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	晶體管
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          英特爾發(fā)布晶體管技術(shù)重大突破
          
                                                            
            
                    	
          • 英特爾公司宣布在基礎(chǔ)晶體管設(shè)計方面取得了一個最重大的突破，采用兩種完全不同以往的晶體管材料來構(gòu)建45納米晶體管的絕緣“墻”和切換“門”。在下一代英特爾®酷睿™2雙核、英特爾®酷睿™2四核以及英特爾®至強®系列多核處理器中，將置入數(shù)以億計的這種微觀晶體管或開關(guān)。英特爾公司同期宣布已有五種早期版本的產(chǎn)品正在運行，這是公司計劃中的15款45納米處理器產(chǎn)品的第一批。 在臺式機、筆記本和服務(wù)器領(lǐng)域，晶體管技術(shù)的提升使得公司能夠繼續(xù)創(chuàng)造出處理器計算速度的全新紀錄
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          • 關(guān)鍵字：
                        晶體管  英特爾                          
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          瑞薩硅鍺功率晶體管可降低無線LAN功耗
          
                                                            
            
                    	
          •     瑞薩科技公司(Renesas Technology Corp.)近日宣布，RQG2003高性能的功率硅鍺HBT實現(xiàn)了業(yè)界最高水平性能，可用于諸如無線LAN終端、數(shù)字無繩電話和RF(射頻)標簽讀/寫機等產(chǎn)品。  作為瑞薩科技目前HSG2002的后續(xù)產(chǎn)品，RQG2003是一種用于功率放大器的晶體管，它可以對傳輸無線LAN終端設(shè)備等RF前端功率進行放大。  　　RQG2003的功能總結(jié)如下：  　　業(yè)界最高的性能水
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          • 關(guān)鍵字：
                        功耗  晶體管  瑞薩                          
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          瑞薩科技開發(fā)用于45納米節(jié)點及以上工藝芯片晶體管技術(shù)
          
                                                            
            
                    	
          • 瑞薩科技開發(fā)用于45納米節(jié)點及以上工藝芯片的高性能、低成本晶體管技術(shù) --可以經(jīng)濟地生產(chǎn)帶有采用金屬（P型）和多晶硅（N型）柵極混合結(jié)構(gòu)的CMIS晶體管 而不必對現(xiàn)有的制造工藝進行重要改變— 瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）今天宣布，開發(fā)出一種可用于45nm（納米）節(jié)點及以上工藝微處理器和SoC（系統(tǒng)級芯片）產(chǎn)品的高性能和低成本晶體管技術(shù)。新開發(fā)的技術(shù)包括采用P型晶體管金屬柵極，以及N型晶體管傳統(tǒng)多晶硅柵極的混合結(jié)構(gòu)的高性能CMIS*1晶體管。它可以在不
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          • 關(guān)鍵字：
                        45納米節(jié)點  單片機  工藝芯片  晶體管  嵌入式系統(tǒng)  瑞薩科技                          
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          ST高效功率MOSFET晶體管提高照明應(yīng)用性能
          
                                                            
            
                    	
          •  意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM)推出了新系列功率MOSFET產(chǎn)品的第一款產(chǎn)品。 通態(tài)電阻極低，動態(tài)特性和雪崩特性非常優(yōu)異，新系列產(chǎn)品為客戶大幅度降低照明應(yīng)用的傳導損耗、全面提升效率和可靠性帶來了機會。 商用照明應(yīng)用市場對更高的功率密度和更低的成本的日益增長的需求激勵半導體制造商挑戰(zhàn)器件優(yōu)化的極限。新產(chǎn)品STD11NM60N就是一個這樣的挑戰(zhàn)半導體器件技術(shù)極限的實例，該產(chǎn)品采用ST自主開發(fā)的第二代 MDmeshTM 技術(shù)，最大通態(tài)電阻 RDS&nb
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          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  ST  電源技術(shù)  晶體管  模擬技術(shù)  消費電子  意法半導體  照明  消費電子                          
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          低頻功率放大器
          
                                                            
            
                    	
          • 功率放大是一種能量轉(zhuǎn)換的電路，在輸入信號的作用下，晶體管把直流電源的能量，轉(zhuǎn)換的電路。 ...
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          • 關(guān)鍵字：
                          放大器  晶體管  功率                            
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          一種改善DDS性能的倍頻方法
          
                                                            
                    
          
                
          
                                
          
                    
          安森美音頻晶體管可快速精確調(diào)整偏置
          
                                                            
            
                    	
          •   　安森美半導體(ON Semiconductor)日前推出ThermalTrak輸出晶體管新系列，具有內(nèi)部偏置控制的獨特功能，該器件為用于高端和具成本優(yōu)勢的消費電子音頻應(yīng)用及大功率專業(yè)聲音系統(tǒng)而設(shè)計，提高整體音質(zhì)，簡化設(shè)計。 　　安森美半導體的音頻輸出晶體管采用ThermalTrak專利技術(shù)，消除累積預(yù)熱時間，能快速精確地調(diào)整偏置。實時溫度檢測讓設(shè)計人員更精確地監(jiān)控工作溫度，提高音質(zhì)和偏置穩(wěn)定性。該器件系列無需輸出驅(qū)動補償電路和昂貴的人手偏置調(diào)整，大大簡化了放大器設(shè)計。 　　其中，
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          • 關(guān)鍵字：
                        安森美  晶體管  音頻                          
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          實現(xiàn)過載延遲的晶體管
          
                                                            
            
                    	
          • 盡管SMPS（開關(guān)電源）本身能防止永久性短路，但在遇到瞬時過載時有時會出問題。瞬時過載并非短路，但卻會使電源超出其標稱負載值。這種情況會在開關(guān)電源連接典型負載，如打印機頭和小型電機時發(fā)生。
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          • 關(guān)鍵字：
                        晶體管  延遲  過載  實現(xiàn)                          
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          1947年12月16日，晶體管誕生
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　1947年12月16日，貝爾實驗室的兩位研究員約翰·巴登和沃爾特·布拉頓發(fā)明了世界首個晶體管。
　　他們的設(shè)備叫做“點接觸晶體管”(point contract transistor)，當時它主要用來導電以及放大信號，現(xiàn)在，這些工作主要交由真空管等部件來完成了。
　　他們的同事威廉·肖克利隨后很快發(fā)明了“結(jié)型晶體管”(junction transistor)。盡管巴登與布拉頓是晶體管的第一批發(fā)明人，但肖克利的
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          • 關(guān)鍵字：
                        晶體管                          
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          晶體管介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	【簡介】
　　晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關(guān)，和一般機械開關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關(guān)速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
　　半導體三極管，是內(nèi)部含有兩個P		      	[ 查看詳細 ]
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		            
        		  		
  		  		
		
          
	
          
	
          

          

          
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