實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論

　　將RGB三色排列的矩陣基板和CF基板按照同樣生產(chǎn)流程進(jìn)行清洗、光刻、刻蝕等光刻工藝，達(dá)到生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)入鍍膜工藝，對兩種類型的基板按照其相應(yīng)生產(chǎn)工藝分別制作實(shí)現(xiàn)彩色化RGB三色排列的器件和白光器件，進(jìn)行老化過程后再進(jìn)行光電參數(shù)特性的比較。各器件鍍膜工藝如下，材料均為作為生產(chǎn)使用所購置的商品化量產(chǎn)材料。

　　RGB三色排列結(jié)構(gòu)：HIL/NPB (25nm)/Red/Green/Blue/Alq3 (30nm)/LiF (1nm)/Al (150nm)。

　　白光+CF結(jié)構(gòu)：HIL/NPB (25nm)/Blue/Orange/Alq3 (30nm)/LiF (1nm)/Al (150nm)。

　　光刻工藝為標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)設(shè)備：清洗，涂膠，曝光，顯影，刻蝕，脫膜等工藝流程。并分別進(jìn)行UV Ozone紫外臭氧處理;真空條件下RF plasma O2處理。有機(jī)材料蒸發(fā)速率為0.1~0.5nm/s不等，陰極蒸發(fā)速率為0.5nm/s;成膜真空度大約為8×10-5Pa。

　　將上述不同方式制作完成的OLED顯示器件進(jìn)行光電性能參數(shù)的測試;同時(shí)對兩者的ITO基板和CF基板表面進(jìn)行表面平整度的測試。然而在進(jìn)行測試過程當(dāng)中，發(fā)現(xiàn)在工作中的所有的白光+CF器件樣品表面都不同程度地出現(xiàn)了黑點(diǎn)，而且隨著點(diǎn)亮和存儲時(shí)間的增加，器件表面出現(xiàn)的黑點(diǎn)越來越多，也越來越大;從最初的小黑點(diǎn)缺陷到后來的黑洞直至占到整個(gè)發(fā)光像素一半以上的面積(圖3)。

　　對于出現(xiàn)這樣的缺陷或瑕疵(defect)，針對OLED的器件還沒有明確的標(biāo)準(zhǔn)來限定，而對于一般的顯示器件來說，例如液晶顯示器件，瑕疵的定義：“在工作或非工作的狀態(tài)下，有效屏幕上的缺陷即為屏幕瑕疵。”其中對瑕疵的大小長短等等都有明確的界定。當(dāng)瑕疵達(dá)到一定程度，就可以認(rèn)定其為不合格的產(chǎn)品，不能上市使用。因此在這里沿用LCD的檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)，那么白光+CF的OLED器件是屬于不合格的產(chǎn)品。

　　而RGB三色排列的OLED器件經(jīng)過點(diǎn)亮測試以及存儲的過程中，并沒有出現(xiàn)上述嚴(yán)重的黑點(diǎn)瑕疵。兩者基本的材料、制作工藝和制造設(shè)備都一樣，不同之處也只有兩處。