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制造工藝
制造工藝 文章 進(jìn)入制造工藝技術(shù)社區(qū)
RF功率MOSFET產(chǎn)品及其工藝開(kāi)發(fā)
- 摘 要：本文簡(jiǎn)述了RF 功率 MOSFET器件的應(yīng)用，分析了以L(fǎng)DMOSFET工藝為基礎(chǔ)的RF 功率 MOSFET的功能特性、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和制造工藝特點(diǎn)。文中結(jié)合6寸芯片生產(chǎn)線(xiàn)，設(shè)計(jì)了產(chǎn)品的制造工藝流程，分析了制造工藝的難點(diǎn)，并提出了解決方案。關(guān)鍵詞：RF 功率 MOSFET；LDMOSFET；器件結(jié)構(gòu)；制造工藝 引言RF 功率 MOSFET的最大應(yīng)用是無(wú)線(xiàn)通訊中的RF功率放大器。直到上世紀(jì)90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET
- 關(guān)鍵字： LDMOSFET MOSFET RF RF專(zhuān)題 電源技術(shù) 功率 模擬技術(shù) 器件結(jié)構(gòu) 制造工藝
淺論臺(tái)灣放寬半導(dǎo)體投資限制
- 提起半導(dǎo)體制造，臺(tái)灣是全球工藝的領(lǐng)先者，而半導(dǎo)體制程則是臺(tái)灣少數(shù)幾個(gè)沒(méi)有對(duì)大陸開(kāi)放投資的項(xiàng)目。這一次，臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)主管機(jī)構(gòu)召開(kāi)“大陸投資政策審查會(huì)議”，會(huì)后宣布，茂德、力晶8英寸半導(dǎo)體廠(chǎng)項(xiàng)目(0.25)通過(guò)了政策審查，后續(xù)的0.18其實(shí)也已經(jīng)通過(guò)了審查，這對(duì)整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不得不說(shuō)是個(gè)震撼。 初看起來(lái)，0.18都已經(jīng)接近淘汰，0.25更是該走進(jìn)歷史的垃圾堆，但仔細(xì)研究卻并非這么簡(jiǎn)單。 &
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 制造工藝
ST的TCG 1.2可信平臺(tái)模塊進(jìn)軍0.15微米制造工藝
- 極具成本效益的TPM解決方案，專(zhuān)門(mén)為PC制造商和OEM廠(chǎng)商設(shè)計(jì)， 達(dá)到可信計(jì)算組最新標(biāo)準(zhǔn) 全球第一個(gè)推出完全符合TCG(可信計(jì)算組)TPM1.2規(guī)范的可信平臺(tái)模塊(TPM)的芯片制造商意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM)，又推出了一個(gè)采用該公司先進(jìn)的0.15微米CMOS EEPROM制造工藝的新模塊。新產(chǎn)品ST19NP18是在取得巨大成功的上一代ST19WP18 TPM的基礎(chǔ)上改進(jìn)而成的，制造技術(shù)采用了能夠給PC制造商帶來(lái)更多成本效益的0.15微米制造工藝。 安全芯片T
- 關(guān)鍵字： 0.15微米 1.2可信平臺(tái)模塊 ST TCG 單片機(jī) 嵌入式系統(tǒng) 意法半導(dǎo)體 制造工藝 模塊
制造工藝介紹
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