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          開關(guān)電容器現(xiàn)場可編程模擬陣列的頻域SPICE仿真

          • 根據(jù)C.F.KURTH和G.S.MOSCHYTZ采用z域四口等效電路對開關(guān)電容器網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行雙口分析的理論,以現(xiàn)場可編程模擬陣列實現(xiàn)的PID控制器為例
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          3M電子嵌入式電容符合RoHS指令厚8μs

          •      3M電子日前宣布,其先進(jìn)層壓、嵌入式電容材料達(dá)到RoHS指令要求,可幫助OEM和PCB制造商滿足車載、便攜式和軍用產(chǎn)品等空間受限的應(yīng)用設(shè)計需求。      3M介紹,其嵌入式電容材料的介質(zhì)厚度達(dá)到8μs、電容密度達(dá)到每平方英寸大于10nF,使之成為現(xiàn)有電路板嵌入式平面電容中最薄、電容密度最高的材料。該層壓材料使高速數(shù)字印刷電路板的設(shè)計人員和制造商在實現(xiàn)高速設(shè)計的同時,簡化了設(shè)計。   &
          • 關(guān)鍵字: 3M  電容  嵌入式  電容器  

          東芝開發(fā)新型128MB電容器DRAM

          •    近日,日本東芝公司已經(jīng)在一個SOI(絕緣體上外延硅)晶圓上制造出一款128MB無輸出電容器DRAM芯片,正在對這款芯片進(jìn)行測試運作。     東芝公司報告稱,去年二月份在最尖端半導(dǎo)體電路技術(shù)國際會議(ISSCC)上東芝公司報告了無輸出電容器DRAM芯片的設(shè)計和模擬效果。在本周舉行的電子裝置國際會議上,東芝公司展示了這款芯片的運作。聲稱是全球最大儲存密度無輸出電容器DRAM芯片。     無輸出電容器DRAM芯片是在絕緣薄膜下電池產(chǎn)生的浮體效
          • 關(guān)鍵字: 東芝  電容器  

          東芝開發(fā)新型電容器DRAM芯片

          •    近日,日本東芝公司已經(jīng)在一個SOI(絕緣體上外延硅)晶圓上制造出一款128MB無輸出電容器DRAM芯片,正在對這款 芯片進(jìn)行測試運作。    東芝公司報告稱,去年二月份在最尖端半導(dǎo)體電路技術(shù)國際會議(ISSCC)上東芝公司報告了無輸出電容器DRAM芯片的設(shè)計和模擬效果。在本周舉行的電子裝置國際會議上,東芝公司展示了這款芯片的運作。聲稱是全球最大儲存密度無輸出電容器DRAM芯片。    無輸出電容器DRAM芯片是在絕緣薄膜下電池產(chǎn)生的浮體效應(yīng)取代了電容
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          AVX新電容可在125℃高溫下使用

          •     AVX的TCJ系列鉭電容近期新增幾款大電容器件,據(jù)稱可提供業(yè)內(nèi)最高等級的電容,有助于縮小封裝體積。   據(jù)介紹,TCJ系列電容的電容值(CV)比同類器件高出1至3級,工程師使用這些電容可以減小便攜器件的尺寸。0805尺寸電容在4V時電容值為100μF,1206尺寸在6.3V時為47μF,1210尺寸在6.3V時為10μF。   TCJ電容的工作電壓為12V,可在125℃高溫下使用。這些電容經(jīng)回流焊后仍能保持等效串聯(lián)電阻值(ESR),并可承受260℃回流焊溫度
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          凌特推出照相閃光燈電容充電器

          •  凌特推出LT3485系列照相閃光燈電容充電器集成電路,該器件集成了完整的照相閃光燈電容充電器和 IGBT 驅(qū)動器。LT3485 已獲得專利的控制技術(shù)允許它使用極小的“標(biāo)準(zhǔn)化”變壓器。無需外部組件設(shè)置輸出電壓。在充電時,一個與電容器電壓成正比的輸出可用來進(jìn)行監(jiān)視。輸入電流被嚴(yán)格控制以提供一致的充電時間。    該系列器件用 1.8V 至 10V 的輸入電壓工作,非常適用于由兩節(jié) AA 堿性、單節(jié)鋰離子電池或
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          Syfer新型表面安裝貼片電容

          •     Syfer Technology近日推出系列表面安裝貼片電容,該產(chǎn)品采用傳統(tǒng)的錫/鉛端子,主要面向不受歐盟RoHS規(guī)范限制的應(yīng)用,包括軍事/航空、空間以及汽車等產(chǎn)品。   某些特殊應(yīng)用目前還未受到歐盟RoHS規(guī)范的限制,雖然采用錫制產(chǎn)品的可行性還在調(diào)研當(dāng)中,但Syfer相信一些特定的應(yīng)用仍將繼續(xù)使用錫/鉛材料。   該公司提供的錫/鉛端子中含有不超過10/%的鉛,包括多種多層陶瓷貼片電容(MLCC)。容值范圍從0.45pF至82μF,工作電壓在16
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          Vishay推出新型鉭電容器僅2.5mm

          •     日前,Vishay宣布推出鉭電容器Sprague 592D系列,可在厚度僅2.5mm的封裝中提供3300μF電容。提供的該解決方案可取代在超薄應(yīng)用中使用多個低值電容器實現(xiàn)充足電容的方式。   Vishay采用“X”封裝尺寸的Sprague 592D共形敷膜(Conformal-Coated)固體鉭電容器主要面向PCMCIA卡、電源、線卡及手機等終端產(chǎn)品中的噪聲抑制、濾波、耦合及定時應(yīng)用。新型592D電容器使用戶無需并行使用多個電容器來滿足
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          利用開關(guān)電容濾波器實現(xiàn)抗混疊濾波

          •   帶外雜散信號所引起的混疊現(xiàn)象是A/D 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中所面臨的關(guān)鍵問題,如果沒有適當(dāng)?shù)臑V波處理,這些信號會嚴(yán)重影響數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的性能指標(biāo)。本文主要討論抗混疊濾波的原理及其對系統(tǒng)性能的影響。本文針對這一應(yīng)用,提供了一個開關(guān)電容濾波器設(shè)計范例,該方案具有極高的性價比。本文幾乎涵蓋了所有與高性能系統(tǒng)設(shè)計有關(guān)的重要參數(shù)和實際問題。   產(chǎn)生混疊的來源:這一點在奈奎斯特定理中給出了說明。奈奎斯特定理指出:時間連續(xù)信號轉(zhuǎn)換成離散信號時,需要在一個周期內(nèi)的采樣次數(shù)多于2 次。如果采樣次數(shù)不夠,將無法恢復(fù)丟失的信息。從
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          5V轉(zhuǎn)換成 -10V的簡單電路

          • 典型開關(guān)式電容器充電泵不需要電感器,因此容易設(shè)計,且能將正電壓加倍及將正電壓轉(zhuǎn)換成一個等效負(fù)電壓。但在某些應(yīng)用中,只有正電源可用,且電源系統(tǒng)必須產(chǎn)生一個幅度比正電源電壓幅度更大的負(fù)電壓。圖1所示電路可將其輸入電壓反相的同時將所得負(fù)電壓加倍?! ⊥ǔ?,MAX889T電壓反相器IC1可將一個正輸入電壓轉(zhuǎn)換成一個絕對幅度低于其輸入值的負(fù)輸出電壓。但此電路中,肖特基二極管D1、D2及電容器C4與C5可幫助產(chǎn)生一個更高的輸出電壓。該電路的額定輸出為VOUT=-(2
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          高效照相閃光燈電容充電器

          •   2005 年 9 月 19 日 - 北京 - 凌特公司(Linear Technology)推出 LT3484 系列高效率、超快、照相閃光燈電容(典型值為 320V)充電器。這些集成電路設(shè)計成獨立器件,無需通常與其他照相閃光燈充電器解決方案有關(guān)的微處理器負(fù)載和大量軟件開發(fā)。   這個系列的照相閃光燈電容充電器 IC 是為空間十分寶貴的數(shù)碼相機和移動電話應(yīng)用而設(shè)計。LT3484 獲得專利的控制技術(shù)允許它使用極小的變壓器,而且其片上 NPN 電源開關(guān)無需外部肖特基二極管箝位,縮小了解決方案尺寸。由于變壓
          • 關(guān)鍵字: 凌特公司  電容器  

          Linear高效照相閃光燈電容充電器

          • Linear高效照相閃光燈電容充電器凌特公司(Linear Technology)推出 LT3484 系列高效率、超快、照相閃光燈電容(典型值為 320V)充電器。這些集成電路設(shè)計成獨立器件,無需通常與其他照相閃光燈充電器解決方案有關(guān)的微處理器負(fù)載和大量軟件開發(fā)。 這個系列的照相閃光燈電容充電器 IC 是為空間十分寶貴的數(shù)碼相機和移動電話應(yīng)用而設(shè)計。LT3484 獲得專利的控制技術(shù)允許它使用極小的變壓器,而且其片上 NPN&n
          • 關(guān)鍵字: 凌特公司(Linear  Technology)  電容器  

          ESR、穩(wěn)定性和 LDO 調(diào)節(jié)器

          • ESR、穩(wěn)定性和 LDO 調(diào)節(jié)器 摘 要 由于特定的 ESR 要求,為帶有PNP或PMOS通路元件的LDO調(diào)節(jié)器選擇輸出電容器可能相當(dāng)困難。本應(yīng)用注釋解釋了為什么需要更高的ESR電容器,如何對其加以選擇,以及如何確定調(diào)節(jié)器是否穩(wěn)定。 正如圖1給出的典型 PMOS 或 PNP 開環(huán)增益曲線圖所示,在基于 PMOS 或 PNP 調(diào)整元件的LDO 調(diào)節(jié)器中有三個重要的極點。主要極點 P(DOM)在調(diào)節(jié)器的誤差放大器中設(shè)置。負(fù)載極點 P(LOAD)由輸出電容器和負(fù)載形成,因此隨負(fù)載電流的不同而有所差異。
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          NS推出無電感器開關(guān)電容白色發(fā)光二極管驅(qū)動器

          • 美國國家半導(dǎo)體公司 (National Semiconductor Corporation) 宣布推出一款可提供 4.5 伏及 5.0 伏穩(wěn)壓輸出的固定頻率開關(guān)電容電荷泵。這款型號為 LM2751 的芯片可在 2.8 伏至 5.5 伏之間的輸入電壓范圍內(nèi)提供高達(dá) 150mA 的輸出電流,而且只需另加 4 顆成本低廉的陶瓷電容器為
          • 關(guān)鍵字: 美國國家半導(dǎo)體  電容器  

          Dell自爆家丑 我們的主板電容有質(zhì)量問題

          •   Dell已經(jīng)承認(rèn),其某些產(chǎn)品所使用的主板存在電容質(zhì)量問題。   Dell的主板電容問題可以追溯到2002年十月,當(dāng)時,有數(shù)家臺灣公司在電容中使用不合格的電解液,導(dǎo)致主板電容膨脹泄漏,對主板質(zhì)量造成很大影響。   而Dell的OptiPlex GX270就受到該批問題電容主板的影響,有很多Dell用戶都對OptiPlex GX270存在的主板問題不滿,其中一名說道:“我們一共有61臺OptiPlex GX270系統(tǒng),其中11臺主板電容出現(xiàn)膨脹泄漏問題,導(dǎo)致主板損毀?!?&n
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          電容器 介紹

          電容器(capacitor)簡稱電容,也是組成電子電路的主要元件。它可以儲存電能,具有充電、放電及通交流、隔直流的特性。從某種意義上說,電容器有點像電池。盡管兩者的工作方式截然不同,但它們都能存儲電能。電池有兩個電極,在電池內(nèi)部,化學(xué)反應(yīng)使一個電極產(chǎn)生電子,另一個電極吸收電子。而電容器則要簡單得多,它不能產(chǎn)生電子——它只是存儲電子。它是各類電子設(shè)備大量使用的不可缺少的基本元件之一。各種電容器在電路 [ 查看詳細(xì) ]

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