從2016年第二季度開始，存儲器價格一路飆升，每個季度都在刷新著銷售額紀錄。

　　這一波漲價趨勢，也著實“養(yǎng)肥”了不少存儲器大廠。根據市場分析機構IC insights最新的報告顯示，三星憑借著強勢的存儲器業(yè)務已經力壓英特爾，連續(xù)兩年坐上了半導體銷售排行榜的龍頭寶座。此外，今年SK 海力士也是憑借其存儲業(yè)務，將臺積電擠下了前三的位置。

　　一方面，這一波漲價潮讓存儲器廠商獲利不少，但同時也讓終端廠商嘗到了切膚之痛，成本大增，利潤降低了不少。

　　現在廠商和消費者們終于熬到了頭，近日，市場研究機構DRAMeXchange指出，10月份的DRAM合約價已經正式走跌，除了宣告DRAM價格漲勢告一段落，供過于求加上高庫存水位的影響將導致價格跌幅劇烈。

　　存儲器價格為什么開始下降?

　　2017年底到2018年發(fā)生了什么，為什么存儲器的價格會有所下降?主要有以下幾點原因。

　　一是，市場對存儲器的需求有所放緩。集微網記者了解到，英特爾14納米x86 CPU 產能短缺，比特幣價格下跌造成的中低端挖礦機需求不振，及新興市場貨幣貶值造成的中低端手機銷售不佳，造成明年內存DRAM和閃存NAND預計將會有3-5%的供過于求。

　　二是，由于前兩年價格一路看漲的趨勢，各大內存廠產能“剎不住車”，導致NAND Flash快閃存儲器和DRAM價格開始持續(xù)走低，終結了持續(xù)兩年的市場供應緊俏狀況。

　　三是，從2016年開始，全球各大存儲芯片廠商紛紛開始升級，而供不應求的情況正是出現在技術轉換期內。而現在，隨著三星開始量產96層3D NAND芯片，東芝、西數也宣布量產96層QLC閃存顆粒等，也宣告技術轉換期的結束。

　　四是，來自客戶的壓力。手機廠商貢獻了全球三分之一的存儲芯片需求，許多手機廠商一直在對存儲器供應商施壓，想讓他們降低價格。

　　存儲器價格下降預計不超過18個月

　　然而，即便是近期存儲器的價格有所放緩，手機廠商們也不用太高興。據業(yè)內人士分析，此次價格下降趨勢預計不超過18個月。

　　據了解，英特爾14納米x86 CPU 短缺狀況應會于明年中之前改善，10納米x86 CPU應于明年下半年量產，AMD 7納米x86 CPU，7納米挖礦機及智能手機，5G手機等都將于明年上市取代中低端機型及對存儲器半導體產生正面影響。因此可以預估大多數的內閃存存儲器半導體公司會面對營業(yè)利潤率從近50%的高位下滑，但卻不至于步入虧損。

　　并且，存儲器廠商們也有進行一定的措施防止價格下滑太嚴重。

　　近日，韓國存儲器大廠SK海力士表示，為了應對2019年包括NAND Flash快閃存儲器及DRAM的價格下跌，公司決定不但將自2018年底前開始減少投資規(guī)模，還將監(jiān)控并調整2019年的產能。

　　同時，韓媒Digital Daily報道也稱，三星電子降低了利潤較低的移動DRAM生產比重，提高了利潤更高的DRAM供給，并且今年不會再進行DRAM和NAND Flash的新產線投資。

　　而另一個內存大廠美光由于存儲器需求和價格同步下滑，將會囤積庫存，以放緩其價格下跌的速度。根據美光的說法，控制產能之外還會加速研發(fā)，以此來搶占未來DRAM的高端市場，其16Gb DDR5芯片會在2019年底量產，基于18nm以下工藝，這就意味著，搭載DDR5內存模組的系統(tǒng)最快2020年面世。

　　“趕了個晚集”的中國廠商

　　但是，中國廠商似乎并沒有嘗到漲價潮的福利。

　　目前，國內存儲器主要依靠進口，數據顯示，我國每年進口的存儲器金額約為600億美元。存儲器可以說是扼住了中國半導體發(fā)展的咽喉。為此，國家下定決心發(fā)展存儲器產業(yè)。

　　國產存儲器廠商最近一段時間更是沒有閑著，在國內呼喚芯片等科技自主的聲音里，早就開始加快科研與投產進度。雖然還沒有給傳統(tǒng)存儲器廠商帶來實質影響，但也足夠給存儲器市場帶來一劑降溫藥。

　　最新的消息來自于長江存儲，其32層3D NAND將于今年底前投入量產，也就是現在了，并要爭取實現每月30萬片晶圓的產能。另外，兩天前爆出消息，有業(yè)界人士透露，長江存儲Xtacking架構的64層NAND樣品已經送至合作伙伴進行測試，讀寫質量大致穩(wěn)定，預計最快將在2019年第3季投產。長江存儲更計劃在2020年跳過96層3D NAND，直接進入128層堆疊。

　　在產能方面，長江存儲武漢存儲基地一期已經投入生產，原本該工廠計劃的是10萬片產能，但實際可以做到15萬。為了進一步擴大生產規(guī)模，武漢存儲基地二期和紫光成都存儲器制造基地已經開工，正在不斷擴大生產規(guī)模。

　　福建晉華最近則是傳出了不好的消息。由于與聯(lián)電有緊密的合作關系，共同研發(fā)DRAM，當被卷入聯(lián)電與美光的知識產權糾紛時，麻煩隨之而來，美國政府找各種理由，禁止美國等半導體設備廠商將相關設備和技術出售給福建晉華，隨之而來的是，聯(lián)電也中止了與晉華的合作。

　　合肥長鑫方面，則是在今年7月正式投片了DRAM，啟動試產8Gb DDR4工程樣品。這也是第一個中國大陸自主研發(fā)的DRAM芯片。

　　現在，國內存儲器廠商真正“見真功”和“花大錢”的時候到了。不過目前來看，國內三大存儲器廠商由于技術原因，與國際大廠的差距還很明顯，想要趕上漲價潮的紅利還需努力!