“在瞬態(tài)響應(yīng)、輸出的精度方面，數(shù)字電源和模擬電源還有些差距，”陳宇補(bǔ)充道，原理上，模擬可以做得非常精準(zhǔn)。所以客戶在選擇模擬與數(shù)字時(shí)，需要有個(gè)評(píng)判：更在乎空間小，還是更加精準(zhǔn)，還是成本。

　　高功率晶體管的發(fā)展趨勢(shì)

　　英飛凌(Infineon)6月在華首發(fā)了高性能功率晶體管CoolMOS C6，比較注重成本的降低。英飛凌是高功率晶體管的領(lǐng)先廠商，其產(chǎn)品特點(diǎn)具有一定代表性。英飛凌科技奧地利有限公司全球開關(guān)電源高級(jí)市場(chǎng)經(jīng)理Thomas Schmidt介紹了600V C6的特點(diǎn)。

　　首先，C6的成本比C3低，成本主要取決于芯片尺寸的大小，CoolMOS C6硅片變得更小，并采取新的封裝技術(shù)來(lái)降低成本。在單位封裝方面，以T220封裝為例，其他品牌類似產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻大約是380mW，而英飛凌C6現(xiàn)在做到最好的是99mW。如果競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手為實(shí)現(xiàn)同樣的導(dǎo)通電阻需要應(yīng)用TO-247封裝，成本將會(huì)增加。英飛凌在TO-247封裝方面能做到45mW，而其他品牌難以做到這么低。在硅片方面，尺寸和功率往往成正比，如何平衡兩者的關(guān)系?要做到小硅片，英飛凌通過(guò)做到降低損耗來(lái)達(dá)到平衡。如果損耗跟之前一樣，那是沒(méi)有競(jìng)爭(zhēng)力的。

　　其次，在電源工作頻率方面，英飛凌的MOSFET開關(guān)頻率可以提高到250kHz~400kHz。如果用其他品牌的超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)的MOS，會(huì)產(chǎn)生大的損耗。但如果采用CoolMOS，可以實(shí)現(xiàn)頻率超過(guò)250kHz。當(dāng)然開關(guān)頻率越高，損耗越高，例如超過(guò)450kHz以上，就要采用零電流、零電壓等軟開關(guān)架構(gòu)，英飛凌的方法是配合二極管去實(shí)現(xiàn)。

　　英飛凌的C6主要替代C3，特點(diǎn)是成本更低。英飛凌沒(méi)有C4系列，因?yàn)?在中文里有不好的寓意;英飛凌把其C5系列實(shí)際命名為CP。CP的開關(guān)損耗是最低的，所以C6不能代替CP，CP更適合在更高效的電源產(chǎn)品中。