晶體管 文章 進(jìn)入晶體管技術(shù)社區(qū)
氮化鎵（GaN）晶體管設(shè)備越薄越冷
- 伊利諾伊大學(xué)研究人員開發(fā)出新的氮化鎵(GaN)熱控制方法 GaN晶體管比傳統(tǒng)的硅晶體管具有更高的功率密度，可以在較高溫度下運行(500℃以下)，但像所有半導(dǎo)體那樣，GaN晶體管也產(chǎn)生過多的熱量，這會限制他們的性能。 基于散熱器和風(fēng)扇的冷卻方法增加成本和體積?，F(xiàn)在，一個來自伊利諾伊大學(xué)微納米技術(shù)實驗室的研究團(tuán)隊創(chuàng)造了一種新的方法，他們聲稱該方法簡單而且低成本。 采用計算機(jī)輔助設(shè)計，坎·拜拉姆的團(tuán)隊已經(jīng)證明，GaN層的厚度在過熱中起很大作用，影響設(shè)備的熱預(yù)期和最終性能。
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指針式萬用電表中晶體管直流電流放大倍數(shù)的測量原理和誤差分析
- 在指針式萬用電表中，測量晶體管直流電流放大倍數(shù)是通過直流電流表(通常在1.5V標(biāo)稱電壓下，標(biāo)準(zhǔn)量程為5mA)測量的。隨著電池電壓的減小，通過調(diào)節(jié)電阻檔的零歐姆電位器以使電流表達(dá)到滿度，由于電流表偏離標(biāo)準(zhǔn)量程，也就造成了測量誤差。文中分析了當(dāng)電池電壓從1.65V降至1.35V過程中所產(chǎn)生的誤差值。取其中的最大值作為技術(shù)指標(biāo)中的誤差值。而一般廠家在技術(shù)指標(biāo)中，沒有給出該誤差值或精度等級。
- 關(guān)鍵字： 萬用電表 晶體管 電流放大倍數(shù) 誤差分析 201609
【E問E答】晶體管工作原理是什么?
- 利用半導(dǎo)體的特性，每個管子工作原理個不同，你可以找機(jī)電方面的書看 下圖中的S是指源極(Source)，D是指漏極(Drain)，G是柵極(Gate)。晶體管的工作原理其實很簡單，就是用兩個狀態(tài)表示二進(jìn)制的“0”和“1”。 源極和漏極之間是溝道(Channel)，當(dāng)沒有對柵極(G)施加電壓的時候，溝道中不會聚集有效的電荷，源極(S)和漏極(S)之間不會有有效電流產(chǎn)生，晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)?？梢园堰@種關(guān)閉的狀態(tài)解釋為&l
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晶體管介紹
【簡介】
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關(guān)，和一般機(jī)械開關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關(guān)速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
半導(dǎo)體三極管，是內(nèi)部含有兩個P [ 查看詳細(xì) ]
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