功率下達到高速。與其他工藝相比,它的完全沉積工藝改善了線性度、速度和低電壓性能。UltraCMOS器件具有抗輻射性能,提供2kv HBMESD保護。因為它對大晶片以標準CMOS工藝進行處理,所以,具有成本低的優(yōu)點。UltraCMOS工藝早在開發(fā)初期就用于空間應(yīng)用。而且能繼續(xù)改善下一代系統(tǒng)所需的復(fù)雜設(shè)計。

            PLL優(yōu)越性

            衛(wèi)星信號鏈路中的關(guān)鍵器件是PLL。通常,這種器件接收非常小的信號(范圍-30dBm)并提供控制LO(本振)的復(fù)雜數(shù)字波形。因為,它是一個混合信號器件,所以,性能指標改進1dB(如相位噪聲)會決定性地影響PLL性能。

            過去用外部分立元件制造具有良好相位噪聲性能的抗輻射PLL。這是一種大的耗電電路,限制了PLL數(shù)量,使其可能應(yīng)用在衛(wèi)星中。隨著單芯片PLL的出現(xiàn),促使設(shè)計人員擴展此應(yīng)用在先進的衛(wèi)星系統(tǒng)中,只要相應(yīng)噪聲性能滿足系統(tǒng)要求和可靠性能標準就行。

            UltraCMOS PLL與分立方案相比,具有單芯片尺寸,功率優(yōu)越,有較好的相位噪聲性能。所實現(xiàn)的UltraCMOS PLL達到業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的相位噪聲性能指標,是首款可用的抗輻射單芯片PLL。最近推出的PE97632,改善了噪聲性能,在1Hz相位噪聲達到-216dBc/Hz(相當于在10KHz偏移和2GHz中心頻率下的-103dBC/Hz)。隨著小小的3dB改進,衛(wèi)星設(shè)計人員可以雙倍有效負載值。

            PLL的異常相位噪聲是UltraCMOS技術(shù)對混合信號應(yīng)用固有的適用性所致。例如,一個先進的單芯片PLL包含5000~10000 數(shù)字邏輯門和關(guān)鍵性的模擬元件(包括電荷泵,參考緩沖器和輸入放大器)。為了實現(xiàn)一個集成PLL,在單項技術(shù)中必須設(shè)計出每個功能都是最佳化的產(chǎn)品,使其相位噪聲對信號鏈路的貢獻最小。

            在實現(xiàn)集成時,CMOS是通常的選擇。然而,在RF應(yīng)用時,CMOS總不能滿足性能要求。因為有隔離的藍寶石襯底,所以UltraCMOS技術(shù)具有固有的抗輻射和高溫特性。UltraCMOS工藝完全是空間品質(zhì),提供抗事件閉鎖(SEL)性(優(yōu)越的抗事件干擾小于10-9每位日誤差),允許100克拉總輻射劑量。

            為響應(yīng)UltraCMOS器件引起的顯著性能改善,衛(wèi)星設(shè)計人員現(xiàn)正在重新設(shè)計衛(wèi)星結(jié)構(gòu)。例如,具有良好相位噪聲性能的集成單片PLL,使衛(wèi)星設(shè)計人員把它們包含在更多的設(shè)計中。因此,現(xiàn)在一些最新的衛(wèi)星中每顆包含上百個UltraCMOS PLL?,F(xiàn)在每個通信信道可以經(jīng)濟地裝備自己本身的PLL,所以,每個信道可以分離地調(diào)節(jié)。這類改進可以影響衛(wèi)星通信市場,使衛(wèi)星性能用于更多服務(wù)(如廣播TV和點到點通信)。


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          關(guān)鍵詞: 混合信號 RF

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