0 引言

　　MEMS主要包括微型機構、微型傳感器、微型執(zhí)行器和相應的處理電路等幾部分，是在融合多種微細加工技術，并應用現(xiàn)代信息技術的最新成果的基礎上發(fā)展起來的高科技前沿學科。MEMS是一種全新的必須同時考慮多種物理場混合作用的研發(fā)領域，相對于傳統(tǒng)的機械，它們的尺寸往往在微米和亞微米量級。制造上主要采用以Si為主的材料、集成電路(IC)的加工技術，可以在Si片指定位置上進行蝕刻或生長附加材料層，從而形成一個特殊的功能結構。MEMS芯片有的帶有腔體和薄膜、有的帶有懸梁，這些微機械結構容易因機械接觸而損壞、因暴露而沾污，特別是表面工藝加工的器件，在很薄的薄膜上批量加工，結構強度就更低，能承受的機械強度遠遠小于IC芯片。

　　基于MEMS結構和特性，MEMS劃片比起典型的IC劃片或其他微電子元件的劃片更加困難，也對劃片設備和劃片工藝提出了更高的挑戰(zhàn)。

　　1 傳統(tǒng)的劃片方法

　　傳統(tǒng)的劃片都是通過劃片砂輪的高速旋轉研磨來完成對Si片的切斷，這種切割方法必然要伴隨冷卻和清洗的較高壓力的水流、劃片刀和Si片接觸產生的壓力和扭力、以及切割下來的Si屑對Si片本身造成的污染，而這幾點都對MEMS產品造成了致命的威脅。眾所周知，MEMS大都含有薄膜、高深寬比的結構，無法抵擋劃片和清洗時的水流沖擊。此外，MEMS器件中常含有對污染物敏感的元件，只要這些元件受到輕微的污染，就可能導致整個MEMS的失效(例如MEMS麥克風)。另外，一些MEMS產品對靜電放電(ESD)特別敏感(如靜電執(zhí)行器)，有可能會造成自發(fā)的ESD失效。還有一種MEMS對劃痕的崩邊要求特別高(如影像傳感器)，少許的崩邊就有可能造成器件失效。

　　在當前的工藝中，為了消除劃片中由于污染和元件脆弱性及敏感性對器件可靠性的影響，通常會采用以下幾種方法：

　　(1)在MEMS器件上加永久的保護層，從而在MEMS和惡劣的劃片環(huán)境間形成一個物理屏障。這樣能夠防止MEMS器件被Si屑污染，保護器件在切割和隨后的清洗中不受水流和氣流的沖擊。這種構建永久保護層的方法有一個致命缺點，就是對一些需要接收超級敏感信號的MEMS，這種方法會造成敏感度的降低。

　　(2)構建一個具有保護作用的臨時層，在劃片和清洗時將MEMS器件覆蓋，之后用化學的方法去除或沖洗掉臨時層。這很好地保持了MEMS本身的敏感性，從而得到了大量的應用。

　　但是為了放置永久的保護層或者構建可去除的臨時防護層都需要額外的制造步驟和工藝，這就需要額外的設備和耗材，浪費了大量的人力和物力。并且這些措施也不能完全消除切割過程對MEMS的損害，導致成品率的下降，這就增加了制造器件的總成本，成了限制MEMS產品價格的瓶頸。

　　為了減少切割過程中對MEMS的損傷，工程技術人員想出了很多辦法：采用氣浮導軌和磁力馬達或加裝震動傳感器來控制劃片過程中的振動；改造切割和清洗的噴嘴裝置，由“水流”噴嘴裝置改為“霧化”噴嘴裝置，減少了水流對MEMS的損傷，同時提高清洗的效果；增加CO2發(fā)泡機來降低DI水的阻抗值，使靜電荷遠離進行劃片的晶圓，并且增加離子發(fā)生器來清除機械移動所產生的靜電；增加一個即時的磨刀程序，定期修正刀鋒邊緣的形狀，同時使劃片刀去除超載的堆積物，以使劃片刀一直處于最佳的切割狀態(tài)等很多方法，但所有這些方法都不能解決研磨劃片對MEMS的損傷，從而限制了成品率的提高。

　　2 技術的革新

　　隨著科技的發(fā)展，越來越多的新技術應用到半導體制造設備中來，特別是激光劃片技術的成熟應用，促成了MEMS劃片工藝的技術飛躍，提高了產品的成品率，簡化了制造流程，降低了MEMS制造的成本。在當前的技術條件下，激光切割技術主要有濕式和干式兩種。

　　2.1 濕式激光切割

　　濕式激光切割的典型代表是微水刀激光技術。其融合了激光束和水刀的混合切割工藝，通過如發(fā)絲般纖細的水射流將激光束引導到晶圓上。利用空氣和水的折射率之間的區(qū)別，激光束可以在空氣一水的界面全反射，原理類似光纖(如圖1)。由于在工件上和工件之外實現(xiàn)了零偏差，因此促進了多孔材料或分層材料的精確切割。此外，與標準的劃片方式相反，微水刀激光技術使用水射流來冷卻材料表面，避免了材料表面的熱損傷，從而獲得了理想的保護，減少了崩邊的發(fā)生(見圖2)。同時，水流也形成了一個自然的保護層，減少了附著和污染。

　　微水刀激光的特點使之很適合MEMS劃片。即使其加工速度很快也能確保高品質的切割。切割速度受MEMS厚度影響；材料越厚，需要的激光脈沖能量越大。表1顯示其切割Si的典型速度，取決于晶圓厚度。之所以能做到沒有厚度限制，原因在于切割某一厚度晶圓的最大速度取決于激光的脈沖重復率、平均功率和峰值功率。再薄也可切，且越薄越快。比較各類劃片技術的另一重要參數(shù)是切割邊緣的破壞強度大小，機械變形會導致晶粒破裂。不少應用表明微水刀激光對晶圓邊緣造成的損傷遠小于傳統(tǒng)刀片劃片。

　　微水刀激光的上述特性大幅度提升了器件的成品率和UPH(每小時產出量)，為MEMS的劃片增添了一種可靠的選擇。

　　但因為在切割過程中有水流和Si屑的存在，使得在切割前還必須構建永久或臨時的保護層。另外，使用微水刀激光技術切割MEMS Si片，還必須使用一種不會被激光切穿、卻能讓水流穿過的特殊膠帶“激光膠帶／LaserTape”用于貼片，這種膠帶成本比較高昂，而且種類比較少，這也限制了封裝企業(yè)的選擇，抵消了一部分良率提高所降低的成本。

　　2.2 干式激光切割

　　目前市場上有很多廠家生產很多不同功能的干式激光切割機，但實際上能應用到半導體劃片的只有不可見激光切割技術(切割后Si片表面和背面都看不到切痕)。

　　這種激光劃片技術運用多光子吸收的光學損傷現(xiàn)象——當聚焦在材料內部的激光強度迅速增強材料即被加工，從而在材料內部形成一個改質層，使材料由結構緊湊、結合緊密的不易于分斷的整體改變成結合松散、易于分斷的脆弱整體(如圖3)，然后通過擴張貼片膜，利用貼片膜擴展時的張力使每個芯片分開。

　　由于這種特殊波長和頻率的激光作用到Si片上的能量只有幾瓦甚至是毫瓦級，劃片完成后，只是在Si片內部形成改質層，在表面和內部都沒有熔融材料，用眼睛也幾乎看不到刀痕。通常會采用紅外線顯微鏡(IR Camera)來觀察Si片的切割痕跡(如圖4所示)。在紅外顯微鏡下，通常改質層的寬度只有1～2μm，這為芯片制造商縮小劃片道寬度，增加單位面積芯片數(shù)量以降低成本提供了較大的空間。目前應用的最小劃道寬度只有20μm。

　　當Si材料被激光加工時，這種激光幾乎沒有熱損傷，所以材料不需要冷卻，整個劃片過程都是在完全干燥的環(huán)境中進行。同時不產生熔融材料，所以材料表面完全沒有沾污，這也很好地解決了MEMS怕沾污的問題。

　　這種激光切割方法可以實現(xiàn)很高的切割速度，且Si片越薄，效率越高。當Si片較薄時，較少的改質層(如圖5)就可以分斷芯片，而Si片較厚時，就需要在同一個截面、不同的位置增加更多的改質層來減少芯片間的連接力，使芯片易于分斷(如圖6)。所以這種劃片方法是沒有厚度限制的，每個改質層可以有相同的速度，這種速度可以達到300 mm／s以上，芯片厚度決定所需改質層的多少，改質層的多少決定劃片的折合速度見表2。

　　激光加工完成后，由于材料基本上還是一個完整的整體，不能直接拿到抓片機上進行抓片，而必須經過一個擴片的過程，以使相臨的芯片之間有合適的距離來滿足抓片機的抓片要求。通常的擴片方法是擴片盤上升使貼片膜擴張，因為有改質層的部分結合比較松散，輕微的張力就能使其斷開，所以隨著帖片膜的擴張，芯片就被分開，分開后斷面光滑整潔，沒有崩邊(如圖5、6、7所示)。運用這種加工方式，芯片斷面無微裂口和裂隙產生。試驗表明，與刀片劃片方法相比，芯片的機械強度要高出很多(如圖8)。

　　因為此種劃片方法是在非接觸的、完全干燥的環(huán)境中進行，完全沒有熔融材料，沒有污染源，沒有機械損傷，所以不需要構筑保護層，這即保持了MEMS產品的敏感度，提高了MEMS的品質，又簡化了制造工藝，降低了生產成本。

　　3 結論

　　MEMS的應用越來越廣泛，人們對MEMS尺寸、敏感度、品質提出了越來越高的要求，使得傳統(tǒng)的劃片方法越來越不能滿足當前的需求，新的激光技術的應用，為MEMS劃片開拓出一片嶄新的前景，提高了MEMS劃片的成品率，降低了MEMS的生產成本。不久的將來，不可見激光劃片方法必將取代傳統(tǒng)的劃片方法成為MEMS劃片的主流。