死區(qū)時(shí)間 文章 進(jìn)入死區(qū)時(shí)間技術(shù)社區(qū)
理解MOSFET時(shí)間相關(guān)及能量相關(guān)輸出電容Coss(tr)和Coss(er)
- Understanding time-related and energy-related output capacitances Coss(tr) and Coss(er)劉松(萬國半導(dǎo)體元件(深圳)有限公司,上海 靜安 200070)??????摘要:本文論述了功率MOSFET數(shù)據(jù)表中靜態(tài)輸出電容Coss、時(shí)間相關(guān)輸出電容Coss(tr)和能量相關(guān)輸出電容Coss(er)的具體定義以及測量的方法,特別說明了在實(shí)際的不同應(yīng)用中,采用不同的輸出電
- 關(guān)鍵字: 輸出電容 死區(qū)時(shí)間 開關(guān)損耗 超結(jié) 201904
一種線性可調(diào)的死區(qū)產(chǎn)生電路
- 提出了一種新型的可調(diào)死區(qū)時(shí)間產(chǎn)生電路。該死區(qū)產(chǎn)生電路是通過改變電壓斜坡的斜率來調(diào)整死區(qū)時(shí)間,并且對死區(qū)時(shí)間與控制電壓的非線性進(jìn)行補(bǔ)償,提高了死區(qū)時(shí)間線性度和精度。該電路結(jié)構(gòu)簡潔、可調(diào)范圍廣、精度高,適用于各種半橋驅(qū)動(dòng)電路中。采用華虹0.5 μm的BCD工藝仿真驗(yàn)證了該電路,結(jié)果表明,當(dāng)外接電阻阻值為20 K~140 K范圍內(nèi),可以實(shí)現(xiàn)死區(qū)時(shí)間的線性高精度可調(diào),可調(diào)死區(qū)時(shí)間范圍為50 ns~250 ns。
- 關(guān)鍵字: 死區(qū)時(shí)間 延時(shí)電路 線性可調(diào) 高精度 201809
數(shù)字示波器死區(qū)時(shí)間和波形捕獲率影響測量結(jié)果
- 發(fā)展到今天,傳統(tǒng)的模擬示波器已經(jīng)漸漸淡出了人們的視野,數(shù)字示波器幾乎已經(jīng)取代模擬示波器成為硬件工程師手中電路調(diào)試的最常用的一種儀器設(shè)備了。你
- 關(guān)鍵字: 數(shù)字示波器 死區(qū)時(shí)間 波形捕獲率
如何計(jì)算示波器的死區(qū)時(shí)間
- 數(shù)字示波器的原理決定了波形觀測必然存在 死區(qū)時(shí)間,而死區(qū)時(shí)間的長短直接影響 示波器捕獲異常信號的能力。你當(dāng)前用的示波器的死區(qū)時(shí)間具體是多少,怎么去計(jì)算呢,答案就在此文揭曉。 1、采樣時(shí)間、死區(qū)時(shí)間和捕獲時(shí)間 數(shù)字示波器捕獲信號的過程是典型的“采集-處理-采集-處理”過程,如圖1所示為數(shù)字示波器的采集原理,一個(gè)捕獲周期由采樣時(shí)間和(處理時(shí)間)死區(qū)時(shí)間組成,如圖2所示。 圖1 示波器采集原理圖 采樣時(shí)間:是信號采樣存儲(chǔ)的過程。
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三相SPWM波形發(fā)生器的設(shè)計(jì)與仿真
- 本文提出了一種采用VHDL硬件描述語言設(shè)計(jì)新型三相正弦脈寬調(diào)制(SPWM)波形發(fā)生器的方法。該方法以直接數(shù)字頻率合成技術(shù)(DDS)為核心產(chǎn)生三相SPWM信號。并且利用VHDL設(shè)計(jì)了死區(qū)時(shí)間可調(diào)的死區(qū)時(shí)間控制器,解決了傳統(tǒng)的模塊電路等待方法很難產(chǎn)生帶精確死區(qū)時(shí)間控制的SPWM信號的問題。該方法在Quartus II 9.1環(huán)境平臺(tái)下進(jìn)行了仿真驗(yàn)證,并將設(shè)計(jì)程序下載到DE2-70實(shí)驗(yàn)板進(jìn)行實(shí)驗(yàn)測試,用示波器測試得到了死區(qū)時(shí)間可控制的SPWM波形。
- 關(guān)鍵字: VHDL SPWM DDS 死區(qū)時(shí)間 FPGA 201505
為何國產(chǎn)示波器廠家從來不愿提起波形刷新率?
- 沒有什么是完美的,示波器也不例外。數(shù)字示波器一直有個(gè)廠家不愿提起的問題,恐怕很多老工程師也沒太注意,那就是波形死區(qū)。我們通過數(shù)字示波器無法觀察到波形流中所有波形,觀察到的或許還不到1%。 圖1 死區(qū)時(shí)間 數(shù)字示波器在工作時(shí)總會(huì)先采集數(shù)據(jù),然后再對這些數(shù)據(jù)進(jìn)行處理和顯示,有一點(diǎn)必須了解,那就是示波器數(shù)據(jù)取樣速度遠(yuǎn)快于數(shù)據(jù)處理速度,使得它不得不在數(shù)據(jù)處理期間停止取樣,這樣必然導(dǎo)致死區(qū)t2內(nèi)的所有波形因沒有采集而丟失,示波器的基本原理如圖2所示。 &nb
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基于晶閘管整流器全關(guān)斷檢測電路的設(shè)計(jì)
- 本文提出并介紹了歐姆邏輯無環(huán)流檢測的一種方案--晶閘管整流器全關(guān)斷檢測,并與軟件檢測和電流互感器檢測進(jìn)...
- 關(guān)鍵字: 死區(qū)時(shí)間 采集板卡 大電流
基于控制器FAN7387的熒光燈與HID燈鎮(zhèn)流器
- 1FAN7387的結(jié)構(gòu)、特點(diǎn)及其功能1.1FAN7387的基本結(jié)構(gòu)和引腳功能FAN7387采用工作溫度為-40到...
- 關(guān)鍵字: 死區(qū)時(shí)間 半橋 全橋柵極 驅(qū)動(dòng)器
高性能、可高壓直接驅(qū)動(dòng)MOS的LLC控制器—NCP1396A/B
- NCP1396A/B為NCP1395的改進(jìn)型。它包括一個(gè)最高500kHZ的壓控振蕩器,在必需懸浮驅(qū)動(dòng)功能時(shí)齙控制模式有很大...
- 關(guān)鍵字: 光耦 可調(diào) 死區(qū)時(shí)間 MOS
示波器死區(qū)時(shí)間和波形捕獲率對測量結(jié)果的影響
- 發(fā)展到今天,傳統(tǒng)的模擬示波器已經(jīng)漸漸淡出了人們的視野,數(shù)字示波器幾乎已經(jīng)取代模擬示波器成為硬件工程師手中電路調(diào)試的最常用的一種儀器設(shè)備了。你是否覺得示波器提供給了被測信號的所有信息呢?事實(shí)上,示波器在
- 關(guān)鍵字: 示波器 波形 測量 死區(qū)時(shí)間
提升輕負(fù)載和高頻率下DC/DC的轉(zhuǎn)換效率
- 為幫助提高DC/DC在更輕負(fù)載和更高頻率下的轉(zhuǎn)換效率,可以將肖特基二極管集成到MOSFET芯片中,構(gòu)成單個(gè)封裝,以降 ...
- 關(guān)鍵字: MOSFET 體二極管 反向恢復(fù) DC 正向壓降 死區(qū)時(shí)間 電荷理論 肖特基二極管 轉(zhuǎn)換效率 效率水平
一種延遲電路在變頻控制中的應(yīng)用
- 摘 要:本文主要介紹一個(gè)由RC和或門電路組成的延遲電路在一變頻控制中的應(yīng)用,解決了原有芯片死區(qū)時(shí)間不確定的問題。關(guān)鍵詞:延遲電路;IPM;死區(qū)時(shí)間 變頻控制死區(qū)時(shí)間簡介熟悉IPM(Inteligent Power Module)工作原理的工程師都知道,控制IPM工作的六路PWM信號,在導(dǎo)通時(shí)序上,控制同一通道的上下兩路信號不能出現(xiàn)同時(shí)導(dǎo)通的情況,如圖1所示。也就是說同一橋臂的兩個(gè)IGBT不能同時(shí)導(dǎo)通,如果同時(shí)導(dǎo)通,輕則引起IPM的工作保護(hù),造成停機(jī),重則將IPM模塊擊
- 關(guān)鍵字: IPM 死區(qū)時(shí)間 延遲電路
新型RCD箝位單端正激式變換器仿真研究
- 摘 要:本文結(jié)合同步整流管驅(qū)動(dòng)技術(shù)在低壓大電流功率變換器中的應(yīng)用,在傳統(tǒng)RCD箝位單端正激式變換器的基礎(chǔ)上,提出了一種全新的RCD箝位正激變換器,解決了死區(qū)時(shí)間驅(qū)動(dòng)問題,大大提高了整流電路的變換效率和整個(gè)變換器的效率。關(guān)鍵詞:RCD箝位;同步整流;死區(qū)時(shí)間 引言在單端正激式變換器中,有幾種常見的磁復(fù)位方式,如RCD箝位、LCD箝位、有源箝位、諧振復(fù)位等。采用RCD箝位的磁復(fù)位方式的單端正激變換器結(jié)構(gòu)簡單,成本低廉,主開關(guān)管的電壓應(yīng)力較低,不需要輔助開關(guān)管。但是,由于在
- 關(guān)鍵字: RCD箝位 死區(qū)時(shí)間 同步整流
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死區(qū)時(shí)間介紹
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