東芝昨天宣布，于業(yè)界首家開始出貨32nm工藝NAND閃存顆粒。其中，全球首顆32nm工藝32Gb(4GB)NAND單芯片樣品即日起出貨，主流容量16Gb(2GB)顆粒樣品將于今年7月推出。東芝表示，首批32nm NAND閃存將主要用于存儲卡和USB存儲設(shè)備，未來會擴展到嵌入式產(chǎn)品領(lǐng)域。

　　目前，東芝是全球領(lǐng)先的32GB閃存供應(yīng)商，使用8顆43nm工藝32Gb顆粒堆疊而成。而32nm工藝的應(yīng)用將進一步提高生產(chǎn)效率，減小芯片體積，適應(yīng)更高容量，更小巧的掌上產(chǎn)品需求。

　　東芝的32nm工藝32Gb NAND顆粒將于今年7月開始量產(chǎn)，比原計劃提前兩個月，16Gb產(chǎn)品則會在今年四季度量產(chǎn)。32nm產(chǎn)品都將在東芝位于日本四日市的工廠內(nèi)制造。