三星率先開發(fā)出12層3D硅穿孔堆疊：HBM存儲芯片容量提至24GB
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三星電子宣1布率先在業(yè)內(nèi)開發(fā)出12層3D-TSV(硅穿孔)技術(shù)。
本文引用地址：http://cafeforensic.com/article/201910/405463.htm隨著集成電路規(guī)模的擴大,如何在盡可能小的面積內(nèi)塞入更多晶體管成為挑戰(zhàn),其中多芯片堆疊封裝被認為是希望之星。三星稱,他們得以將12片DRAM芯片通過60000個TSV孔連接,每一層的厚度僅有頭發(fā)絲的1/20。
總的封裝厚度為720μm,與當前8層堆疊的HBM2存儲芯片相同,體現(xiàn)了極大的技術(shù)進步。
這意味著,客戶不需要改動內(nèi)部設計就可以獲得更大容量的芯片。同時,3D堆疊也有助于縮短數(shù)據(jù)傳輸?shù)臅r間。
三星透露,基于12層3D TSV技術(shù)的HBM存儲芯片將很快量產(chǎn),單片容量從目前的8GB來到24GB。
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