?氮化鎵 文章 進(jìn)入?氮化鎵技術(shù)社區(qū)
羅姆、臺積電就車載氮化鎵 GaN 功率器件達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
- 12 月 12 日消息，日本半導(dǎo)體制造商羅姆 ROHM 當(dāng)?shù)貢r(shí)間本月 10 日宣布同臺積電就車載氮化鎵 GaN 功率器件的開發(fā)和量產(chǎn)事宜建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。羅姆此前已于 2023 年采用臺積電的 650V 氮化鎵 HEMT（注：高電子遷移率晶體管）工藝推出了 EcoGaN 系列新產(chǎn)品。羅姆、臺積電雙方將致力于把羅姆的氮化鎵器件開發(fā)技術(shù)與臺積電業(yè)界先進(jìn)的 GaN-on-Silicon（硅基氮化鎵）工藝技術(shù)優(yōu)勢結(jié)合起來，滿足市場對高耐壓和高頻特性優(yōu)異的功率器件日益增長的需求。臺積電在新聞稿中提到，
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發(fā)力氮化鎵，格芯獲巨額補(bǔ)貼
- 12月4日，據(jù)GlobalFoundries（格芯）官網(wǎng)消息，其又從美國政府獲得了950萬美元（折合人民幣約6900萬元）的聯(lián)邦資助，用于推進(jìn)其位于美國佛蒙特州埃塞克斯交界的工廠的硅基氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體的生產(chǎn)。據(jù)介紹，這筆資金由美國國防部可信接入項(xiàng)目辦公室（TAPO）提供，是美國聯(lián)邦政府為支持格芯在佛蒙特州的氮化鎵項(xiàng)目而投入的最新資金。獲得這筆資金后，格芯將繼續(xù)為其氮化鎵IP產(chǎn)品組合和可靠性測試增加新的工具、設(shè)備和原型開發(fā)能力，其將更接近在佛蒙特州全面制造8英寸氮化鎵芯片。據(jù)悉，自2020年以來，包括
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氮化鎵的未來：IDM 還是 Fabless
- 今年十月份，日本功率器件大廠羅姆半導(dǎo)體（ROHM）公開表示，將在氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域加強(qiáng)與臺積電合作，公司旗下的氮化鎵（GaN）產(chǎn)品將全面委托臺積電代工生產(chǎn)。值得注意的是，羅姆之前主要利用內(nèi)部工廠來生產(chǎn)相關(guān)器件，但是近年來已經(jīng)開始將部分產(chǎn)品委托臺積電代工，只不過羅姆此前并未對外公布。而此次，羅姆將全面委托臺積電代工生產(chǎn)有望運(yùn)用于廣泛用途的 650V 耐壓產(chǎn)品，借由活用外部資源，應(yīng)對急增的需求，擴(kuò)大業(yè)務(wù)規(guī)模。有分析認(rèn)為，羅姆全面委托臺積電代工氮化鎵產(chǎn)品，旨在降低成本。畢竟，氮化鎵材料雖然性能優(yōu)越，但成本一直
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英飛凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化鎵功率分立器件
- 英飛凌科技股份公司近日宣布推出新型高壓分立器件系列CoolGaN? 650 V G5晶體管，該系列進(jìn)一步豐富了英飛凌氮化鎵（GaN）產(chǎn)品組合。該新產(chǎn)品系列的適用范圍廣泛，包括USB-C適配器和充電器、照明、電視、數(shù)據(jù)中心、電信整流器等消費(fèi)和工業(yè)開關(guān)電源（SMPS）、可再生能源，以及家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。最新一代CoolGaN?晶體管可直接替代CoolGaN? 600 V G1晶體管，實(shí)現(xiàn)了現(xiàn)有平臺的快速重新設(shè)計(jì)。新器件改進(jìn)了性能指標(biāo)，確保為重點(diǎn)應(yīng)用帶來具有競爭力的開關(guān)性能。與主要同類產(chǎn)品和英飛凌之前的產(chǎn)
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敢想敢做，PI推出業(yè)界首款1700V氮化鎵開關(guān)IC
- 1932年，研究人員在George Herbert Jones實(shí)驗(yàn)室，將金屬鎵和氨在900℃至1000℃的高溫下進(jìn)行反應(yīng)，成功合成了GaN材料。近一個(gè)世紀(jì)的時(shí)間里，氮化鎵逐漸引領(lǐng)著功率變換領(lǐng)域的新一輪變革。特別是Power Integrations公司近日推出的業(yè)界首款1700V氮化鎵開關(guān)IC——InnoMux?-2系列產(chǎn)品，不僅刷新了氮化鎵技術(shù)的耐壓紀(jì)錄，更是以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用前景，成為了電源管理領(lǐng)域的遙遙領(lǐng)先者。 氮化鎵逐漸成為王者 最佳開關(guān)電源技術(shù)覆蓋從十瓦至一兆瓦的廣泛
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Power Integrations推出1700V氮化鎵開關(guān)IC，為氮化鎵技術(shù)樹立新標(biāo)桿
- 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日推出InnoMux?-2系列單級、獨(dú)立調(diào)整多路輸出離線式電源IC的新成員。新器件采用公司專有的PowiGaN?技術(shù)制造而成，是業(yè)界首款1700V氮化鎵開關(guān)IC。1700V額定耐壓進(jìn)一步提升了氮化鎵功率器件的先進(jìn)水平，此前的業(yè)界首創(chuàng)產(chǎn)品是Power Integrations于2023年推出的900V和1250V器件。1700V InnoMux-2 IC可在反激設(shè)計(jì)中輕松支持1000VDC額定輸入電壓，并在需要一個(gè)、兩個(gè)或三
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德州儀器日本會(huì)津工廠開始生產(chǎn)GaN芯片，自有產(chǎn)能將提升四倍
- 自德州儀器官網(wǎng)獲悉，日前，德州儀器公司（TI）宣布已開始在日本會(huì)津工廠生產(chǎn)基于氮化鎵(GaN)的功率半導(dǎo)體。隨著會(huì)津工廠的投產(chǎn)，結(jié)合其在德克薩斯州達(dá)拉斯的現(xiàn)有GaN制造能力，德州儀器的內(nèi)部GaN基功率半導(dǎo)體制造能力將翻四倍。德州儀器技術(shù)與制造高級副總裁穆罕默德·尤努斯（Mohammad Yunus）表示，在GaN芯片設(shè)計(jì)和制造方面擁有十多年的豐富經(jīng)驗(yàn)后，TI成功地將200mm GaN技術(shù)（這是目前制造GaN的最具可擴(kuò)展性和成本競爭力的方法）應(yīng)用于會(huì)津工廠的量產(chǎn)。這一里程碑使德州儀器能夠在內(nèi)部制造更多的Ga
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德州儀器擴(kuò)大氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體自有制造規(guī)模，產(chǎn)能提升至原來的四倍
- 新聞亮點(diǎn)：●? ?德州儀器增加了GaN制造投入，將兩個(gè)工廠的GaN半導(dǎo)體自有制造產(chǎn)能提升至原來的四倍。●? ?德州儀器基于GaN的半導(dǎo)體現(xiàn)已投產(chǎn)上市。●? ?憑借德州儀器品類齊全的GaN集成功率半導(dǎo)體，能打造出高能效、高功率密度且可靠的終端產(chǎn)品。●? ?德州儀器已成功開展在12英寸晶圓上應(yīng)用GaN制造工藝的試點(diǎn)項(xiàng)目。德州儀器 (TI)近日宣布，公司基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導(dǎo)體已在日本會(huì)津工廠開始投產(chǎn)。隨著會(huì)津工廠投產(chǎn)，
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氮化鎵或?qū)⑨尫殴夥夹g(shù)的長期潛力
- 2023 年全球可再生能源發(fā)電量首次超過全球總發(fā)電量的 30%創(chuàng)歷史新高，這則消息的背后是技術(shù)的不斷創(chuàng)新與突破。一直以來，可再生能源利用的一大問題是缺乏彈性，比如對于光伏而言，只能根據(jù)光照進(jìn)行發(fā)電，而無法根據(jù)需求而定。不過，隨著儲能技術(shù)的推進(jìn)，微型逆變器和串式逆變器正朝向雙向操作技術(shù)方向演進(jìn)，且隨時(shí)可以按需智能地融入電網(wǎng)。一個(gè)重要且可預(yù)見的趨勢是氮化鎵可作為下一代家庭太陽能生產(chǎn)的重要組成部分，提供更高的功率密度，更小的外部無源元件、從而降低系統(tǒng)成本，增加系統(tǒng)效率，提供智能電網(wǎng)的彈性。作為氮化鎵供應(yīng)商的先驅(qū)
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美印宣布將在印度建立半導(dǎo)體工廠，生產(chǎn)氮化鎵、碳化硅等芯片
- 美國和印度達(dá)成協(xié)議，將共同在印度建立一家半導(dǎo)體制造廠，助力印度總理莫迪加強(qiáng)該國制造業(yè)的雄心計(jì)劃。據(jù)白宮消息人士稱，擬建的工廠將生產(chǎn)紅外、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導(dǎo)體，這是美國總統(tǒng)拜登和莫迪在特拉華州會(huì)晤后發(fā)布的。消息人士稱，該工廠的建立將得到印度半導(dǎo)體計(jì)劃（ISM），以及Bharat Semi、3rdiTech和美國太空部隊(duì)之間的戰(zhàn)略技術(shù)伙伴關(guān)系的支持。印度在亞洲的戰(zhàn)略地緣政治地位為該國及其在技術(shù)領(lǐng)域所能提供的機(jī)會(huì)提供了新的關(guān)注點(diǎn)。在過去十年中，莫迪曾多次表示，他將把印度定位為中國的替代品，并
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信越化學(xué)為氮化鎵外延生長帶來了有力輔助
- 第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵，傳來新消息：日本半導(dǎo)體材料大廠信越化學(xué)為氮化鎵外延生長帶來了有力輔助。2024年9月3日，信越化學(xué)宣布研制出一種用于GaN（氮化鎵）外延生長的300毫米（12英寸）QSTTM襯底，并于近日開始供應(yīng)樣品。圖片來源：信越化學(xué)從氮化鎵生產(chǎn)上看，盡管GaN器件制造商可以使用現(xiàn)有的Si生產(chǎn)線來生產(chǎn)GaN，但由于缺乏適合GaN生長的大直徑基板，因此無法從增加材料直徑中獲益。上述的300毫米QST基板具有與GaN相同的熱膨脹系數(shù)，可實(shí)現(xiàn)大直徑的高質(zhì)量厚GaN外延生長，并抑制SEMI標(biāo)準(zhǔn)厚度的QS
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三星加碼氮化鎵功率半導(dǎo)體
- 根據(jù)韓媒報(bào)道，9月2日，三星電子在第二季度引入了少量用于大規(guī)模生產(chǎn)GaN功率半導(dǎo)體的設(shè)備。GaN是下一代功率半導(dǎo)體材料，具有比硅更好的熱性能、壓力耐久性和功率效率。基于這些優(yōu)勢，IT、電信和汽車等行業(yè)對其的需求正在增加。三星電子也注意到了GaN功率半導(dǎo)體行業(yè)的增長潛力，并一直在推動(dòng)其進(jìn)入市場。去年6月，在美國硅谷舉行的“2023年三星代工論壇”上，該公司正式宣布：“我們將在2025年為消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心和汽車領(lǐng)域推出8英寸GaN功率半導(dǎo)體代工服務(wù)。”根據(jù)這一戰(zhàn)略，三星電子第二季度在其器興工廠引入了德國愛思
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泰克先進(jìn)半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室：量芯微1200V氮化鎵器件的突破性測試
- _____在泰克先進(jìn)半導(dǎo)體開放實(shí)驗(yàn)室，2024年8月份，我們有幸見證了量芯微（GaN Power）新一代1200V氮化鎵（GaN）功率器件的動(dòng)態(tài)參數(shù)測試。量芯微作為全球首家成功流片并量產(chǎn)1200V氮化鎵功率器件的廠商，其最新產(chǎn)品在性能上的顯著提升，不僅展現(xiàn)了技術(shù)的進(jìn)步，也為我們的客戶帶來了新的解決方案。測試概覽今年8月，我們收到了量芯微提供的新一代高壓氮化鎵器件，其額定工作條件提升至1200V/20A（70mΩ），在柵極電壓12V的條件下，輸出電流提升至20A以上。這一性能的提升，使得量芯微的GaN器件在
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拆解報(bào)告：HUAWEI華為100W全能充多口充電器P0018
- 前言HUAWEI華為旗下快充產(chǎn)品相當(dāng)多，除了隨機(jī)附送的充電器外，這些年還陸續(xù)推出過多口充、超薄快充以及全能充等產(chǎn)品，其中全能充系列涵蓋了快充充電器、車載充電器以及磁吸無線充移動(dòng)電源等品類，功率也有66W、88W、100W可選?？梢哉f光是這個(gè)系列的產(chǎn)品，就相當(dāng)琳瑯滿目了。華為100W全能充多口充電器P0018是華為近期推出的新品，這款充電器除了配置代表性的干涉型融合端口外，還額外擁有一個(gè)獨(dú)立的USB-C接口，這便使得充電器具有了同時(shí)為兩個(gè)華為系設(shè)備供電的能力。下面充電頭網(wǎng)就對華為這款新品進(jìn)行詳細(xì)拆解，一起來
- 關(guān)鍵字： 氮化鎵 華為 充電器
拆解報(bào)告：HP惠普65W 2C1A氮化鎵快充充電器ZHAN 65
- 前言HP惠普是知名的國際電腦品牌，平時(shí)大家遇到的惠普電源多為大功率大尺寸的筆記本電源適配器，雖說大品牌的產(chǎn)品在用料規(guī)格和做工方面沒得說，但終歸不便攜。而隨著快充的普及，近期充電頭網(wǎng)拿到了惠普一款符合當(dāng)下主流消費(fèi)者需求的65W氮化鎵快充充電器。這款充電器配置2C1A三個(gè)主流USB接口，不僅支持最大65W快充，還支持45W+20W等輸出策略，此外這款充電器還支持國內(nèi)新興的UFCS融合快充，可以說完全是一款針對國內(nèi)市場推出的快充產(chǎn)品。下面充電頭網(wǎng)就對其進(jìn)行拆解，看看做工用料如何?；萜?5W氮化鎵快充充電器開箱包
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?氮化鎵介紹
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