飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 推出一款采用8-DIP封裝的高集成度FPS功率開關產品FSFM300，讓LCD顯示器和電視機、機頂盒及DVD播放器設計人員無需采用散熱片，即能夠實現高達30W的輸出功率，使到LCD顯示器的外形更小巧，并降低設計的總體成本。FSFM300是高集成度的綠色FPS開關，在成本和散熱性能都較好的8-DIP封裝內集成了脈寬調制 (PWM) IC和耐雪崩SenseFET MOSFET。新產品通過在芯片中集成SenseFET，實現較其它解決方案更少的
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Fairchild FPS 功率開關 FSFM300
意法半導體推出STC03DE220HV ESBT（發(fā)射極開關雙極晶體管）功率開關，新產品使設計工程師能夠提高單相和三相應用輔助開關電源的能效，降低產品的成本、組件數量和尺寸。
STC03DE220HV是額定擊穿電壓2200V的ST ESBT新系列的首款產品。在電源電壓90V AC到690V AC的通用輸入轉換器中，新產品讓設計工程師采用單功率開關的反激式拓撲。使用一個通用的硬件平臺，再配合適合的控制器如L6565，ST完整的ESBT產品讓設計工程師能夠開發(fā)最大功率達到250W的準諧振轉換器。
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ST 意法半導體 功率開關 ESBT
引言
在工作于自激振蕩模式的SMPS中，需要檢測磁芯的完全去磁狀態(tài)。去磁檢測的最新技術基于對與變壓器主繞組耦合的輔助繞組的使用。此繞組可對磁芯實際去磁后出現的零電壓進行檢測(ZCD)。在準諧振工作中，重新啟動新一輪導通周期的最佳時機位于功率MOSFET漏極電壓的“谷點”處。電壓ZCD和漏極電壓谷點之間的時間間隔取決于漏極振鈴周期。
本文描述了一種被稱為SOXYLESS的新技術，它無需采用輔助繞組和時間補償元件就能進行“谷點”檢測。
So
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安森美 功率開關 電容 磁芯去磁檢測
飛兆半導體推出MicroFET功率開關產品FDMJ1023PZ和FDFMJ2P023Z，適用于充電、異步DC/DC和負載開關等低功耗 (<30V) 應用。這些功率開關可在低至1.5V的柵級驅動電壓下工作，同時提供較之于其它解決方案降低75% 的RDS(ON)和降低66% 的熱阻。FDMJ1023PZ和FDFMJ2P023Z采用飛兆半導體先進的PowerTrench® 技術，封裝為2.0mm x 1.6mm SC-75，較3 x 3mm SSOT-6封裝及SC-70封裝體積分別減小65%
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模擬技術 電源技術 飛兆半導體 MicroFET 功率開關 工業(yè)控制
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出綠色FPS e-Series 的全新飛兆功率開關(FPS) 產品系列，可為DVD播放器、機頂盒、LCD顯示器和其它25W及更低的電源設計提供高能效和高系統(tǒng)可靠性。這些綠色FPS產品以飛兆半導體專有的谷底導通(valley switching) 技術為基礎，與傳統(tǒng)的硬開關轉換器拓撲相比，能夠提高功率轉換效率1%，并降低EMI的量可達5dB。這些高度集成的FPS器件結合了完全達到額定雪崩值SenseFET、電流模式脈沖寬度調制 (PW
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e-SeriesTM FPSTM 電源技術 飛兆 功率開關 模擬技術
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