GSM前端中下一代CMOS開關(guān)設(shè)計(04-100)
GSM功放工作在飽和方式,輸出功率可達2W,PAE也很高,約為60%,由于手機的總消耗電流有一半來自功放,因此高效率對它的電池壽命是至關(guān)重要的。然而,高PAE又易受高插入損耗的不良前端體系結(jié)構(gòu)的影響。例如,一個PAE為60%的放大器,基功放與天線間的插入損耗是1.5dB,那么它的有效APE僅為42.5%。開關(guān)電路中的任何附加電流消耗將進一步降低有效PAE。
本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/81401.htm眾所周知,GSM手機的輸出功率要求很高,達+33dBm±2dB,因而對前端的線性度也提出了極其苛刻的要求。線性度是利用諧波抑制來規(guī)定的,要求規(guī)定在12.75GHz的頻率范圍內(nèi),基波的所有諧波應(yīng)抑制到低于-30dBm。
為了保持低插入損耗,設(shè)計人員在設(shè)計時,未使用路徑通常具有較高隔離度。但對3頻帶或4頻帶手機,由于GSM TX頻帶和GSM850 RX頻帶是重疊的,PCS TX頻帶和DCS RX 頻帶是重疊的,因此又會出現(xiàn)一個特殊的問題。在發(fā)射期間,RX帶通濾波器并不能對通過開關(guān)漏入的發(fā)射信號提供任何衰減。要想保護跟隨在RX濾波器之后的LNA,開關(guān)本身必須提供至少35dB的隔離度。
GSM標(biāo)準(zhǔn)明文規(guī)定的還有開關(guān)時間要求。發(fā)射與接收之間的停留時間為28ms。當(dāng)從RX開關(guān)至TX時,10mS內(nèi)不能發(fā)送信號,以便完成開關(guān)動作。盡管有10mS時間,設(shè)計人員寧愿將開關(guān)時間設(shè)定在1-5mS之間,確保開關(guān)在TX發(fā)射前達到穩(wěn)定狀態(tài)。同時,一旦功放工作,開關(guān)還應(yīng)符合諧波抑制要求。從TX到RX規(guī)定的開關(guān)時間是相同的。
由于前端開關(guān)直接連接到天線,開關(guān)的又一個艱巨任務(wù)是要有強ESD承受能力。根據(jù)IEC1000-4-2規(guī)范,手機設(shè)計應(yīng)能承受±16KV空氣放電。這類ESD模型相當(dāng)于330W電阻與150pF電容的串聯(lián),比人體模型更易損壞。開關(guān)本身要具有這個強度,否則,要另加保護元件。
一旦上述技術(shù)要求都已圓滿解決,前端開關(guān)解決方案還附加有尺寸和高度的約束條件。面積和高度兩者都有嚴(yán)格的限制,其高度不得超過1.5mm。由于前端開關(guān)通過集成在多層襯底中(如LTCC低溫共燒陶瓷),已建立的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格因子為減少體積提供了可依據(jù)的路線圖。考慮到ASM(天線開關(guān)模塊)是無線電部分最高的封裝,因此可縮小ASM尺寸的種種技術(shù)備受手機生產(chǎn)廠商的青睞。LTCC具有在襯底中高品質(zhì)因數(shù)無線集成的能力,但增加無源元件需附加的LTCC層,從而增加了模塊的厚度。功放諧波濾波器可集成在襯底上,而頻率隔直電容和ESD保護不得不放置在模塊的外部。某些ASM在LTCC頂部集成有CMOS譯碼器以及SAW濾波器。
符合GSM手機技術(shù)要求有多種開關(guān)技術(shù),且各有各的優(yōu)點和缺點,這些技術(shù)在下面詳加討論。
開關(guān)解決方案
上世紀(jì)七十年代,PIN二極管的出現(xiàn)標(biāo)志固體開關(guān)行業(yè)的誕生。PIN二極管具有極低的插入損耗和諧波器畸變,仍然是ASM的主導(dǎo)技術(shù)。然而,PIN二極管存在著自身的缺陷,不能構(gòu)成完整的ASM。為了偏置二極管,模塊需設(shè)置隔直電容和供電電感。為了制作多刀開關(guān),又需用四分之一波長的二極管串、并聯(lián)組合(見圖1a)。LTCC中,900MHz的四分之一波長相當(dāng)于幾個厘米,這些傳輸線增加了二極管基ASM的尺寸。
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