ASM International N.V. 宣布一家臺灣晶圓廠為其28 納米節(jié)點high-k 閘極介電層量產(chǎn)制程選擇ASM的Pulsar原子層沉積技術(shù)(ALD)工具。

　　除此之外，此家晶圓廠也將與ASM針對最新世代的high-k閘極技術(shù)進行制程開發(fā)活動。 ASM 在2009年第2季將針對進階節(jié)點開發(fā)計劃提供額外的 Pulsar 制程模塊。該晶圓廠在過去4年也使用ASM的ALD high-K和金屬閘極設(shè)備來開發(fā)其以鉿基材料為基礎(chǔ)的high-k 閘極制程。

　　納米節(jié)點上實現(xiàn)成功的high-K制程證明了ASM在制程當中整合新材料的優(yōu)異能力。”ASM晶體管產(chǎn)品業(yè)務(wù)事業(yè)部經(jīng)理Glen Wilk表示。“我們的high-K制程證明了在28納米節(jié)點上的生產(chǎn)能力，我們也期望進一步的開發(fā)成果能夠?qū)⑦@些利益延伸到未來的節(jié)點上。

　　ASM的Pulsar是第一款用于high-k 閘極量產(chǎn)的工具，其由45納米節(jié)點開始采用，現(xiàn)在已經(jīng)延伸至28納米節(jié)點。ASM的high-k 閘極介電薄膜含氧化鉿，并采用氧化鋁和氧化鑭高介電質(zhì)覆蓋層做為金屬電極功函數(shù)調(diào)整之用。