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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 柵極驅(qū)動(dòng)

          意法半導(dǎo)體車規(guī)八通道柵極驅(qū)動(dòng)引入專利技術(shù),降低電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的物料成本

          • 意法半導(dǎo)體 L99MH98 8通道柵極驅(qū)動(dòng)引入專利技術(shù),可構(gòu)建沒有電流檢測(cè)電阻的直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),從而降低耗散功率和物料成本。L99MH98 能夠獨(dú)立控制四路全橋預(yù)驅(qū)或八路半橋預(yù)驅(qū)或八路高邊/低邊預(yù)驅(qū),適用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)座椅、天窗、側(cè)滑門和電動(dòng)尾門等直流電機(jī)應(yīng)用。L99MH98內(nèi)置電荷泵,可用于驅(qū)動(dòng)反接保護(hù) MOSFET。L99MH98最大柵極驅(qū)動(dòng)電流可達(dá)120mA, 柵極驅(qū)動(dòng)能力可配置,滿足驅(qū)動(dòng)多個(gè)外部 MOSFET需求。三段式柵極控制分三步施加?xùn)艠O電流,最大程度降低電磁輻射。L99MH98內(nèi)置模數(shù)轉(zhuǎn)換器
          • 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體  柵極驅(qū)動(dòng)  電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)  

          高性能碳化硅隔離柵極驅(qū)動(dòng)器如何選型,一文告訴您

          • 電隔離式 (GI) 柵極驅(qū)動(dòng)器在優(yōu)化碳化硅 (SiC) MOSFET性能方面扮演著至關(guān)重要的角色,特別是在應(yīng)對(duì)電氣化系統(tǒng)日益增長(zhǎng)的需求時(shí)。隨著全球?qū)﹄娏υ诠I(yè)、交通和消費(fèi)產(chǎn)品中依賴性的加深,SiC技術(shù)憑借其提升效率和縮小系統(tǒng)體積的能力脫穎而出。本文為第二篇,將分享電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器的隔離能力評(píng)估 ,并介紹其典型的應(yīng)用市場(chǎng)與安森美(onsemi)可提供的高新能產(chǎn)品選型。隔離能力隔離能力由系統(tǒng)的工作電壓決定,而系統(tǒng)工作電壓與隔離能力成正比。隔離柵極驅(qū)動(dòng)器的關(guān)鍵參數(shù)之一是其隔離電壓額定值。正確的隔離額定值對(duì)于保護(hù)
          • 關(guān)鍵字: 中芯巨能  柵極驅(qū)動(dòng)  

          深度剖析IGBT柵極驅(qū)動(dòng)注意事項(xiàng)

          • IGBT晶體管的結(jié)構(gòu)要比 MOSFET 或雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 復(fù)雜得多。它結(jié)合了這兩種器件的特點(diǎn),并且有三個(gè)端子:一個(gè)柵極、一個(gè)集電極和一個(gè)發(fā)射極。就柵極驅(qū)動(dòng)而言,該器件的行為類似于 MOSFET。它的載流路徑與 BJT 的集電極-發(fā)射極路徑非常相似。圖 1 顯示了 n 型 IGBT 的等效器件電路。圖 1. IGBT的等效電路圖 2. IGBT的導(dǎo)通電流為了快速導(dǎo)通和關(guān)斷 BJT,必須在每個(gè)方向上硬驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O電流,以將載流子移入和移出基極區(qū)。當(dāng) MOSFET 的柵極被驅(qū)動(dòng)為高電平時(shí),會(huì)存在一個(gè)從雙
          • 關(guān)鍵字: 安森美  IGBT  柵極驅(qū)動(dòng)  

          如何通過實(shí)時(shí)可變柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度更大限度地提高SiC牽引逆變器的效率

          • 牽引逆變器是電動(dòng)汽車 (EV) 中消耗電池電量的主要零部件,功率級(jí)別可達(dá) 150kW 或更高。牽引逆變器的效率和性能直接影響電動(dòng)汽車單次充電后的行駛里程。因此,為了構(gòu)建下一代牽引逆變器系統(tǒng),業(yè)界廣泛采用碳化硅 (SiC) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 來實(shí)現(xiàn)更高的可靠性、效率和功率密度。圖 1 所示的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路 (IC) 提供從低電壓到高電壓(輸入到輸出)的電隔離,驅(qū)動(dòng)逆變器每相的高邊和低邊功率模塊,并監(jiān)測(cè)和保護(hù)逆變器免受各種故障的影響。根據(jù)汽車安全完整性等級(jí) (ASIL) 功能安全要求,柵極驅(qū)
          • 關(guān)鍵字: TI  柵極驅(qū)動(dòng)  

          優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)

          • 在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中,相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT,碳化硅(以下簡(jiǎn)稱“SiC”)MOSFET 有明顯的優(yōu)勢(shì)。使用硅MOSFET可以實(shí)現(xiàn)高頻(數(shù)百千赫茲)開關(guān),但它們不能用于非常高的電壓(>1 000 V)。而IGBT 雖然可以在高壓下使用,但其 “拖尾電流 “和緩慢的關(guān)斷使其僅限于低頻開關(guān)應(yīng)用。SiC MOSFET則兩全其美,可實(shí)現(xiàn)在高壓下的高頻開關(guān)。然而,SiC MOSFET 的獨(dú)特器件特性意味著它們對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路有特殊的要求。了解這些特性后,設(shè)計(jì)人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關(guān)性
          • 關(guān)鍵字: SiC MOSFET  柵極驅(qū)動(dòng)  安森美  

          具有集成反激式控制器的智能柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器

          • 通過集成反激式控制器,ACPL-302J 器件允許在器件旁邊放置更少的分立元件和更小的變壓器和電容器,從而減少設(shè)計(jì)的整體尺寸并限度地減少電磁干擾 (EMI) 和 IGBT 通道之間的噪聲耦合。通過減少設(shè)計(jì)中的這些元素,設(shè)計(jì)人員可以實(shí)現(xiàn)顯著的成本節(jié)約。新型 ACPL-302J 是一款智能柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器,可改進(jìn)隔離電源并簡(jiǎn)化柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)。ACPL-302J 具有用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的集成反激式控制器和全套故障安全 IGBT 診斷、保護(hù)和故障,提供完整的經(jīng)濟(jì)高效的柵極驅(qū)動(dòng)解決方案(圖 1)。該器件具有
          • 關(guān)鍵字: CODACA  柵極驅(qū)動(dòng)  

          使用隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)指南(三):設(shè)計(jì)要點(diǎn)和PCB布局指南

          • 本設(shè)計(jì)指南分為三部分,將講解如何為電力電子應(yīng)用中的功率開關(guān)器件選用合適的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,并介紹實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)。上兩期分別講解了隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的介紹與選型指南以及使用安森美(onsemi)隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的電源、濾波設(shè)計(jì)與死區(qū)時(shí)間控制,本文為第三部分,將為大家?guī)碓O(shè)計(jì)中的要點(diǎn)和PCB布局指南。設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)器VCC時(shí),關(guān)于上電延遲有哪些注意事項(xiàng)?對(duì)于所使用的驅(qū)動(dòng)器,要設(shè)計(jì)一個(gè)高能效且快速的電路,啟動(dòng)時(shí)間是一個(gè)重要因素。因此,啟動(dòng)時(shí)間必須要短。但是,啟動(dòng)時(shí)間受上電延遲的限制,上電延遲是指驅(qū)動(dòng)器使能到首次柵極輸出的時(shí)間。
          • 關(guān)鍵字: 安森美  柵極驅(qū)動(dòng)  

          高壓柵極驅(qū)動(dòng)IC自舉電路的設(shè)計(jì)與應(yīng)用指南

          • 本文講述了一種運(yùn)用功率型MOSFET和IGBT設(shè)計(jì)高性能自舉式柵極驅(qū)動(dòng)電路的系統(tǒng)方法,適用于高頻率,大功率及高效率的開關(guān)應(yīng)用場(chǎng)合。不同經(jīng)驗(yàn)的電力電子工程師們都能從中獲益。在大多數(shù)開關(guān)應(yīng)用中,開關(guān)功耗主要取決于開關(guān)速度。因此,對(duì)于絕大部分本文闡述的大功率開關(guān)應(yīng)用,開關(guān)特性是非常重要的。自舉式電源是一種使用最為廣泛的,給高壓柵極驅(qū)動(dòng)集成電路(IC)的高端柵極驅(qū)動(dòng)電路供電的方法。這種自舉式電源技術(shù)具有簡(jiǎn)單,且低成本的優(yōu)點(diǎn)。但是,它也有缺點(diǎn),一是占空比受到自舉電容刷新電荷所需時(shí)間的限制,二是當(dāng)開關(guān)器件的源極接負(fù)電
          • 關(guān)鍵字: onsemi  柵極驅(qū)動(dòng)  

          TI功能安全柵極驅(qū)動(dòng)診斷保護(hù)特性概述

          • TI推出的功能安全柵極驅(qū)動(dòng)UCC5870-Q1,旨在幫助客戶實(shí)現(xiàn)電驅(qū)系統(tǒng)功能安全ASIL-D等級(jí)。其內(nèi)部集成了豐富的保護(hù)以及診斷機(jī)制,對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)器本身以及開關(guān)管進(jìn)行保護(hù),可優(yōu)化設(shè)計(jì)成本,簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)復(fù)雜度。本文將對(duì)UCC5870-Q1內(nèi)置的這部分診斷保護(hù)機(jī)制進(jìn)行概述。柵極驅(qū)動(dòng)器保護(hù) 對(duì)UCC5870-Q1本身進(jìn)行監(jiān)控保護(hù)的機(jī)制主要是過溫警示(TWN),熱關(guān)斷(TSD)以及豐富的內(nèi)部自檢(BIST)。過熱保護(hù)(TWN和TSD)是在IC上電后運(yùn)行過程中持續(xù)監(jiān)控的。分成原邊和副邊的TWN和TSD。其中,T
          • 關(guān)鍵字: TI  柵極驅(qū)動(dòng)  

          東芝推出智能柵極驅(qū)動(dòng)光耦,有助于簡(jiǎn)化功率器件的外圍電路設(shè)計(jì)

          • 中國(guó)上海,2022年8月31日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)宣布擴(kuò)大其智能柵極驅(qū)動(dòng)光耦產(chǎn)品線,推出一款輸出電流為2.5A的智能柵極驅(qū)動(dòng)光耦---“TLP5222”。這是一種可為MOSFET或IGBT等功率器件提供過流保護(hù)的隔離柵極驅(qū)動(dòng)IC,內(nèi)置保護(hù)操作自動(dòng)恢復(fù)的功能。該產(chǎn)品于今日開始出貨。 TLP5222持續(xù)監(jiān)測(cè)其驅(qū)動(dòng)的功率器件的漏極-源極電壓(VDS)[1]或集電極-發(fā)射極電壓(VCE)[2]。內(nèi)置的過流檢測(cè)與保護(hù)功能可檢測(cè)出功率器件中因過流導(dǎo)致的任何VDS或VCE上升,并執(zhí)行
          • 關(guān)鍵字: 東芝  柵極驅(qū)動(dòng)  光耦  

          東芝推出五款新型MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)IC,助力移動(dòng)電子設(shè)備小型化

          • 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,在其TCK42xG系列MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)IC產(chǎn)品中新增五款適用于可穿戴設(shè)備等移動(dòng)電子設(shè)備的產(chǎn)品。該系列的新產(chǎn)品配備了過電壓鎖定功能,能根據(jù)輸入電壓控制外部MOSFET的柵極電壓。?? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  柵極驅(qū)動(dòng)  

          簡(jiǎn)單的速率控制技術(shù)可降低開通能耗

          •   Wolfgang?Frank?(英飛凌)  摘?要:電力電子系統(tǒng)(如馬達(dá))中的開關(guān)損耗降低受到電磁干擾(EMI)或開關(guān)電壓斜率等參數(shù)的限制。通常是通過選擇有效的功率晶體管柵極電阻來解決這一問題。但這在運(yùn)行中是無法自主進(jìn)行調(diào)整的?! ”疚膶⒔榻B一種通過并聯(lián)常規(guī)柵極驅(qū)動(dòng)芯片來攻克這一難題的簡(jiǎn)單方法。文中還介紹了與開通能耗改進(jìn)有關(guān)的表征數(shù)據(jù)的評(píng)估?! £P(guān)鍵詞:馬達(dá);開關(guān)損耗;EMI;開關(guān)電壓斜率;柵極驅(qū)動(dòng)  0 引言  連接MOS柵極功率晶體管的柵極電阻選型,一般有2個(gè)優(yōu)化目標(biāo)。首先,應(yīng)通過選擇電阻值較小的
          • 關(guān)鍵字: 202006  馬達(dá)  開關(guān)損耗  EMI  開關(guān)電壓斜率  柵極驅(qū)動(dòng)  

          一個(gè)用于驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)變壓器的簡(jiǎn)單電路

          • 在我的上一篇關(guān)于EE時(shí)代的電源技巧博文中,我討論了如何使用一個(gè)雙開關(guān)反激式電路來提升低功耗隔離式轉(zhuǎn)換器的效率。與單開關(guān)反激式電路相比,雙開關(guān)反激式電路的主要代價(jià)就是需要一個(gè)浮動(dòng)的高側(cè)驅(qū)動(dòng)。一個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)變
          • 關(guān)鍵字: 柵極驅(qū)動(dòng)  變壓器  

          IR推出高度緊湊的10A AUIR08152S柵級(jí)驅(qū)動(dòng)IC

          • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出高度緊湊的AUIR08152S車用柵級(jí)驅(qū)動(dòng)IC。新產(chǎn)品具備超過10A的大電流輸出,可以幫助汽車級(jí)和工業(yè)級(jí)大功率開關(guān)應(yīng)用縮減系統(tǒng)尺寸、提升性能。
          • 關(guān)鍵字: IR  柵極驅(qū)動(dòng)  

          飛兆下一代TINYBUCK?負(fù)載點(diǎn)調(diào)節(jié)器滿載效率提供高達(dá)15A的輸出電流

          • 服務(wù)器、平板電腦、筆記本電腦、電信、游戲和通用負(fù)載點(diǎn)(POL)調(diào)節(jié)器應(yīng)用設(shè)計(jì)人員正在不斷尋找能提升設(shè)計(jì)中效率的方法,以便滿足能源標(biāo)準(zhǔn)、延長(zhǎng)電池壽命并降低總體擁有成本。
          • 關(guān)鍵字: 飛兆  POL  柵極驅(qū)動(dòng)  
          共23條 1/2 1 2 »

          柵極驅(qū)動(dòng)介紹

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