業(yè)界第一個(gè)商用TMBS整流器與傳統(tǒng)整流器電子應(yīng)用的對(duì)比(08-100)
—— 業(yè)界第一個(gè)商用TMBS整流器與傳統(tǒng)整流器電子應(yīng)用的對(duì)比
作者：Max Chen、Henry Kuo、L. C. Kao 、PJ Kung Vishay臺(tái)灣有限公司通用半導(dǎo)體功率二極管部門研發(fā)部
時(shí)間：2009-03-05
來源：電子產(chǎn)品世界
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技術(shù)方案與實(shí)用技巧
圖2 沿半導(dǎo)體漂移區(qū)的TMBS與平面肖特基器件電場(chǎng)曲線的比較。左側(cè)的X軸是硅表面，這里形成了肖特基勢(shì)壘
Vishay發(fā)布的所有100 V、120 V、150 V和200 V TMBS整流器都采用了淺溝道(最深2.1 um)和薄氧化物厚度(最厚0.3 um)，它可以大幅度縮短溝道蝕刻制造所需的處理周期時(shí)間，因此可以提高制造工藝的吞吐量。
器件特征描述
本部分將僅涉及100 V和200 V TMBS整流器的器件特征描述，但是其結(jié)論可適用于其他電壓的TMBS器件。
40 A/100 V TMBS的特征
與傳統(tǒng)60 A整流器相比，40 A/100 V TMBS器件顯示出了改善的正向壓降性能，如圖3a和3b所示。
圖3a和3b TMBS和傳統(tǒng)平面肖特基整流器的正向電壓比較
評(píng)論