下端場(chǎng)效應(yīng)管的柵極損耗(PQl-2_GATE)也可由此近似公式得到：

　　下端場(chǎng)效應(yīng)管在導(dǎo)通時(shí)的損耗為：

　　在死區(qū)時(shí)間內(nèi)Q1-2的損耗是在它寄生二極管上的傳導(dǎo)損耗(PQl-2_D)：

　　其中tDEAD是電源控制芯片上下端場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)的死區(qū)時(shí)間。SC2463的死區(qū)時(shí)間約為100ns。

　　Q2總損耗(PQ2)是它的柵極損耗、傳導(dǎo)損耗、開(kāi)關(guān)損耗和寄生二極管傳導(dǎo)損耗的總和。以圖1為例，F(xiàn)DS6898A上下端導(dǎo)通內(nèi)阻都是14mΩ，整　　個(gè)FDS6898損耗為0.34W。

　　場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)溫可由下式計(jì)算：

　　從FDS6898A手冊(cè)上可查到它最大的結(jié)溫至室溫?zé)嶙枋?8~C/W(qJA)，如果圖1電源環(huán)境最高溫度是450℃，那么Q1工作結(jié)溫(TQ1_ J)為72℃(45+78×0.34)。這溫度遠(yuǎn)小于FDS6898A 150℃的結(jié)溫限制。這里假設(shè)Q1被直接焊在二盎司銅層和一平方英寸面積的PCB散熱焊盤(pán)上。如果需要更進(jìn)一步降低Q1的結(jié)溫，可以增加PCB散熱焊盤(pán)面積或?qū)1套上外加的散熱器。另外，芯片到散熱焊盤(pán)的焊接，封裝芯片材料，熱接觸面，熱結(jié)合性能，可得到的有效散熱區(qū)域和環(huán)境空氣流動(dòng)狀況(自然或強(qiáng)制對(duì)流)都對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管晶片的溫升都有很大的關(guān)系。實(shí)際溫度的測(cè)量和驗(yàn)證是場(chǎng)效應(yīng)管熱設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。