制造工藝 文章 進入制造工藝技術(shù)社區(qū)
漲知識！氮化鎵（GaN）器件結(jié)構(gòu)與制造工藝
- 氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同，本文通過深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu)，再對增強型和耗盡型的氮化鎵HEMT結(jié)構(gòu)進行對比，總結(jié)結(jié)構(gòu)不同決定的部分特性。此外，對氮化鎵功率器件的外延工藝以及功率器件的工藝進行描述，加深對氮化鎵功率器件的工藝技術(shù)理解。在理解氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和工藝的基礎(chǔ)上，對不同半導體材料的特性、不同襯底材料的氮化鎵HEMT進行對比說明。一、器件結(jié)構(gòu)與制造工藝（一）器件結(jié)構(gòu)對比GaN HEMT是基于AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)，目前市面上還未出現(xiàn)G
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半導體制造工藝——挑戰(zhàn)與機遇
- 半導體元件制造涉及到一系列復雜的制作過程，將原材料轉(zhuǎn)化為成品元件，以應(yīng)用于提供各種關(guān)鍵控制和傳感功能應(yīng)用的需求?！狝ndreas Bier | Sr Principal Product Marketing Specialist半導體制造涉及一系列復雜的工藝過程，從而將原材料轉(zhuǎn)化為最終的成品元件。該工藝通常包括四個主要階段：晶片制造、晶片測試組裝或封裝以及最終測試。每個階段都有其獨特的攻堅點和機遇。而其制造工藝也面臨著包括成本、復雜多樣性和產(chǎn)量在內(nèi)的諸多挑戰(zhàn)，但也為創(chuàng)新和發(fā)展帶來了巨大的機遇。通過應(yīng)對其中
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黃仁勛盛贊英特爾下一代制造工藝，有望委托代工英偉達 AI 芯片
- 5 月 30 日消息，黃仁勛昨天出席臺北電腦展主題演講后，今天再度現(xiàn)身與全球記者及分析師進行問答，共有約 150 名來自國內(nèi)外記者及分析師出席。他表示：公司供應(yīng)鏈將力求實現(xiàn)多元化，而這一點目前已經(jīng)做到了。H100 是由臺積電代工生產(chǎn)，部分產(chǎn)品也由三星代工生產(chǎn)，并表示對未來與英特爾合作搭載人工智能芯片持開放態(tài)度。黃仁勛透露，該公司最近已經(jīng)收到了基于英特爾下一代工藝節(jié)點的制造的測試芯片，測試結(jié)果良好?！澳阒溃覀円苍诤腿呛献魃a(chǎn)，我們也愿意和英特爾合作。帕特?格爾辛格之前表示正在評估該工藝，我們最近收到了
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TechInsights：關(guān)于納米的謊言
- 代工廠放任客戶編造制造工藝謊言許多人偶爾會謊報自己的年齡或體重，但若公司出現(xiàn)了謊報行為，則可視為虛假廣告或至少構(gòu)成了品牌稀釋。最近的半導體市場就出現(xiàn)了這種情況，當時，兩家領(lǐng)先的代工廠都放任客戶聲稱他們采用了4納米工藝，而實際使用的卻仍是5納米技術(shù)。這種情況讓雙方均形象受損，尤其是代工廠。而這背后，也意味著晶體管發(fā)展的緩慢。這個問題最初始于三星。在與臺積電下一個節(jié)點的長期競爭中，三星在交付5納米芯片的一年后宣布將于2021年底交付生產(chǎn)4納米芯片。如圖1所示，臺積電計劃在5納米和4納米節(jié)點之間用兩年時間，在2
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提高射頻功率放大器效率的技術(shù)路線及其比較
- 在向著4G手機發(fā)展的過程中，便攜式系統(tǒng)設(shè)計工程師將面臨的最大挑戰(zhàn)是支持現(xiàn)有的多種移動通信標準，包括GSM、GPRS、EDGE、UMTS、WCDMA和HSDPA，與此同時，要要支持100Mb/s～1Gb/s的數(shù)據(jù)率以及支持OFDMA調(diào)制、支持MIMO天線技術(shù)，乃至支持VoWLAN的組網(wǎng)，因此，在射頻信號鏈設(shè)計的過程中，如何降低射頻功率放大器的功耗及提升效率成為了半導體行業(yè)的競爭焦點之一。目前行業(yè)發(fā)展呈現(xiàn)三條技術(shù)路線，本文就這三條技術(shù)路線進行簡要的比較。 利用超CMOS工藝，從提高集成度來間接提升P
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半導體集成電路的發(fā)展及封裝工藝面臨的挑戰(zhàn)
- 半導體芯片結(jié)構(gòu)尺寸的縮小使得RC延遲成為制約集成電路性能進一步提高的關(guān)鍵性因素。轉(zhuǎn)向低k銅工藝技術(shù)是業(yè)界給出的解決方案。雙大馬士革工藝取代了傳統(tǒng)的鋁“減”工藝，成為低k銅互連材料的標準制造工藝。 為了能與芯片制造工藝完美結(jié)合，不產(chǎn)生可靠性問題，低k絕緣材料必須具備一系列期望的材料特性，對低k材料研發(fā)本身的挑戰(zhàn)在于：在獲得所需要的低介電常數(shù)的同時，低k材料還必須滿足良好的熱和機械特性。但目前并沒有完全符合這些期望特性的低k材料被制造出來，因而給半導體制造工藝帶來了挑戰(zhàn)。
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便攜式產(chǎn)品的單芯化成為趨勢
- 市場需求和技術(shù)支撐組成了便攜式產(chǎn)品走向全面單芯化的雙重推動力。用于便攜式產(chǎn)品的SoC正在大規(guī)模地包容包括ADC和PLL在內(nèi)的模擬電路，單芯化設(shè)計有助于減少元件數(shù)量、芯片占板面積、BOM以及芯片功耗等。 集眾多數(shù)字和模擬技術(shù)與一身的手機芯片是單芯化設(shè)計趨勢的一個縮影。一個集成了基帶、RF收發(fā)器、SRAM和PMU的SoC就幾乎組成一個完整的手機芯片方案。TI、英飛凌、NXP和高通已經(jīng)陸續(xù)推出了多個面向2G、2.5G和3G的單芯片方案。 即便是作為手機附屬功能，Wi-Fi和AM/FM接收器的
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制造工藝介紹
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