近日，由青島杰生電氣有限公司承擔(dān)的國家"863"半導(dǎo)體照明工程重點項目"氮化鎵-MOCVD深紫外LED 材料生長設(shè)備"制造取得重大突破，研制成功我國首臺具有自主知識產(chǎn)權(quán)的、能夠同時生長6片外延片的MOCVD設(shè)備。

　　據(jù)悉，該設(shè)備集精密機械、半導(dǎo)體材料、真空電子、流體力學(xué)、光學(xué)、化學(xué)、計算機多學(xué)科為一體，是一種自動化程度高、價格昂貴、技術(shù)集成度高的尖端光電子專用設(shè)備，在高亮度的藍光發(fā)光二極管(LED)、激光器(LD)、紫外光電探測器、高效率太陽能電池、高頻大功率電子器件領(lǐng)域中具有廣泛應(yīng)用，是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)上游階段關(guān)鍵設(shè)備。而目前，國內(nèi)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的研發(fā)和生產(chǎn)所需設(shè)備全部依賴進口。