存儲(chǔ)器 文章 進(jìn)入存儲(chǔ)器技術(shù)社區(qū)
中天弘宇：攻克核心設(shè)計(jì)缺陷 重建NOR閃存新生
- 閃存是當(dāng)今數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的重要介質(zhì)之一，主流的閃存體系有NAND和NOR兩種。不過隨著半導(dǎo)體工藝不斷發(fā)展，相比于NAND技術(shù)的快速演進(jìn)，NOR技術(shù)似乎在幾年前工藝就遲滯不前，因?yàn)榇嬖诓糠衷O(shè)計(jì)缺陷而讓NOR閃存無法繼續(xù)跟進(jìn)先進(jìn)工藝成為了阻礙NOR閃存大規(guī)模應(yīng)用的關(guān)鍵。不過，因?yàn)橹袊髽I(yè)中天弘宇集成電路有限公司的潛心研究，NOR閃存的應(yīng)用也許將重獲新生。 “我們經(jīng)過了近十年的研發(fā)積累，完成了對原有NOR閃存架構(gòu)的大膽創(chuàng)新，也可以說是一個(gè)完全的顛覆。我們沿用了整個(gè)NOR的架構(gòu)，但和英特爾最早發(fā)明的NOR完全不是一回事
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DRAM降價(jià)將會(huì)比預(yù)期更猛，明年對于存儲(chǔ)器來說將是難熬的一年
- DRAM內(nèi)存降價(jià)已是必然，內(nèi)存大廠已紛紛消減明年DRAM產(chǎn)能。不過這內(nèi)存漲的時(shí)候猛漲不止，降的時(shí)候看來勢頭會(huì)比預(yù)期更狠?！ ∪疸y分析師TimothyArcuri日前發(fā)布了關(guān)于內(nèi)存市場的分析報(bào)告，雖然維持美光公司的中性評級(jí)，但他下調(diào)了美光的目標(biāo)股價(jià)，從52美元砍至41美元。他不看好美光股價(jià)的原因就是明年Q1季度內(nèi)存降價(jià)幅度要高于預(yù)期，之前分析認(rèn)為明年環(huán)比下架10-12%左右，但是新的數(shù)據(jù)顯示明年Q1季度內(nèi)存價(jià)格降幅達(dá)到10-15%，而且NAND閃存價(jià)格也會(huì)降10-15%。 此前，DRAMeXchang
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存儲(chǔ)器原廠Q3業(yè)績搶眼，但漲價(jià)優(yōu)勢不再，Q4風(fēng)光難續(xù)
- 前言：2018年Q3出貨旺季，在存儲(chǔ)器Bit出貨量增加帶動(dòng)下，存儲(chǔ)器原廠業(yè)績搶眼。然而，存儲(chǔ)器漲價(jià)優(yōu)勢不再，Q4財(cái)報(bào)恐難抵下滑之勢?！ 〈鎯?chǔ)器原廠Q3財(cái)報(bào)搶眼，但NAND價(jià)格大跌超60%，引原廠產(chǎn)能“緊急制動(dòng)” 2018年以來，F(xiàn)lash原廠持續(xù)擴(kuò)大64層3D TLC NAND供貨，且以256Gb和512Gb供貨為主，再加上美光和英特爾64層1Tb QLC NAND在市場應(yīng)用，導(dǎo)致市場供過于求。即使在Q3出貨旺季，NAND Flash價(jià)格也依然表現(xiàn)跌勢。據(jù)中國閃存市場ChinaFlashMarket
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美光宣布量產(chǎn)面向移動(dòng)應(yīng)用、業(yè)內(nèi)容量最高的單片式存儲(chǔ)器
- 美光科技股份有限公司(納斯達(dá)克代碼：MU)今天宣布，已經(jīng)開始量產(chǎn)業(yè)內(nèi)容量最高的首款單片12Gb低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率4x(LPDDR4x)DRAM，適用于移動(dòng)設(shè)備和應(yīng)用。該最新一代美光LPDDR4存儲(chǔ)器在功耗上做出了重大改進(jìn)，同時(shí)保持了業(yè)內(nèi)最高的LPDDR4時(shí)鐘頻率，從而為下一代手機(jī)和平板電腦提供高級(jí)性能。此外，美光的12Gb LPDDR4x實(shí)現(xiàn)了雙倍的存儲(chǔ)容量，與上一代產(chǎn)品相比，在不增加體積的情況下提供了業(yè)內(nèi)容量最高的單片LPDDR4?！ ∪斯ぶ悄?AI)、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)和4K視頻等計(jì)算型和數(shù)據(jù)密集型
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技術(shù)變革關(guān)鍵期，中國如何突圍存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)？
- 存儲(chǔ)器是信息系統(tǒng)的核心芯片，對于保障國家安全和信息安全具有重要意義。當(dāng)前以云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、人工智能為代表的新一代信息技術(shù)革命迅猛發(fā)展，引發(fā)了海量數(shù)據(jù)的增長，對存儲(chǔ)器的需求也在不斷增加。2017年，我國僅存儲(chǔ)器進(jìn)口規(guī)模就達(dá)到870億美元?！ 〗眨诙弥袊叨诵酒叻逭搲匍_。以“存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)：在開放與競爭中成長”為主題，與會(huì)專家對我國存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)發(fā)展策略進(jìn)行了探討：當(dāng)前，存儲(chǔ)器正處于技術(shù)變革的關(guān)鍵時(shí)期。既要推動(dòng)現(xiàn)有主流存儲(chǔ)器技術(shù)，產(chǎn)品的應(yīng)用發(fā)展，也要在新興存儲(chǔ)器方面有超前考慮，力爭為我國企業(yè)在存儲(chǔ)器領(lǐng)域
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中國存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟成立大會(huì)召開
- 2018年10月26日，中國存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(下稱“聯(lián)盟”)成立大會(huì)暨第一次會(huì)員大會(huì)在武漢召開。工業(yè)和信息化部副部長羅文出席大會(huì)并致辭?！ ×_文強(qiáng)調(diào)，存儲(chǔ)器是信息系統(tǒng)的基礎(chǔ)核心芯片。加快存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)發(fā)展既是補(bǔ)齊產(chǎn)業(yè)發(fā)展短板的必然要求，也是保障國家產(chǎn)業(yè)安全和信息安全的重要舉措。存儲(chǔ)器正處于技術(shù)變革的關(guān)鍵時(shí)期，這些都為我國打破主流存儲(chǔ)器領(lǐng)域空白、實(shí)現(xiàn)加速發(fā)展創(chuàng)造了有利條件?！ ×_文對聯(lián)盟的未來發(fā)展提出三點(diǎn)建議：一是反映行業(yè)訴求、服務(wù)行業(yè)發(fā)展。吸納產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)包括應(yīng)用企業(yè)加入到聯(lián)盟中，發(fā)揮橋梁紐帶作用，代表
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e絡(luò)盟將Adesto全套特定應(yīng)用的非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品 納入其全球產(chǎn)品陣列
- 全球電子元器件與開發(fā)服務(wù)分銷商e絡(luò)盟宣布與物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代特定應(yīng)用創(chuàng)新半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)先提供商Adesto Technologies簽署全新分銷協(xié)議。該特許經(jīng)營權(quán)能夠讓OEM 客戶輕松獲取Adesto全套功能豐富、超低功耗的非易失性存儲(chǔ)器(NVM)產(chǎn)品組合，同時(shí)獲得e絡(luò)盟提供的銷售、技術(shù)和產(chǎn)品管理資源支持服務(wù)?！ desto存儲(chǔ)器針對工業(yè)、消費(fèi)、醫(yī)療和通信市場的 IoT 應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。其創(chuàng)新型存儲(chǔ)器產(chǎn)品組合包括用于數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用的DataFlash、針對電池供電設(shè)備的 Fusion Flash、面向就地執(zhí)
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新以太網(wǎng)供電標(biāo)準(zhǔn)：即將到來
- 今年的7月份標(biāo)志著IEEE 802.3bt建立6周年，IEEE標(biāo)準(zhǔn)項(xiàng)目將要使四對線以太網(wǎng)供電(PoE)標(biāo)準(zhǔn)化?！ ‘?dāng)我在2012年7月參加第一次IEEE標(biāo)準(zhǔn)會(huì)議時(shí)，我就開始為這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)做準(zhǔn)備。在8個(gè)月后的2013年3月，對興趣小組的邀請會(huì)如期舉行。一個(gè)研究小組一直工作到2013年11月，這個(gè)特別小組從那時(shí)起就一直在構(gòu)建此標(biāo)準(zhǔn)。 我們做了大量的工作，我很高興地宣布，該標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)批準(zhǔn)通過。修訂批準(zhǔn)后大約3-4個(gè)月，標(biāo)準(zhǔn)將正式發(fā)布。 該項(xiàng)目始于一個(gè)簡單的目標(biāo)，即增加從供電設(shè)備(PSE)傳輸?shù)绞茈娫O(shè)備(PD)
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集邦咨詢發(fā)布2019年十大科技趨勢：存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)再升級(jí)
- 全球市場研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢針對2019年科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展，發(fā)布十大科技趨勢： 存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)再升級(jí)，關(guān)鍵在次世代存儲(chǔ)器與封裝堆棧技術(shù) 展望2019年，由于制程轉(zhuǎn)進(jìn)已達(dá)到摩爾定律的物理極限，存儲(chǔ)器技術(shù)的發(fā)展將著墨于封裝方式的更新以及對次世代存儲(chǔ)器的探索。為解決現(xiàn)有單顆顆粒封裝時(shí)面臨的bandwidth的瓶頸，廠商企圖透過堆棧(類似TSV)的方式在有限的空間提高信息的傳輸量(throughput)，如目前廠商推出的High Bandwidth Memory(HBM)?！ ×硪环矫妫瑸闈M足邊緣計(jì)算需要更快的反應(yīng)時(shí)
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存儲(chǔ)器介紹
什么是存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲(chǔ)器的構(gòu)成
構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]
存儲(chǔ)器電路
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