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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> ?氮化鎵

          氮化鎵基高亮度LED核心專利分析

          • 目前,世界范圍內(nèi)在GaN基高亮度LED及半導體全固態(tài)照明光源的研發(fā)方面居于領先水平的公司主要有:美國的Lumileds、HP/Agilent和Cree,日本的Nichia、ToyodaGosei、Sony、Toshiba和其他綜合性大公司(如NEC、Matsushita、
          • 關鍵字: LED  氮化鎵  高亮度  分析    

          “主流GaN”的發(fā)展和未來

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
          • 關鍵字: GaN  恩智浦  氮化鎵  射頻功率晶體管  

          IR率先推出氮化鎵集成功率級器件iP2010和iP2011

          •   國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出行業(yè)首個商用集成功率級產(chǎn)品系列,采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術(shù)平臺。嶄新的iP2010和iP2011系列器件是為多相和負載點 (POL) 應用設計的,包括服務器、路由器、交換機,以及通用POL DC-DC轉(zhuǎn)換器。   iP2010和iP2011集成了非常先進的超快速PowIRtune驅(qū)動器IC,并匹配一個多開關單片氮化鎵功率器件。這些器件貼裝在一個倒裝芯片封裝平臺上,可帶來比最先進的硅集成功率級器件
          • 關鍵字: IR  功率器件  氮化鎵  DC-DC  
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          ?氮化鎵介紹

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