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	損耗分析
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          新型IGBT軟開關(guān)在應(yīng)用中的損耗分析
          
                                                            
            
                    	
          • 本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進(jìn)步。IGBT技術(shù)進(jìn)步主要體現(xiàn)在兩個(gè)方面：通過采用和改進(jìn)溝槽柵來(lái)優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用ldquo
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        IGBT  軟開關(guān)  損耗分析                            
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          電子輻照對(duì)功率雙極晶體管損耗分析
          
                                                            
            
                    	
          • 功率雙極晶體管由于其低廉的成本， 在開關(guān)電源中作為功率開關(guān)管得到了廣泛的應(yīng)用。應(yīng)用電子輻照技術(shù)可以減小少子壽命， 降低功率雙極晶體管的儲(chǔ)存時(shí)間、下降時(shí)間， 提高開關(guān)速度， 且一致性、重復(fù)性好， 成品率高， 
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        電子輻照  雙極晶體管  損耗分析                            
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	共2條
	1/1															1								
	
          
		                
          
	               	
          
                
          
        	
          
            
          
        
          
	
          
	
          
  		
          
    		
          
      			
          
          			
          損耗分析介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條損耗分析!
           
		      	歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)損耗分析的理解，并與今后在此搜索損耗分析的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		  		  		            
        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
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