安森美半導(dǎo)體還規(guī)劃提供尺寸小至0.6 mm x 0.3 mm x 0.3 mm的0201 CSP封裝的ESD器件，保護(hù)單條線路，每條線路所占平面面積僅為0.18 mm2。

　　采用安森美半導(dǎo)體半導(dǎo)體保護(hù)元件的USB 2.0高速應(yīng)用保護(hù)示例

　　USB 2.0接口在便攜設(shè)備中的應(yīng)用范圍非常普及，在用戶的日常使用中也有著極高的使用頻率，故需要為高速的USB接口提供可靠的ESD保護(hù)。圖2顯示的是速度達(dá)480 Mbps的USB 2.0高速應(yīng)用在帶識(shí)別(ID)線路及不帶ID線路兩種情況下的簡(jiǎn)明結(jié)構(gòu)示意圖。

　　圖2：USB 2.0高速(480 Mbps)應(yīng)用結(jié)構(gòu)示意圖。

　　以帶ID線路的圖2 a)為例，應(yīng)用中需要以電容小于1 pF、小封裝的器件保護(hù)3條極高速數(shù)據(jù)線路(D+、D-和ID)及1條大功率線路(Vbus)。針對(duì)這樣的保護(hù)需求，既可以采用分立保護(hù)方案，如使用3顆ESD9L加1顆ESD9X，也可以采用集成保護(hù)方案，如1顆NUP3115UP或NUP4114UP(有1條線路未連接)。

　　而在圖2 b)的應(yīng)用中，需要以電容小于1 pF、小封裝的器件保護(hù)2條極高速數(shù)據(jù)線路及1條大功率線路(Vbus)。針對(duì)這樣的保護(hù)需求，同樣既可以采用分立保護(hù)方案，如使用2顆ESD9L加1顆ESD9X、1顆ESD7L加1顆ESD9X或1顆ESD11L加1顆ESD9X，也可以使用集成保護(hù)方案，如1顆NUP2114UP或1顆NUP4114UP(保護(hù)2個(gè)USB端口)。

　　總結(jié)：

　　手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)等便攜產(chǎn)品中的眾多位置可能遭受ESD脈沖的影響并損壞其中特征尺寸越來越小、越來越敏感的集成電路，進(jìn)而影響系統(tǒng)的可靠性。最有效的ESD保護(hù)方法是在便攜設(shè)備的連接器或端口處放置外部保護(hù)元件。測(cè)試表明，硅TVS二極管比聚合物和壓敏電阻等無源元件的鉗位性能更優(yōu)異，而安森美半導(dǎo)體的硅保護(hù)元件更是優(yōu)于性能最接近的競(jìng)爭(zhēng)器件。安森美半導(dǎo)體身為全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅解決方案供應(yīng)商，為便攜設(shè)備的大功率、高速和極高速應(yīng)用領(lǐng)域提供豐富的高性能硅保護(hù)元件系列，其中不少都是當(dāng)今業(yè)界的領(lǐng)先產(chǎn)品。這些領(lǐng)先產(chǎn)品以極小的封裝提供極低的電容和極低鉗位電壓，非常適合保護(hù)USB 2.0高速及HDMI等極高速應(yīng)用。同時(shí)，客戶得益于安森美半導(dǎo)體豐富的硅保護(hù)元件系列，能夠?yàn)槠銾SB 2.0高速等應(yīng)用靈活地選擇及搭配安森美半導(dǎo)體的硅保護(hù)元件，滿足他們的不同應(yīng)用需求。