碳化硅功率器件 文章 進(jìn)入碳化硅功率器件技術(shù)社區(qū)
安森美和極氪簽署碳化硅功率器件長期供應(yīng)協(xié)議
- 2023 年 4 月 26日—智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者安森美(onsemi,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)和豪華智能純電品牌極氪智能科技(ZEEKR)宣布雙方簽署長期供應(yīng)協(xié)議(LTSA)。安森美將為極氪提供EliteSiC碳化硅(SiC)功率器件,以提高其智能電動汽車(EV)的能效,從而提升性能,加快充電速度,延長續(xù)航里程。極氪將采用安森美的M3E 1200V EliteSiC MOSFET,以配合其不斷擴(kuò)大的高性能純電車型產(chǎn)品陣容,實現(xiàn)更強(qiáng)的電氣和機(jī)械性能及可靠性。這些功率器件提供更高的
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博世創(chuàng)業(yè)投資公司投資基本半導(dǎo)體,助力第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展
- 近日,隸屬于博世集團(tuán)的羅伯特·博世創(chuàng)業(yè)投資公司(RBVC)已完成對基本半導(dǎo)體的投資?;景雽?dǎo)體總部位于深圳,是中國領(lǐng)先的碳化硅功率器件提供商之一。碳化硅是第三代半導(dǎo)體的代表材料。采用碳化硅的功率半導(dǎo)體以更具優(yōu)勢的性能正逐步取代硅基半導(dǎo)體,廣泛應(yīng)用在新能源汽車、 充電樁、5G基建、特高壓、城際高鐵和軌道交通、大數(shù)據(jù)中心等。今后五年是第三代半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的窗口期。博世創(chuàng)業(yè)投資公司合伙人蔣紅權(quán)博士表示:“中國是全球最大的電力電子市場?;景雽?dǎo)體自主研發(fā)的產(chǎn)品及本地可控的供應(yīng)鏈可滿足快速增長的中國市場需
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基本半導(dǎo)體完成數(shù)億元B輪融資,打造行業(yè)領(lǐng)先的碳化硅IDM企業(yè)
- 2020年12月31日,致力于碳化硅功率器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的國內(nèi)第三代半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)基本半導(dǎo)體宣布完成數(shù)億元人民幣B輪融資,由聞泰科技領(lǐng)投,深圳市投控資本、民和資本、屹唐長厚、四海新材料等機(jī)構(gòu)跟投,原股東力合資本追加投資。據(jù)透露,本輪融資基于基本半導(dǎo)體發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃,引入了對第三代半導(dǎo)體的研發(fā)、制造和市場環(huán)節(jié)具有重要價值的戰(zhàn)略投資方。所融資金將主要用于加強(qiáng)碳化硅器件的核心技術(shù)研發(fā)、重點(diǎn)市場拓展和制造基地建設(shè),特別是車規(guī)級碳化硅功率模塊的研發(fā)和量產(chǎn)?;景雽?dǎo)體成立于2016年,核心研發(fā)團(tuán)隊成員包括來自清華大
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創(chuàng)新引領(lǐng)發(fā)展、合作共贏未來——2020中歐第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高峰論壇在深圳成功召開
- 11月20日,由中國科學(xué)技術(shù)協(xié)會與深圳市人民政府共同主辦,中國科協(xié)企業(yè)創(chuàng)新服務(wù)中心、深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會等單位承辦,深圳市科技開發(fā)交流中心、深圳中歐創(chuàng)新中心等單位執(zhí)行,基本半導(dǎo)體等單位協(xié)辦的“2020中歐科技創(chuàng)新合作發(fā)展論壇”分論壇——“2020中歐第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高峰論壇”在深圳五洲賓館隆重舉行。論壇圍繞第三代半導(dǎo)體行業(yè)的國際合作、市場熱點(diǎn)和技術(shù)前沿話題,邀請中外半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)<覍W(xué)者進(jìn)行經(jīng)驗分享,探討中歐半導(dǎo)體合作發(fā)展新路徑。深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會副主席張治平在致辭中表示,深圳市政府高度重視半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,推
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3D SiC技術(shù)閃耀全場,基本半導(dǎo)體參展PCIM Asia引關(guān)注
- 6月26日-28日,基本半導(dǎo)體成功參展PCIM?Asia 2018上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會?! 』景雽?dǎo)體展臺以充滿科技感和未來感的藍(lán)白為主色調(diào),獨(dú)有的3D SiC?技術(shù)和自主研發(fā)的碳化硅功率器件吸引了眾多國內(nèi)外參展觀眾的眼球。 全球獨(dú)創(chuàng)3D SiC?技術(shù) 展會期間,基本半導(dǎo)體技術(shù)團(tuán)隊詳細(xì)介紹了公司獨(dú)創(chuàng)的3D SiC?外延技術(shù),該技術(shù)能夠充分利用碳化硅的材料潛力,通過外延生長結(jié)構(gòu)取代離子注入,使碳化硅器件在高溫應(yīng)用中擁有更高的穩(wěn)定性。優(yōu)良的外延質(zhì)量和設(shè)計靈活性也有利于實現(xiàn)高電流密度的
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碳化硅功率器件介紹
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