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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 半導體

          西進大陸是企業(yè)全球化重要策略

          • 臺灣產業(yè)的西進大陸動作,引起新政府的諸多疑慮,但此次來臺叁與學術會議的美國知名學府華盛頓大學商務學院院長古博達表示,企業(yè)赴國外投資是無可阻擋的全球化趨勢
          • 關鍵字: 西進大陸  半導體  

          2000年10月10日,Jack Kilby 榮獲諾貝爾物理學獎

          •   Jack?Kilby?所發(fā)明的集成電路使微電子學成為所有現(xiàn)代技術的基礎。2000?年,為表彰其在這一領域的突出貢獻,諾貝爾獎委員會授予Jack?Kilby??當年諾貝爾物理學獎。
          • 關鍵字: TI  半導體  

          2000年5月14日,Maxim成立上海辦事處

          •   2000年5月14日,Maxim成立上海辦事處
          • 關鍵字: Maxim  半導體  

          1999年3月,信產部研制出國內第一臺8英寸硅片用擴散爐

          •   1999年3月,信息產業(yè)部第48所研制出國內第一臺8英寸硅片用擴散爐。
          • 關鍵字: 半導體  硅片  

          1998年,中興通訊設立美國研究所

          •   1998年,中興通訊設立美國研究所(新澤西、圣地亞哥、硅谷3家)。
          • 關鍵字: 中興通訊  半導體  

          1998年,中興通訊獲巴基斯坦交換總承包項目

          •   1998年,中興通訊獲巴基斯坦交換總承包項目,金額為9700萬美元,是當時中國通信制造企業(yè)在海外獲得的最大一個通信“交鑰匙”工程項目,令世界矚目。
          • 關鍵字: 中興通訊  半導體  

          1997年12月31日,Maxim成立北京辦事處,設立樣品中心

          •   1997年12月31日,Maxim成立北京辦事處,設立樣品中心
          • 關鍵字: Maxim  半導體  

          1997年,中興通訊在深交所A股上市

          1996年1月,首鋼日電技術升級項目實施

          •   1996年1月,首鋼日電技術升級項目實施,將中國IC制造工藝水平提升到6英寸,0.5微米。
          • 關鍵字: 半導體  集成電路  

          1995年,中興通訊啟動國際化戰(zhàn)略,1996年獲得孟加拉交換總承包項目

          •   1995年,中興通訊啟動國際化戰(zhàn)略,1996年獲得孟加拉交換總承包項目。
          • 關鍵字: 中興通訊  半導體  

          1993年3月,國務院提出的機構改革方案

          •   1993年3月,八屆人大第一次會議第四次全體會議審議批準了國務院提出的機構改革方案,其中包括撤銷機械電子工業(yè)部、中國電子工業(yè)總公司和組建機械工業(yè)部、電子工業(yè)部。
          • 關鍵字: 半導體  集成電路  

          1993年1月,國務院國辦發(fā)【1993】1號文

          •   1993年1月,國務院國辦發(fā)【1993】1號文《國務院辦公廳關于成立集成電路專項領導小組的通知》。
          • 關鍵字: 半導體  集成電路  

          1993年,深圳中興新通訊設備有限公司成立

          •   1993年,深圳中興新通訊設備有限公司成立(由航天系統(tǒng)691廠、深圳廣宇工業(yè)集團公司與中興維先通共同投資組建),首創(chuàng)“國有民營”經(jīng)營機制。
          • 關鍵字: 中興通訊  半導體  

          1989年8月8日,中國華晶電子集團公司成立

          •   1989年8月8日,742廠和永川半導體研究所無錫分所合并成立了中國華晶電子集團公司。
          • 關鍵字: 華晶  半導體  

          1988年3月1日,Maxim在NASDAQ上市

          •   1988年3月1日,Maxim在NASDAQ上市
          • 關鍵字: Maxim  半導體  
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          半導體介紹

          semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負的電阻溫度系數(shù)的物質。半導體室溫時電阻率約在10-5~107歐·米之間,溫度升高時電阻率指數(shù)則減小。半導體材料很多,按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導體;化合物半導體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細 ]
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