電隔離柵極驅動器 文章 進入電隔離柵極驅動器技術社區(qū)
意法半導體先進的電隔離柵極驅動器STGAP3S為IGBT和SiC MOSFET提供靈活的保護功能
- 意法半導體的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開關柵極驅動器集成了意法半導體最新的穩(wěn)健的電隔離技術、優(yōu)化的去飽和保護功能和靈活的米勒鉗位架構。STGAP3S 在柵極驅動通道與低壓控制和接口電路之間采用增強型電容隔離,瞬態(tài)隔離電壓 (VIOTM)耐壓9.6kV,共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)達到 200V/ns。通過采用這種的先進的電隔離技術,STGAP3S提高了空調(diào)、工廠自動化、家電等工業(yè)電機驅動裝置的可靠性。新驅動器還適合電源和能源應用,包括充電站、儲能系統(tǒng)、功率因數(shù)校正 (PFC)、
- 關鍵字: 意法半導體 電隔離柵極驅動器 IGBT SiC MOSFET
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電隔離柵極驅動器介紹
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