電路設(shè)計(jì) 文章進(jìn)入電路設(shè)計(jì)技術(shù)社區(qū)

MOS(場(chǎng)效應(yīng)管)最常用的方法

MOS管使用方法1、NMOS管的主回路電流方向?yàn)镈→S，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，一般為5~10V（G電位比S電位高）；2、PMOS管的主回路電流方向?yàn)镾→D，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，一般為-5~-10V（S電位比G電位高）。1、使用NMOS當(dāng)下管，S極直接接地（為固定值），只需將G極電壓固定值6V即可導(dǎo)通；2、若使用NMOS當(dāng)上管，D極接正電源，而S極的電壓不固定，無法確定控制NMOS導(dǎo)通的G極電壓，因?yàn)镾極對(duì)地的電壓有兩種狀態(tài)，MOS管截止時(shí)為低電平，導(dǎo)通時(shí)接近高電平VCC。當(dāng)然NMOS也是
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為什么MOS管需要提升關(guān)斷速度？如何解決這個(gè)問題？

今天咱們來聊聊為啥mos管開關(guān)得快點(diǎn)兒，還有怎么才能快點(diǎn)開關(guān)。mos管驅(qū)動(dòng)有幾種方法，我們知道，其中有一種是用專門的驅(qū)動(dòng)芯片驅(qū)動(dòng)，我們就以這個(gè)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)為主。說起mos管關(guān)斷，通常電壓會(huì)比開通時(shí)高，所以關(guān)斷的損失也會(huì)比開通時(shí)大，所以我們自然希望電路關(guān)斷的速度能更快些。那么，咱咋能讓mos管快些開關(guān)呢？咱們看看這張圖在mos管開通時(shí)，電阻R1和R4限制了電流，這樣就能給mos管電容充電；要注意的這兒，R1和R4的電阻值并非固定，而且，R1通常小于R4。當(dāng)mos管關(guān)斷時(shí)，R4電阻上的電壓被限制在0.7V，一旦超
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走廊多處開關(guān)，延時(shí)電路原理分析

很多朋友肯定碰到過，想要好幾個(gè)地方控制燈的情景，下面旺哥給大家介紹一個(gè)這種電路，非常巧妙。如下圖：這個(gè)電路它是一個(gè)帶有延時(shí)功能并且可以自動(dòng)關(guān)燈功能的開關(guān)電路，我們只需按一下按鈕，需要的照明燈便會(huì)立馬亮起，并且在幾分鐘后可自動(dòng)熄滅。還有一大優(yōu)點(diǎn)就是它還可以同時(shí)控制多處照明燈，非常的適合用在大堂、樓道以及廁所等公共場(chǎng)所的照明。上面這個(gè)圖展示的就是一種多處可以延時(shí)的開關(guān)電路，這個(gè)電路主要由橋式整流器、指示燈，延時(shí)網(wǎng)絡(luò)控制單元、多處按鈕以及晶閘管等多部分構(gòu)成。下面具體分析電路：整流如上圖，整流二極管VD1-VD4
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全波整流電路詳細(xì)分析

我們?yōu)榱颂岣哌@個(gè)電路的整流效率并且減少Uo的交流分量，常常采用改進(jìn)的全波整流電路的辦法。這個(gè)電路是由兩個(gè)半波整流電路組合而成的，和半波整流電路相比的話，全波整流電路具有更高的電源利用率，相當(dāng)于負(fù)半周期沒有浪費(fèi)。它能夠輸出更高而且更穩(wěn)定的直流電壓。但是，這種電路的缺點(diǎn)在于需要使用帶有抽頭的電源變壓器，這會(huì)使變壓器的結(jié)構(gòu)變得相對(duì)復(fù)雜一些。如上圖，變壓器T的次級(jí)線圈的匝數(shù)是為半波整流時(shí)次級(jí)線圈匝數(shù)的2倍，這個(gè)線圈被分為中心抽頭L2和L3兩部分。在上面這個(gè)電路中，我們繼續(xù)使用的是兩個(gè)整流二極管，標(biāo)號(hào)分別是二極管V
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把三極管當(dāng)作穩(wěn)壓二極管來用，做一個(gè)閃燈電路，趣味電子DIY

大家好，我是阿樂，今天跟大家分享一個(gè)很簡(jiǎn)單但是很有意思的小電路，先來看電路圖：在上面的電路圖中，用到了5個(gè)元器件：一個(gè)10K的電位器，一個(gè)4.7K的電阻，一個(gè)330uF的電解電容，一個(gè)NPN型的三極管，一個(gè)LED。下圖是做好的電路實(shí)物，直接利用元器件的引腳搭棚焊接的：這個(gè)電路上電后的效果就是LED燈會(huì)一閃一閃的，是一個(gè)閃燈電路，我們可以先來看下動(dòng)圖：在電路圖中，比較特殊的地方就是這個(gè)NPN三極管的接法：首先是它的基極不接，然后給發(fā)射極接高電位，集電極接低電位。第一眼看到這樣的電路是不是覺得它不會(huì)工作，哪有
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MOS管的導(dǎo)通條件和MOS驅(qū)動(dòng)電流計(jì)算

**1. 關(guān)于MOS管的極限參數(shù)說明：**在以上圖中，我們需要持續(xù)關(guān)注的參數(shù)主要有：a. **ID（持續(xù)漏極電流）**：該參數(shù)含義是mos可以持續(xù)承受的電流值，在設(shè)計(jì)中，產(chǎn)品的實(shí)際通過電流值應(yīng)遠(yuǎn)小于該值，至少應(yīng)小于1/3以下，例：該mos管的使用持續(xù)電流應(yīng)小于50A。b. **PD（mos管的最大耗散功率）**：該參數(shù)是指設(shè)計(jì)中，實(shí)際通過mos管的電流與漏源兩端的電壓差值乘積，不應(yīng)大于該值。所以該值的很大程度取決于mos管中實(shí)際流過的電流值。c. **Vgs（柵源電壓范圍）**：該值表示在mos管的實(shí)際
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Altium Designer技巧：關(guān)閉自動(dòng)生成room功能

　　使用AD畫板，每每從原理圖同步PCB的時(shí)候都會(huì)自動(dòng)生成rooms。如果一個(gè)工程中包含多個(gè)原理圖，則每個(gè)原理圖都會(huì)生成一個(gè)對(duì)應(yīng)的room。從原理圖同步PCB時(shí)會(huì)自動(dòng)添加Rooms　　room在某些情況下對(duì)PCB設(shè)計(jì)很有益處，比如可以利用room實(shí)現(xiàn)布局布線的復(fù)用，如果PCB中有多個(gè)同樣的模塊，利用room進(jìn)行布局復(fù)用可以大幅提高布局效率。再有一種情況，我們可以針對(duì)room設(shè)置一些特殊的設(shè)計(jì)規(guī)則，而免得將這些設(shè)計(jì)規(guī)則作用于全局，而一個(gè)良好的規(guī)則設(shè)計(jì)對(duì)PCB設(shè)計(jì)大有裨益。PCB中的rooms效果圖　　盡管r
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對(duì)話羅文基教授，解析ISSCC2024背后的產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)

自 1953 年創(chuàng)辦以來，ISSCC 一直被全球?qū)W術(shù)界和工業(yè)界公認(rèn)為集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域的最高級(jí)別會(huì)議。在美國(guó)舊金山舉行的 ISSCC, 其前沿的科研創(chuàng)新每年都會(huì)吸引超過 3000 人參會(huì)，而其中大概 60% 是來自全球的從業(yè)者。在歷史進(jìn)程中，眾多重要的發(fā)明與創(chuàng)舉，諸如全球首個(gè)集成模擬放大器芯片、首個(gè) 8 位微處理器芯片、首個(gè) 32 位微處理器芯片、首個(gè) 1Gb 內(nèi)存 DRAM 芯片以及首個(gè)多核處理器芯片，皆是在 ISSCC 上首次向公眾展示的。在 ISSCC 2024 中國(guó)區(qū)發(fā)布會(huì)后，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫與 IS
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怎么使用數(shù)字萬用表？詳解數(shù)字萬用表的各種功能

數(shù)字萬用表可用來測(cè)量直流和交流電壓、直流和交流電流、電阻、電容、頻率、電池、二極管等等。整機(jī)電路設(shè)計(jì)以大規(guī)模集成電路雙積分A/D轉(zhuǎn)換器為核心，并配以全過程過載保護(hù)電路，使之成為一臺(tái)性能優(yōu)越的工具儀表，是電工的必備工具之一。一、操作前注意事項(xiàng)· 將ON-OFF開關(guān)置于ON位置，檢查9V電池，如果電池電壓不足，或“BAT”將顯示在顯示器上，這時(shí)，則應(yīng)更換電池;如果沒有出現(xiàn)則按以下步驟進(jìn)行；·?測(cè)試前，功能開關(guān)應(yīng)放置于所需量程上，同時(shí)要注意指針的位置，如下圖所示；·?同時(shí)要特別注意的是，測(cè)量
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USB與電池供電切換電路設(shè)計(jì)

一、原理圖設(shè)計(jì)二、電路分析上圖中USB-VIN的電源來自USB供電; BAT-VIN來自電池供電; VCC-POW是系統(tǒng)的電路輸入端。當(dāng)使用電池供電時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)開機(jī)。 Q2場(chǎng)效應(yīng)管是漏極與源極反接，起到電壓選擇作有，非開關(guān)管功能，利用寄生二極管使電源通過，Q3是開關(guān)管正常接法，處于截止?fàn)顟B(tài)，此時(shí)系統(tǒng)無電; 按下K1，Q1基極為高電平，電阻R2，R3保證此時(shí)Q1處于導(dǎo)通，則Q1集電極為低，此時(shí)，Q2,Q3這兩個(gè)P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管的柵極為低，使Q3的柵極電壓低于源極電壓，Q3導(dǎo)通，R6維持源極和柵極電平關(guān)系
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基于自振蕩混頻的X波段單器件收發(fā)電路設(shè)計(jì)分析

基于自振蕩混頻的X波段單器件收發(fā)電路設(shè)計(jì)分析作為通信系統(tǒng)中的兩個(gè)關(guān)鍵的電路單元，混頻器和振蕩器起著至關(guān)重要的作用。在無線通信中，混頻器與振蕩器的設(shè)計(jì)直接關(guān)系到整個(gè)電路是否具有高性能與高穩(wěn)定性的品質(zhì)。在接收前端電路中，混頻器作為實(shí)現(xiàn)頻率搬移的器件，將由天線所接收到的射頻(Radio Frequency，RF)信號(hào)與振蕩器所提供的本地振蕩(Local Oscillation，LO)信號(hào)源進(jìn)行線性的頻率變換，從而得到方便處理的中頻(Intermediate Frequency，IF)信號(hào)。而在發(fā)射前端電路中，混
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安全警報(bào)電路

這個(gè)電路將幫助你保護(hù)你的珍貴文件以及珠寶免受入侵者或偷竊。你只需要把這個(gè)電路放在儲(chǔ)物柜的前面或墊子的下面，這樣當(dāng)任何不明身份的人走過開關(guān)時(shí)，電路就會(huì)觸發(fā)并發(fā)出警報(bào)聲。該電路的主要好處是，由于兩個(gè)不同的開關(guān)會(huì)產(chǎn)生兩種不同的聲音，因此這些電路可以同時(shí)隱含在兩個(gè)地方。安全警報(bào)器的電路圖：電路元件：電阻器R1, R2 (100K) - 2R3 (1.2K) - 1R4 (47E) - 1T1 (BC547) - 1T2 (BC558) - 1D1, D2 (1N4007) - 2C1 (. 1uf) - 1S1,
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傳統(tǒng)電路設(shè)計(jì)和EDA有何不同

傳統(tǒng)電路設(shè)計(jì)和EDA（電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化）的不同主要體現(xiàn)在哪幾個(gè)方面呢？1、設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范不同：傳統(tǒng)電路設(shè)計(jì)的標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范主要由設(shè)計(jì)師根據(jù)經(jīng)驗(yàn)或自身理解來制定，通常不夠統(tǒng)一和規(guī)范。而EDA工具根據(jù)不同標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范來實(shí)現(xiàn)電路設(shè)計(jì)、驗(yàn)證和仿真，能夠更加統(tǒng)一和規(guī)范。2、設(shè)計(jì)流程不同：傳統(tǒng)電路設(shè)計(jì)的流程比較繁瑣、復(fù)雜，需利用大量紙筆來手工繪制功能框圖、原理圖、PCB版圖等。而EDA設(shè)計(jì)流程更加自動(dòng)化和流暢，從原理圖到電路仿真，再到PCB版圖的一體化設(shè)計(jì)。3、設(shè)計(jì)方法不同：傳統(tǒng)電路設(shè)計(jì)采用手工方式進(jìn)行，需要手繪原理圖，手算
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了解熱插拔：熱插拔電路設(shè)計(jì)過程示例

高可用性系統(tǒng)（如服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)、獨(dú)立磁盤冗余陣列（RAID）存儲(chǔ)和其他形式的通信基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)）需要設(shè)計(jì)為在其整個(gè)使用壽命期間幾乎為零停機(jī)時(shí)間。如果此類系統(tǒng)的某個(gè)組件出現(xiàn)故障或需要更新，則必須在不中斷系統(tǒng)其余部分的情況下更換該組件。在系統(tǒng)保持正常運(yùn)行的同時(shí)，必須卸下電路板或模塊并插入其替換件。此過程稱為熱插拔，或在某些情況下稱為熱插拔（模塊與系統(tǒng)軟件交互）。高可用性系統(tǒng)（如服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)、獨(dú)立磁盤冗余陣列（RAID）存儲(chǔ)和其他形式的通信基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)）需要設(shè)計(jì)為在其整個(gè)使用壽命期間幾乎為零停機(jī)時(shí)間。如
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基于DTMF的家庭自動(dòng)化系統(tǒng)電路

一般來說，我們家里使用的電器都是借助于開關(guān)來控制的。如今，你可以看到許多技術(shù)被用于家庭自動(dòng)化項(xiàng)目中。這篇文章介紹了使用DTMF技術(shù)控制家用電器。DTMF是Dual Tone Multi Frequency的首字母縮寫。所以，想想看，當(dāng)你打電話給客戶服務(wù)時(shí)，他們會(huì)要求你按1、2或任何其他數(shù)字。當(dāng)你從你的手機(jī)上按下一個(gè)數(shù)字時(shí)，就會(huì)發(fā)生一個(gè)特殊的動(dòng)作。所有這些都是由于DTMF。當(dāng)你的手機(jī)鍵盤上的一個(gè)按鈕被按下時(shí)，它將產(chǎn)生兩個(gè)頻率的音。這些音調(diào)被稱為行頻和列頻。DTMF一般來說，行頻是低頻，列頻是高頻。這些用于D
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