近年來，我國電力電子器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)水平不斷提高，應(yīng)用領(lǐng)域日益廣泛，已逐漸成為國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展中基礎(chǔ)性的支柱產(chǎn)業(yè)之一。隨著電力電子器件產(chǎn)業(yè)日益受到國家的重視，國家對其生產(chǎn)企業(yè)和科研機(jī)構(gòu)的扶持力度也在逐步加大。然而，在科研和產(chǎn)業(yè)化不斷取得突破的同時，全行業(yè)仍面臨諸多困難，尤其是關(guān)鍵技術(shù)受制于人，嚴(yán)重影響行業(yè)持續(xù)發(fā)展。

　　得到政策扶持

　　電力電子器件產(chǎn)業(yè)直接關(guān)系到變流技術(shù)的發(fā)展與進(jìn)步，其技術(shù)水平成為建設(shè)節(jié)約型社會和創(chuàng)新型國家的關(guān)鍵因素。

　　隨著我國特高壓直流輸電、高壓變頻、交流傳動機(jī)車/動車組、城市軌道交通等領(lǐng)域技術(shù)發(fā)展和市場需求的增加，對5英寸及6英寸晶閘管、IGCT(集成門極換流晶閘管)、IGBT(絕緣柵雙極晶體管)的需求非常緊迫，而且需求量也非常大。預(yù)計國內(nèi)每年需要5英寸、6英寸晶閘管、IGCT、IGBT的總量將達(dá)到50萬只以上。然而目前國內(nèi)市場所需的高端電力電子器件主要依賴進(jìn)口。

　　以IGBT為例，全球IGBT主要供應(yīng)商集中在英飛凌、三菱、ABB、富士等少數(shù)幾家公司。目前，我國只有少數(shù)小功率IGBT的封裝線，還不具備研發(fā)、制造管芯的能力和大功率IGBT的封裝能力。因此，在技術(shù)上長期受制于人，這對國民經(jīng)濟(jì)的健康發(fā)展與國家安全極其不利。

　　為貫徹落實(shí)“十一五”高技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃和信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃，全面落實(shí)科學(xué)發(fā)展觀，推進(jìn)節(jié)能降耗，促進(jìn)電力電子技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，根據(jù)國家發(fā)改委《關(guān)于組織實(shí)施新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化專項有關(guān)問題的通知》，我國將實(shí)施電力電子器件產(chǎn)業(yè)專項政策，提高新型電力電子器件技術(shù)和工藝水平。

　　其主要內(nèi)容包括：促進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，滿足市場需求，以技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)升級推進(jìn)節(jié)能降耗;推動產(chǎn)、學(xué)、研、用相結(jié)合，突破核心基礎(chǔ)器件發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)，完善電力電子產(chǎn)業(yè)鏈，促進(jìn)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的芯片和技術(shù)的推廣應(yīng)用;培育骨干企業(yè)，增強(qiáng)企業(yè)自主創(chuàng)新能力。

　　其主要支持的重點(diǎn)領(lǐng)域有：在芯片產(chǎn)業(yè)化方面，主要支持IGBT、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)、快恢復(fù)二極管(FRD)、功率集成電路(PIC)、IGCT等產(chǎn)品的芯片設(shè)計、制造、封裝測試和模塊組裝。

　　在模塊產(chǎn)業(yè)化方面，主要支持電力電子器件系統(tǒng)集成模塊，智能功率模塊(IPM)和用戶專用功率模塊(ASPM)。

　　在應(yīng)用裝置產(chǎn)業(yè)化方面，重點(diǎn)圍繞電機(jī)節(jié)能、照明節(jié)能、交通、電力、冶金等領(lǐng)域需求，支持應(yīng)用具有自主知識產(chǎn)權(quán)芯片和技術(shù)的電力電子裝置。

　　仍需突破創(chuàng)新

　　在產(chǎn)業(yè)政策支持和國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展的推動作用下，我國電力電子產(chǎn)業(yè)化水平近年來有很大提高。通過技術(shù)上的不斷探索與追求，使其技術(shù)水平逐步與國際水平接近，尤其是在一些高端市場領(lǐng)域已經(jīng)占有一席之地。例如西安電力電子技術(shù)研究所通過引進(jìn)消化技術(shù)，產(chǎn)品已經(jīng)在高壓直流輸電等高端領(lǐng)域批量應(yīng)用。