色婷婷AⅤ一区二区三区|亚洲精品第一国产综合亚AV|久久精品官方网视频|日本28视频香蕉

          新聞中心

          EEPW首頁 > 測試測量 > 設計應用 > 數(shù)據(jù)流盤高速存儲讀取技術最新進展

          數(shù)據(jù)流盤高速存儲讀取技術最新進展

          作者:李福平 北京中科泛華測控技術有限公司銷售工程師 時間:2008-07-08 來源:電子產品世界 收藏

            使用普通PCIe架構
            PCIe是一種串行,單線傳輸(x1)可以達到250MB/s,16線(x16)時傳輸速率可達4GB/s,各設備專用各自,因此傳輸速率較高,如圖2所示,數(shù)據(jù)先存儲到設備緩存上,再直接傳遞到I/O總線,經過RAM、CPU、傳遞到硬盤上,此時的瓶頸主要存在于讀寫硬盤的速度。一般存儲/讀取的速度均在100MB/s以上。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/85424.htm


          圖2 PCIe/讀取

            使用直接讀/寫盤結構
            以上結構,數(shù)據(jù)都要經過I/O總線、內存和CPU,在一定程度上該過程限制了存儲/讀取的速度,而且CPU的多線程性又增加了丟失數(shù)據(jù)的可能性和系統(tǒng)的不穩(wěn)定性,所以出現(xiàn)了直接讀/寫盤結構。該結構原理如圖3所示,數(shù)據(jù)從設備的緩存中讀出后直接寫入磁盤,或者從磁盤中讀取后直接輸出。


          圖3 直接讀/寫盤結構

            該結構有兩種典型應用,一種是NI的PXI系統(tǒng)配合Express Card接口卡、RAID磁盤陣列,數(shù)據(jù)從設備緩存讀取后經PCI總線不經過系統(tǒng)內存和CPU直接經過Express Card接口卡存入RAID磁盤陣列,持續(xù)存儲速度可達100MB/s(見圖4所示)。


          圖4 PXI總線直接讀/寫硬盤

            另一種典型結構是NI的總線結構,該結構通過總線上的一款專門的數(shù)據(jù)卡,對RAID磁盤陣列進行數(shù)據(jù)的寫入/讀取。持續(xù)寫入/讀取速度可以達到300MB/s、600MB/s甚至更高(見圖5所示)。


          圖5 系統(tǒng)(NI的600MB/s設備)

          結語

            流盤即持續(xù)從或者向存儲器中傳輸數(shù)據(jù),要達到較高的流盤速度和效率,需要綜合考慮存儲器、總線和系統(tǒng)架構等因素,如果選擇成熟的產品進行測控方面的應用,NI的產品是個不錯的選擇。
            
          參考文獻:

          1. http://zone.ni.com/devzone/cda/tut/p/id/6253
          2. http://zone.ni.com/devzone/cda/tut/p/id/3221


          上一頁 1 2 下一頁

          評論


          相關推薦

          技術專區(qū)

          關閉