電阻式隨機存取存儲器（ReRAM）是一種正處于開發(fā)階段的下一代內(nèi)存技術(shù)。在經(jīng)歷了多年的挫折之后，這項技術(shù)終于開始受到歡迎了。

富士通和松下正在聯(lián)合加大投入開發(fā)第二代 ReRAM 器件。此外，Crossbar 正在實驗性地生產(chǎn)一種 40nm ReRAM 技術(shù)，目前正由中國的中芯國際（SMIC）的晶圓廠代工生產(chǎn)。臺積電（TSMC）和聯(lián)電（UMC）也不甘示弱，最近也已經(jīng)將 ReRAM 加入了自己的發(fā)展路線圖中，并且將在明年左右為自己的客戶開發(fā)這項技術(shù)。

多年以來，人們一直在吹捧 ReRAM，說它是 NAND 等傳統(tǒng)內(nèi)存技術(shù)的替代者，但 ReRAM 的開發(fā)難度比之前任何人預測的都要大。此外，NAND 也比之前所想的發(fā)展得更遠，導致很多公司延緩甚至終止了它們的 ReRAM 開發(fā)。

并非所有芯片制造商都支持 ReRAM。GlobalFoundries 等一些公司對 ReRAM 技術(shù)就較為冷淡，而是正在開發(fā)不同類型的下一代內(nèi)存技術(shù)。

與閃存相比，ReRAM 的優(yōu)勢是讀取延遲更低且寫入速度更快。在傳統(tǒng)內(nèi)存中，數(shù)據(jù)以電荷的形式存儲。在 ReRAM 中，會有一個電壓被應用于一種堆疊的材料，進而導致電阻變化，這種變化可以在內(nèi)存中記錄數(shù)據(jù)（0 和 1）。

盡管有這些優(yōu)良屬性，但目前為止出貨 ReRAM 的公司僅有寥寥幾家。其它公司還在攻堅克難，因為 ReRAM 技術(shù)在物理方面非常困難。而且在一些案例中，ReRAM 的性能和可靠性也沒有達到人們的期待。

ReRAM 不會取代 NAND 或其它內(nèi)存，但它會找到自己的位置，尤其是在嵌入式內(nèi)存應用領(lǐng)域。聯(lián)電嵌入式非易失性內(nèi)存助理副總裁 Yau Kae Sheu 說：“ReRAM 是一種針對成本敏感型應用的解決方案，比如可穿戴和物聯(lián)網(wǎng)設備。ReRAM 很適合一些低端的 MCU 和內(nèi)存密度要求更低的消費級產(chǎn)品?！?/p>

但對于未來應用，ReRAM 等一些下一代內(nèi)存技術(shù)的目標是所謂的存儲級內(nèi)存（storage-class memory）市場。多年以來，內(nèi)存行業(yè)一直在尋找一種新的內(nèi)存類型，即存儲級內(nèi)存。這種內(nèi)存可以用在系統(tǒng)的主內(nèi)存（DRAM）和儲存器（NAND 閃存）之間，填補這兩者之間日益增大的延遲差距。

ReRAM 的另一個潛在應用是神經(jīng)形態(tài)計算（neuromorphic computing）。神經(jīng)形態(tài)計算使用了腦啟發(fā)的計算功能，可用于實現(xiàn)人工智能和機器學習。但是，在 ReRAM 進軍這些市場之前，內(nèi)存行業(yè)必須要先小規(guī)模地掌控 ReRAM。

為什么要做下一代內(nèi)存？

多年以來，內(nèi)存行業(yè)一直都在開發(fā) ReRAM 和其它下一代內(nèi)存技術(shù)。因為傳統(tǒng)內(nèi)存存在很多限制，新的內(nèi)存類型有望填補這些空白。

Applied Materials 硅系統(tǒng)組內(nèi)存和材料總經(jīng)理 Er-Xuan Ping 說：“他們正在解決 DRAM 和 NAND 的問題。NAND 很慢。DRAM 雖然快，但卻是易失性的?！?/p>

DRAM 是易失性的，所以當系統(tǒng)斷電時，它的數(shù)據(jù)會丟失。閃存在斷電時也能繼續(xù)保存數(shù)據(jù)。但在實際工作中，閃存會經(jīng)歷多輪讀/寫周期，這個過程很慢。

總的來說，下一代內(nèi)存類型的特點是快、非易失且能提供無限的耐久性。它們還要能提供位可改寫、免擦除的功能，從而可以作為 DRAM 和閃存的完美替代品。

這些內(nèi)存技術(shù)的問題在于它們依賴于異乎尋常的材料和復雜的開關(guān)機制，所以下一代內(nèi)存類型需要更長的開發(fā)時間。與此同時，內(nèi)存行業(yè)還在繼續(xù)延展 DRAM 和閃存，讓新內(nèi)存類型難以在市場上占據(jù)一席之地。

但是，現(xiàn)在有好幾種新內(nèi)存類型都正迎來發(fā)展勢頭，其中3D XPoint 和 STT-MRAM 勢頭最盛。另外還有碳納米管 RAM、FRAM 和 ReRAM 等其它一些類型。

沒有任何單一一種內(nèi)存類型是全能的，能夠處理所有應用。每種技術(shù)都有不同的屬性，能夠執(zhí)行不同的功能。Lam Research 的子部門 Coventor 的首席技術(shù)官 David Fried 說：“我預計這些先進內(nèi)存技術(shù)首先會被用于能夠體現(xiàn)和利用它們的特有優(yōu)勢的應用中?！?/p>

由英特爾和美光開發(fā)的 3D XPoint 技術(shù)是下一代相變內(nèi)存。而 STT-MRAM 則使用電子自旋的磁性來提供非易失性。

碳納米管 RAM 是使用納米管來形成電阻態(tài)。而 FRAM 則是使用鐵電電容器來存儲數(shù)據(jù)。

ReRAM 與上述方法都不一樣。在多年的開發(fā)發(fā)展中，ReRAM 在 2008 年曾變得臭名昭著，那時候惠普公司提出了一種被稱為憶阻器（memristor）的 ReRAM。多年以來，惠普一直都在開發(fā)一款集成整合了憶阻器的面向未來的系統(tǒng)“The Machine”。但分析人士說，惠普在這項技術(shù)上努力多年之后卻轉(zhuǎn)向了一種更加傳統(tǒng)的內(nèi)存方案，退出了憶阻器的道路。

現(xiàn)在惠普已經(jīng)和西部數(shù)據(jù)開始合作開發(fā)另一種 ReRAM 技術(shù)了。4DS、Adesto、Crossbar、美光、松下、三星、索尼等公司也在開發(fā) ReRAM。

但是到目前為止，松下是唯一一家量產(chǎn) ReRAM 的公司。另外，Crossbar 也有望在今年年底之前開始出貨 ReRAM。

其它公司都還在努力開發(fā) ReRAM?！癆desto 一直在緩慢地出貨低密度 CBRAM，他們相信將在 2018 年實現(xiàn)大量出貨?！盬eb-Feet Research 首席執(zhí)行官 Alan Niebel 在談到導電橋接 RAM（CBRAM，這是一種 ReRAM）時說道，“西部數(shù)據(jù)和惠普已經(jīng)陷入困境，但可能能在 2019 年出貨。”

與此同時，索尼正在調(diào)整自己的 ReRAM 的開發(fā)工作。多年來，索尼和美光一直都在合作開發(fā) ReRAM，但美光最近退出了該項目。轉(zhuǎn)而開始與英特爾合作重點開發(fā) 3D XPoint，留下了沒有晶圓廠合作伙伴的索尼獨自開發(fā) ReRAM。

在代工廠方面，中芯國際、臺積電、聯(lián)電等都正在為代工客戶開發(fā)和/或提供 ReRAM 工藝。但 GlobalFoundries 和三星這兩家到目前為止都還沒有推出 ReRAM。

晶圓代工廠正在探索所有下一代內(nèi)存類型，但它們的重點還是那些長期看來更有可能成功的技術(shù)。GlobalFoundries 嵌入式內(nèi)存副總裁 Dave Eggleston 說：“投資這些技術(shù)的成本很高，行業(yè)只能投資這么多。”

例如，GlobalFoundries 側(cè)重的技術(shù)是 STT-MRAM。三星、臺積電和聯(lián)電也正在為代工客戶開發(fā) STT-MRAM。 Eggleston說：“在所有這些技術(shù)中，最具商業(yè)潛力的技術(shù)絕對是 MRAM。嵌入式 MRAM 正處于最前沿的位置。如果能獲得投資，其它一些技術(shù)得到應用的難度將越來越大。”

ReRAM 有一些優(yōu)勢，但仍然面臨著嚴峻的挑戰(zhàn)。他補充說：“在采用方面，ReRAM 事實上有點讓人失望?！?/p>

ReRAM 是什么？

ReRAM 也是一種難以掌握的技術(shù)，但對晶圓廠的生產(chǎn)來說，它是一種相對簡單直接的工藝。ReRAM 和 STT-MRAM 都只需要少量幾個掩模步驟而且可在晶圓廠中所謂的生產(chǎn)線后道工序（BEOL）制造生成。而且 STT-MRAM 和 ReRAM 都構(gòu)建在芯片的金屬層的觸點或通孔之上。

制造 ReRAM 是一回事，但要使其工作又是另一回事。一般來說，ReRAM 有兩種主要類型——氧空缺（oxygen-vacancy）ReRAM 和 CBRAM。氧空缺 ReRAM 也被稱為基于氧化物的 ReRAM（oxide-based ReRAM），簡稱 OxRAM。

OxRAM 和 CBRAM 都是二端器件——由一個頂部電極和一個底部電極組成。在兩個電極之間是開關(guān)介質(zhì)。

圖 1：Filamentary ReRAM 技術(shù)，來自 Crossbar

在 OxRAM 中，兩個電極之間夾著一種金屬氧化物材料。當將正電壓施加到頂部電極上時，在兩個電極之間會形成導電細絲。這些細絲由離子原子組成。

當將負電壓施加到底部電極上時，這些導電細絲會斷裂。從而在效果上實現(xiàn)了 ReRAM 在高低電阻之間的切換。在內(nèi)存中，電阻的變化就表示成 0 和 1。

圖 2：工作中的 ReRAM，來自 Adesto

和 OxRAM 類似，CBRAM 也是通過構(gòu)建和摧毀細絲來創(chuàng)造電阻狀態(tài)。但 CBRAM 是將銅或銀金屬注入到硅中，從而在兩個電極之間形成導電橋或細絲。

其他也有一些人在研究非細絲的方法。與形成細絲不同，這種技術(shù)是使用自整流技術(shù)來形成開關(guān)效應。有的人將這種技術(shù)歸類為 OxRAM。

不管怎樣，ReRAM 技術(shù)都很艱難。Lam Research 副總裁 Thorsten Lill 表示：“如果能開發(fā)出來，ReRAM 確實能帶來讀/寫延遲方面的改善，但它卻有可靠性方面的限制。它的單元開關(guān)幾萬次之后性質(zhì)就會改變。這似乎與構(gòu)建細絲的物理化學效應有關(guān)。我們對此知之甚少?！?/p>

DRAM 和閃存處理的是電子。而 OxRAM 和CBRAM 則涉及控制離子原子形成細絲的復雜過程。電子更輕，而原子更重。

“ReRAM 在紙面上看起來很簡單，但實際情況卻并非如此?！盇pplied 的 Ping 說，“當你讓離子在材料之中移動時，不只會形成電流，而且還有響應它的電場。其互擴散、溫度行為和電行為全都要一起考慮。這必然涉及到處理很多自然參數(shù)。所以非常復雜。”

Ping 繼續(xù)說：“比如，當你向任何一種 ReRAM 輸入一個電脈沖時，都會出現(xiàn) RC 相互作用。根據(jù) RC 相互作用的不同，局部產(chǎn)生的熱也有所不同而且不會保持不變。如果這有所不同，那氧的擴散速度也會不同。這是一個困境。一方面，電子可能太輕了。然后會導致很高的噪聲。另一方面，原子又太重了。這不是簡單用電就能解決的?！?/p>