與LSI公司達(dá)成協(xié)議利用110 nm工藝、經(jīng)過硅驗(yàn)證的IP和靈活的支援選擇， 將先進(jìn)ASIC和SoC的成本減至最低，并將上市時(shí)間縮至最短。

　　2009年4月14日 - 全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor與LSI 公司達(dá)成的協(xié)議，進(jìn)一步擴(kuò)充專用集成電路(ASIC)系列。這協(xié)議讓安森美半導(dǎo)體的客戶能夠通過設(shè)在美國俄勒岡州Gresham的安森美半導(dǎo)體晶圓制造廠，獲得成熟及高性價(jià)比的110納米(nm)工藝技術(shù)，及相關(guān)的經(jīng)過硅驗(yàn)證的知識產(chǎn)權(quán)(IP)。

　　這110 nm“系統(tǒng)平臺”SP110為客戶提供高密度、高性能的技術(shù)，并比類似技術(shù)將一次性工程 (NRE)成本減至最低，且將上市時(shí)間縮至最短。SP110最高的工作頻率為450兆赫(MHz)， IP陣容豐富，能夠滿足90 nm或更小節(jié)點(diǎn)技術(shù)的眾多性能和功能要求，省卻這些技術(shù)的開發(fā)成本及工藝經(jīng)常費(fèi)用。此外，SP110提供比某些主流130 nm技術(shù)更優(yōu)的性能及更低的能耗。

　　SP110結(jié)合工藝優(yōu)勢、豐富的IP選擇及技術(shù)支援，滿足通信、消費(fèi)、工業(yè)及醫(yī)療等市場的客戶需求。SP110方案非常貼合軍事及航空應(yīng)用，充分發(fā)揮基于美國的設(shè)計(jì)和制造優(yōu)勢，端到端地符合國際武器貿(mào)易規(guī)章(ITAR)要求。SP110還會遵從QML和AS9100等專門的軍事/航空質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。

　　安森美半導(dǎo)體總裁兼首席執(zhí)行官傑克信(Keith Jackson)說：“我們的是項(xiàng)SP110投資，足證我們不斷致力于拓展ASIC業(yè)務(wù)。我們還計(jì)劃將這技術(shù)用于需要更高數(shù)字電路成分及性能、同時(shí)將能耗降至最低的未來專用標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品(ASSP)和標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品平臺。”

　　根據(jù)與LSI達(dá)成的協(xié)議條款，安森美半導(dǎo)體將提供廣泛的IP系列，包括支持PCI Express、千兆位以太網(wǎng)(GbE)和10 Gbps連接單元接口(XAUI)等接口標(biāo)準(zhǔn)的串行解串器(SerDes)方案。SP110客戶還將能夠利用安森美半導(dǎo)體其它經(jīng)過硅驗(yàn)證、可綜合的IP陣容，包括用于USB 2.0、以太網(wǎng)媒體訪問控制器(MAC)、微控制器、時(shí)序產(chǎn)生器和DDR 1/2/3存儲器控制器等的IP模塊。

　　SP110利用低K銅(Cu)互連技術(shù)，提供達(dá)9個(gè)金屬層，包括2個(gè)重分布層(RDL)。這技術(shù)支持 1.2伏特(V)的內(nèi)核電壓及1.8 V、2.5 V、3.3 V和5.0 V的輸入/輸出(I/O)電壓。安森美半導(dǎo)體提供SP110的網(wǎng)表及寄存器傳輸級(RTL)交遞(handoff)方法，確保為設(shè)計(jì)人員提供最大的靈活性。

　　安森美半導(dǎo)體數(shù)字及混合信號產(chǎn)品部高級副總裁Bob Klosterboer說：“這令人振奮的新平臺使我們能夠提供前所未有獨(dú)特的相關(guān)工藝組合優(yōu)勢，如在岸(on-shore)生產(chǎn)和110 nm ASIC性能，配以寬廣的IP，使安森美半導(dǎo)體更好地服務(wù)我們現(xiàn)有的客戶及拓展至新的定制IC市場。”

　　LSI定制方案部高級副總裁兼總經(jīng)理Sudhakar Sabada說：“我們非常高興與安森美半導(dǎo)體合作，拓展我們強(qiáng)固、經(jīng)過硅驗(yàn)證的110 nm工藝技術(shù)和IP。雙方攜手下，安森美半導(dǎo)體能為他們的客戶提供吸引的設(shè)計(jì)平臺，應(yīng)用于不同的方案。”