此外，便攜設(shè)備可能遭受多次的ESD電壓應(yīng)力，這在中國北方地區(qū)表現(xiàn)得猶為顯眼。因?yàn)?，外部保護(hù)元件在多種ESD應(yīng)力條件的性能猶為重要，直接決定著便攜產(chǎn)品的可靠性。因此，同樣可以對壓敏電阻、聚合物和硅ESD二極管等保護(hù)元件在Tesec直流測試條件下測試，每個元件都施以總計(jì)2,000次的15 kV接觸放電ESD脈沖(正向及負(fù)向各1,000次)，每兩次脈沖的時間間隔為0.1秒。表2所示的測試結(jié)果顯示，安森美半導(dǎo)體的硅集成ESD保護(hù)元件在多重應(yīng)力條件下仍然維持極佳的性能，而競爭器件要么損壞，要么性能退化較嚴(yán)重。

　　表2：Tesec直流測試條件下不同ESD外部保護(hù)元件在多重應(yīng)力后的性能比較。

　　安森美半導(dǎo)體高性能ESD外部保護(hù)元件概覽

　　如表1所示，安森美半導(dǎo)體為便攜設(shè)備的大功率、高速和極高速等應(yīng)用領(lǐng)域均提供一系列的高性能硅ESD保護(hù)元件，滿足不同應(yīng)用需求。其中，安森美半導(dǎo)體的ESD11L、ESD11N、NUP4016(用于極高速應(yīng)用)，ESD11B、NUP4xxxP5(用于高速應(yīng)用)更是當(dāng)今業(yè)界領(lǐng)先的產(chǎn)品。

　　例如，NUP4016具備每條I/O線路0.5 pF的超低電容，非常適用于保護(hù)通用串行總線(USB) 2.0高速(480 Mbps)和高清多媒體接口(HDMI) (1.65 Gbps)等高速接口。ESD11L5.0D將安森美半導(dǎo)體的超低電容技術(shù)集成至3引腳封裝中，以0.5 pF電容保護(hù)兩條高速數(shù)據(jù)線路，為設(shè)計(jì)人員提供保護(hù)USB 2.0端口的D+和D-線路的單個器件解決方案;ESD11L5.0D也能夠連接陰極至陰極，以0.25 pF電容保護(hù)單條雙向線路，非常適用于保護(hù)高頻射頻(RF)天線線路。

　　NUP4016和ESD11L5.0D都能在數(shù)納秒時間內(nèi)將15千伏(kV)輸入ESD波形鉗位至不足8伏(V)，為當(dāng)今對ESD敏感的集成電路(IC)提供最高保護(hù)水平。這些硅器件沒有無源技術(shù)的磨損問題，在經(jīng)過多次浪涌事件如ESD等后，可靠性和性能都不受影響。

　　值得一提的，安森美半導(dǎo)體的這些高性能硅保護(hù)不僅提供極低電容和極低鉗位電壓，更采用極小的封裝，是需要在超薄封裝中提供優(yōu)異保護(hù)性能的便攜產(chǎn)品的極佳保護(hù)器件。如NUP4016采用極小的1.0 mm x 1.0 mm x 0.4 mm SOT-953封裝保護(hù)4條高速數(shù)據(jù)線路，是如今市場上最薄的高速通信接口用ESD保護(hù)器件。

　　ESD11L5.0D采用超小型1.0 mm x 0.6 mm x 0.37 mm SOT-1123封裝，與采用SOT-723封裝的市場上同類解決方案相比，占位面積小50%，厚度低20%，是如今市場上最薄的高速通信、USB 2.0數(shù)據(jù)和電源線路和保護(hù)用ESD器件。