基本半導(dǎo)體文章進(jìn)入基本半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)

基本半導(dǎo)體承辦中日韓第三代半導(dǎo)體技術(shù)研討會(huì)

　　11月5日，在第二屆國(guó)際電力電子技術(shù)與應(yīng)用會(huì)議暨博覽會(huì)期間，來(lái)自中國(guó)、日本和韓國(guó)的第三代半導(dǎo)體專家齊聚基本半導(dǎo)體，參加第三代半導(dǎo)體功率器件先進(jìn)應(yīng)用技術(shù)研討會(huì)?！　〕鱿瘯?huì)議的嘉賓包括清華大學(xué)孫凱副教授和鄭澤東副教授、上海交通大學(xué)馬柯博士、華中科技大學(xué)蔣棟教授、長(zhǎng)岡技術(shù)科學(xué)大學(xué)伊東淳一教授、東京都立大學(xué)和田圭二副教授、韓國(guó)亞洲大學(xué)Kyo-Beum Lee教授、奧爾堡大學(xué)王雄飛博士和楊永恒博士等多所知名高校的專家學(xué)者和基本半導(dǎo)體研發(fā)團(tuán)隊(duì)。與會(huì)嘉賓分享了各自在第三代半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域的最新研究主題和方向，
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基本半導(dǎo)體榮獲“2018年度深圳市人才伯樂(lè)獎(jiǎng)”

　　近日，從深圳市人力資源和社會(huì)保障局傳來(lái)喜訊，基本半導(dǎo)體憑借在人才引進(jìn)方面的突出成果，獲評(píng)“2018年度深圳市人才伯樂(lè)獎(jiǎng)”?！　∩钲谑腥瞬挪畼?lè)獎(jiǎng)是由深圳市政府設(shè)立，旨在鼓勵(lì)企事業(yè)單位、人才中介組織等引進(jìn)和舉薦人才，以增強(qiáng)企業(yè)科技創(chuàng)新能力，提升城市核心競(jìng)爭(zhēng)力。每年市政府通過(guò)評(píng)選伯樂(lè)獎(jiǎng)對(duì)在本市人才培養(yǎng)、引進(jìn)過(guò)程中作出貢獻(xiàn)的單位及個(gè)人給予表彰和獎(jiǎng)勵(lì)?！　』景雽?dǎo)體是第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的高新技術(shù)企業(yè)，從創(chuàng)立之初就非常重視人才的引進(jìn)和培養(yǎng)。作為一家由海歸博士創(chuàng)立的公司，基本半導(dǎo)體依托廣泛的海外資源，成功引進(jìn)了來(lái)自英
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基本半導(dǎo)體成功主辦第二屆中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇

　　10月24日，由青銅劍科技、基本半導(dǎo)體、中歐創(chuàng)新中心聯(lián)合主辦的第二屆中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇在深圳會(huì)展中心成功舉行。　　本屆高峰論壇和第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟達(dá)成戰(zhàn)略合作，與第十五屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇暨2018國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇同期舉行，來(lái)自中國(guó)、歐洲及其他國(guó)家的專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)袖同臺(tái)論劍，給現(xiàn)場(chǎng)觀眾帶來(lái)了一場(chǎng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的盛宴?！　×⒆銍?guó)際產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢(shì)，從全球視角全面探討第三代半導(dǎo)體發(fā)展的現(xiàn)狀與趨勢(shì)、面臨的機(jī)遇與挑戰(zhàn)，以及面向未來(lái)的戰(zhàn)略與思考是中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇舉辦的宗旨。目
關(guān)鍵字：基本半導(dǎo)體 3D SiC JBS二極管 4H 碳化硅PIN二極管第三代半導(dǎo)體中歐論壇

基本半導(dǎo)體推出高性能碳化硅肖特基二極管（SiC JBS）

　　碳化硅(SiC)功率器件的出現(xiàn)大大提升了半導(dǎo)體器件的性能，對(duì)電力電子行業(yè)的發(fā)展具有重要意義。作為最先實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的 SiC 器件，SiC JBS能提供近乎理想的動(dòng)態(tài)性能，基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的650 -1700V 3D SiC?系列碳化硅肖特基二極管(SiC JBS)已火熱上市，憑借其優(yōu)越性能廣受市場(chǎng)追捧。　　SiC JBS產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)　　作為單極型器件，SiC JBS在工作過(guò)程中沒(méi)有少數(shù)載流子儲(chǔ)存，其反向恢復(fù)電流主要取決于耗盡層結(jié)電容，反向恢復(fù)電荷以及反向恢復(fù)損耗比Si超快恢復(fù)二極管要低一到兩個(gè)數(shù)量級(jí)。更重
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3D SiC技術(shù)閃耀全場(chǎng)，基本半導(dǎo)體參展PCIM Asia引關(guān)注

　　6月26日-28日，基本半導(dǎo)體成功參展PCIM?Asia 2018上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)?！　』景雽?dǎo)體展臺(tái)以充滿科技感和未來(lái)感的藍(lán)白為主色調(diào)，獨(dú)有的3D SiC?技術(shù)和自主研發(fā)的碳化硅功率器件吸引了眾多國(guó)內(nèi)外參展觀眾的眼球?！　∪颡?dú)創(chuàng)3D SiC?技術(shù)　　展會(huì)期間，基本半導(dǎo)體技術(shù)團(tuán)隊(duì)詳細(xì)介紹了公司獨(dú)創(chuàng)的3D SiC?外延技術(shù)，該技術(shù)能夠充分利用碳化硅的材料潛力，通過(guò)外延生長(zhǎng)結(jié)構(gòu)取代離子注入，使碳化硅器件在高溫應(yīng)用中擁有更高的穩(wěn)定性。優(yōu)良的外延質(zhì)量和設(shè)計(jì)靈活性也有利于實(shí)現(xiàn)高電流密度的
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國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金總裁丁文武一行調(diào)研基本半導(dǎo)體

　　4月9日上午，國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金總裁丁文武一行蒞臨基本半導(dǎo)體考察調(diào)研?！　』景雽?dǎo)體董事長(zhǎng)汪之涵博士向丁文武介紹了公司自主研發(fā)的碳化硅功率器件產(chǎn)品，包括性能達(dá)到國(guó)際一流水平的碳化硅JBS二極管和MOSFET三極管，以及6英寸的3D碳化硅外延和晶圓片?！　‰S后丁文武一行聽(tīng)取了基本半導(dǎo)體總經(jīng)理和巍巍博士對(duì)公司發(fā)展情況的匯報(bào)。丁文武對(duì)基本半導(dǎo)體的技術(shù)創(chuàng)新和戰(zhàn)略定位予以充分肯定，并鼓勵(lì)公司團(tuán)隊(duì)再接再厲，立足創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)，不斷發(fā)展壯大，成為中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)?！　?guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金是為促進(jìn)集
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砥礪奮進(jìn)逐夢(mèng)前行，基本半導(dǎo)體總經(jīng)理和巍巍博士當(dāng)選中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)理事

　　12月19日，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)換屆大會(huì)暨第七屆會(huì)員大會(huì)、第七屆理事會(huì)第一次會(huì)議在上海召開(kāi)?；景雽?dǎo)體總經(jīng)理和巍巍博士受邀出席并當(dāng)選新一屆中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)理事，以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體受到行業(yè)廣泛關(guān)注。　　2017年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重新進(jìn)入加速發(fā)展通道，預(yù)計(jì)全年市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)至3465億美元，中國(guó)市場(chǎng)成全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)引擎，近三年來(lái)市場(chǎng)規(guī)模都以超過(guò)全球20%的速度快速增長(zhǎng)。與此同時(shí)，發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)上升到國(guó)家戰(zhàn)略，在政策和市場(chǎng)的雙重驅(qū)動(dòng)下，第三代半導(dǎo)體行業(yè)將迎來(lái)增長(zhǎng)爆發(fā)期?！　」I(yè)和信息化部
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基本半導(dǎo)體介紹

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