新興存儲器
五種新興的非易失性存儲器技術(shù)介紹，哪個可能是未來主流？
新興的非易失性存儲器技術(shù)主要有五種類型：閃存（Flash），鐵電隨機存取存儲器（FeRAM），磁性隨機存取存儲器（MRAM），相變存儲器（PCM）和RRAM……
了解更多被視為夢幻存儲的MRAM 為何吸引半導(dǎo)體大廠相繼投入？
目前存儲市場以DRAM與NAND Flash為主流，而近年來，在人工智能、5G 等需求推升下，新興存儲MRAM(磁阻式隨機存取存儲) 逐漸成為市場焦點，是什么原因吸引臺積電、英特爾與三星等半導(dǎo)體大廠，相繼投入研發(fā)……
了解更多MRAM、PCM和ReRAM，下一代的存儲器會是誰？
存儲器芯片開發(fā)的主要挑戰(zhàn)是面對日益增長的微處理器性能提高，如何保持同步提供高吞吐速度與較低功耗？面對挑戰(zhàn)存儲器制造商選擇改變計算架構(gòu)和移至更小的工藝節(jié)點生產(chǎn)……
了解更多PCRAM/MRAM/ReRAM 3種新興內(nèi)存將取代傳統(tǒng)的NOR flash和SRAM？
新興內(nèi)存技術(shù)已經(jīng)出現(xiàn)幾十年了，但根據(jù)Objective Analysis和Coughlin Associates發(fā)表的年度報告《Emerging Memories Ramp Up》顯示，新興內(nèi)存技術(shù)如今已經(jīng)發(fā)展到一個在更多應(yīng)用中表現(xiàn)更重要的關(guān)鍵期了……
了解更多原理介紹
非易失性MRAM的誕生過程
MRAM技術(shù)是以可沉積在標(biāo)準(zhǔn)邏輯制程上的磁性隧道結(jié) (MTJ)儲存單元為基礎(chǔ)，MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層，和一個通過隧道結(jié)與……
了解更多關(guān)于ReRAM的性能分析和介紹
電阻式隨機存取存儲器（ReRAM）是一種正處于開發(fā)階段的下一代內(nèi)存技術(shù)。在經(jīng)歷了多年的挫折之后，這項技術(shù)終于開始受到歡迎了……
了解更多相變存儲器的工作原理
近年來，非易失性存儲技術(shù)在許多方面都取得了一些重大進(jìn)展，為計算機系統(tǒng)的存儲能效提升帶來了新的契機，采用新型非易失性存儲技術(shù)來替代……
了解更多相變存儲器（PCM）技術(shù)基礎(chǔ)
相變存儲器（PCM）是一種非易失存儲設(shè)備，它利用材料的可逆轉(zhuǎn)的相變來存儲信息。同一物質(zhì)可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝物和等離子體等狀態(tài)下存在……
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