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兩根內(nèi)存就是雙通道？網(wǎng)上傳的不靠譜
- DIY玩家都知道雙通道是一種內(nèi)存控制和管理技術,通過同時向兩根內(nèi)存中讀寫數(shù)據(jù)來實現(xiàn)雙倍的內(nèi)存帶寬,也就可以提升電腦的性能。雙通道內(nèi)存的原理很簡單,但是實踐中卻會有各種問題,比如你原來是雙4G,現(xiàn)在買了一個8G組成16G內(nèi)存,要實現(xiàn)雙通道應該怎么裝呢?我們來介紹一下雙通道的實現(xiàn)方法,首先是你的主板和CPU得支持雙通道,別以為主板有2個甚至4個內(nèi)存插槽就能搭建雙通道了。雖然主流的主板和CPU都支持雙通道,但是也有“另類”不支持,你可要了解清楚。其次是你得有兩根內(nèi)存,這同樣不是廢話。網(wǎng)上有說法是兩根內(nèi)存的品牌,
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那些年對內(nèi)存頻率的誤解 今天就把它結了
- 頻率,是衡量內(nèi)存性能關鍵的指標之一。同CPU主頻一樣,內(nèi)存頻率通常用來表示內(nèi)存的運行速度,并以MHz作為計量單位。內(nèi)存發(fā)展至今,已經(jīng)來到了DDR4時代。從2133MHz、2400MHz的入門頻率到3000、3600MHz的主流頻率,再到4000MHz甚至更高的頻率,多種多樣的頻率極大豐富了我們的選擇。但我們也可以看到,隨著頻率的提高,內(nèi)存的售價往往也更高。從某種程度上而言,內(nèi)存的頻率,決定了內(nèi)存售價的高低。那內(nèi)存是不是越貴越好呢?換句話說,我們是否真的需要那么高的頻率?今天就把內(nèi)存頻率的那些事兒,一次性給
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兆易創(chuàng)新募資33.2億元研發(fā)DRAM內(nèi)存 最快2021年量產(chǎn)
- 國內(nèi)最大的NOR閃存公司兆易創(chuàng)新上周末發(fā)表公告，宣布向10位投資者定向募集33.2億元資金，主要用于DRAM內(nèi)存研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，最快2021年開始量產(chǎn)。在募資公告中，兆易創(chuàng)新公布了這個項目的預計實施時間及整體進度安排，具體如下：·2020年，兆易創(chuàng)新將啟動首款DRAM芯片產(chǎn)品定義，包括市場定位、產(chǎn)品規(guī)格及芯片設計工藝?！?020年，兆易創(chuàng)新將定義首款芯片的生產(chǎn)職稱，并將經(jīng)過驗證后的設計開展流片試樣，反復修改直至通過系統(tǒng)驗證。·2021年，對首款芯片試樣進行封裝測試，并送交系統(tǒng)芯片商進行功能認證，并最終通過客
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國產(chǎn)雄起！合肥長鑫19nm DRAM內(nèi)存芯片產(chǎn)能增加
- 存儲器產(chǎn)品占到了我國每年進口半導體芯片中的大頭，其中DRAM內(nèi)存芯片占比最高，有20%以上。最新報道稱，合肥長鑫正逐步提到19nm DRAM芯片的產(chǎn)能，目標是月產(chǎn)4萬片晶圓。在9月份開幕的201 9世界制造業(yè)大會上，合肥長鑫公司宣布總投資1500億元的合肥長鑫內(nèi)存芯片自主制造項目投產(chǎn)，將生產(chǎn)國產(chǎn)第一代10nm級8Gb DDR4內(nèi)存。長鑫存儲董事長兼首席執(zhí)行官朱一明介紹，投產(chǎn)的8Gb DDR4通過了多個國內(nèi)外大客戶的驗證，今年底正式交付，另有一款供移動終端使用的低功耗產(chǎn)品也即將投產(chǎn)。據(jù)悉，長鑫的DRAM技術
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DRAM內(nèi)存芯片價格暫時平穩(wěn)：四季度或進一步下跌
- 連續(xù)經(jīng)歷N個月下跌后，DRAM內(nèi)存芯片的價格在8月和9月份君保持了基本穩(wěn)定。DRAMeXchange采集的數(shù)據(jù)顯示，DDR4-2133 8Gb（1GB）PC芯片在9月結束后的均價為2.94美元，和上月完全持平（約合21元）。不過，業(yè)內(nèi)專家認為，上述局面僅僅是供銷商臨時穩(wěn)定價格措施起效的體現(xiàn)，但從整體格局來講，內(nèi)存依然供過于求，換言之，第四季度的價格下跌或無法避免。盡管日本制裁韓國關鍵半導體原料，但似乎并未影響到DRAM。專家強調(diào)，服務器DRAM的價格跌幅比PC平臺會更猛烈。據(jù)悉，內(nèi)存不景氣主要與Intel
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紫光國微否認整合長江存儲 也無意進入閃存芯片制造業(yè)務
- 隨著紫光旗下的長江存儲在8月底量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，國產(chǎn)存儲器芯片已經(jīng)嶄露頭角，結束了存儲芯片國產(chǎn)率0%的尷尬。目前紫光集團下面有多個公司設計存儲芯片業(yè)務，定位有沖突的可能，不過紫光國微已經(jīng)否認了整合長江存儲的可能性。日前在投資者互動平臺上，有投資者詢問了紫光國微是否會整合長江存儲，但紫光國微方面表態(tài)謹慎，稱“長江存儲設立時，為避免潛在的同業(yè)競爭，紫光集團承諾，在本公司未來規(guī)劃發(fā)展存儲器芯片制造業(yè)務時，有權對長江存儲進行產(chǎn)業(yè)整合。鑒于紫光集團在存儲器領域的戰(zhàn)略布局，公司目前沒有計劃涉足存儲器芯片制造業(yè)
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三星率先開發(fā)出12層3D硅穿孔堆疊：HBM存儲芯片容量提至24GB
- 三星電子宣1布率先在業(yè)內(nèi)開發(fā)出12層3D-TSV(硅穿孔)技術。隨著集成電路規(guī)模的擴大,如何在盡可能小的面積內(nèi)塞入更多晶體管成為挑戰(zhàn),其中多芯片堆疊封裝被認為是希望之星。三星稱,他們得以將12片DRAM芯片通過60000個TSV孔連接,每一層的厚度僅有頭發(fā)絲的1/20。總的封裝厚度為720μm,與當前8層堆疊的HBM2存儲芯片相同,體現(xiàn)了極大的技術進步。這意味著,客戶不需要改動內(nèi)部設計就可以獲得更大容量的芯片。同時,3D堆疊也有助于縮短數(shù)據(jù)傳輸?shù)臅r間。三星透露,基于12層3D TSV技術的HBM存儲芯片將
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為什么買兩條8GB內(nèi)存比買一條16GB好？
- 有這么一個段子：“2016年開網(wǎng)吧，買了DDR4 8g內(nèi)存條400多根，一根180快塊錢。今年2017年，網(wǎng)吧賠了10多萬，昨天我把網(wǎng)吧電腦全賣了，二手內(nèi)存條賣500一根，然后賺回了開網(wǎng)吧的錢?！爆F(xiàn)在的PC內(nèi)存是拿來用的，但是兩年前的內(nèi)存是拿來炒的，雖然文章開頭有藝術加工的成分，但也足以可見2017年內(nèi)存價格之瘋狂，是當之無愧的最佳理財產(chǎn)品，價格走勢甚至可以與學區(qū)房一戰(zhàn)。隨著去年內(nèi)存的大幅下跌，現(xiàn)在DDR4內(nèi)存的容量幾乎都是8GB起步了，單條16GB容量內(nèi)存都已開始銷售。目前電商平臺所售的內(nèi)存有單條和套條
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