碳化硅 mosfet 文章 進入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)
瑞薩電子宣布推出低功耗P通道MOSFET
- 全球領(lǐng)先的高級半導體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會社(以下簡稱“瑞薩電子”)今天宣布推出包含五款低功耗P通道功率金屬氧化半導體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)系列產(chǎn)品，包括用于筆記本電腦中鋰離子(Li-ion)二級電池的充電控制開關(guān)和與AC適配器進行電源轉(zhuǎn)換的電源管理開關(guān)等用途進行最佳化的μPA2812T1L。
- 關(guān)鍵字： 瑞薩電子 MOSFET μPA2812T1L
飛兆與英飛凌進一步擴展功率MOSFET兼容協(xié)議
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司進一步擴展封裝兼容合作伙伴關(guān)系，擴展協(xié)議將包括5x6mm非對稱結(jié)構(gòu)功率級雙MOSFET封裝。 飛兆半導體PowerTrench非對稱結(jié)構(gòu)功率級雙MOSFET模塊是飛兆半導體全面廣泛的先進MOSFET產(chǎn)品系列的組成部分，為電源設(shè)計人員提供了適用于關(guān)鍵任務(wù)的高效信息處理設(shè)計的全面解決方案。 這一兼容協(xié)議是兩家公司在2010年達成的協(xié)議的擴展，旨在為客戶保證供
- 關(guān)鍵字： 飛兆 MOSFET
瑞薩開發(fā)出低損耗碳化硅（SiC）功率器件
- 全球領(lǐng)先的高級半導體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會社(TSE：6723，以下簡稱“瑞薩”)宣布開發(fā)出了肖特基勢壘二極管(SBD)RJS6005TDPP，該器件采用了碳化硅材料(SiC，注1)——這種材料被認為具有用于功率半導體器件的巨大潛力。這款新型SiC肖特基勢壘二極管適用于空調(diào)、通信基站和太陽能陣列等大功率電子系統(tǒng)。該器件還采用了日立株式會社與瑞薩聯(lián)合開發(fā)的技術(shù)，有助于實現(xiàn)低功耗。與瑞薩采用傳統(tǒng)硅(Si)的現(xiàn)有功率器件相比，其功耗大約降低了40%。
- 關(guān)鍵字： 瑞薩 半導體 碳化硅
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