碳化硅(sic)mosfet 文章 進入碳化硅(sic)mosfet技術社區(qū)
如何通過配置負載點轉(zhuǎn)換器提供負電壓或隔離輸出電壓
- 在溫度高達 210 攝氏度或需要耐輻射解決方案的惡劣環(huán)境應用中，集成型降壓解決方案可充分滿足系統(tǒng)需求。有許多應用需要負輸出電壓或諸如 +12V 或 +15V 等隔離輸出電壓為 MOSFET 柵極驅(qū)動器電路供電或者為運算放大器實現(xiàn)偏置。我們將在本文中探討如何使用 TPS50x01 配置降壓轉(zhuǎn)換器，提供負輸出電壓。此外，我們還將討論如何通過提供高于輸入壓的電壓來滿足應用需求?！ PS50601-SP和TPS50301-HT都是專為耐輻射、地質(zhì)、重工業(yè)以及油氣應用等惡劣環(huán)境開發(fā)的集成型同步降壓轉(zhuǎn)換器解決方
- 關鍵字： MOSFET TPS50601-SP 電壓隔離
ROHM（羅姆）亮相第十七屆高交會電子展
- 2016年11月16日-21日，全球知名半導體制造商ROHM亮相在深圳舉辦的“第十七屆高交會電子展(ELEXCON?2015)”。在本次展會上展出了ROHM所擅長的模擬電源、業(yè)界領先的SiC(碳化硅)元器件為首的功率元器件、種類繁多的汽車電子、以及能夠為IoT(物聯(lián)網(wǎng))的發(fā)展做出貢獻的傳感器網(wǎng)絡技術和小型元器件等品類眾多，并且融入了最尖端技術的產(chǎn)品。ROHM所帶來的高新領先技術、強勢多元化的產(chǎn)品、以及多種解決方案，受到來場參觀者的廣泛好評。 ROHM模擬電源“領銜”業(yè)內(nèi)標準 近年來，全世
- 關鍵字： ROHM SiC
意法半導體（ST）推出世界首款1500V超結功率MOSFET，實現(xiàn)更環(huán)保、更安全的電源應用
- 意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)的新系列功率MOSFET讓電源設計人員實現(xiàn)產(chǎn)品效能最大化，同時提升工作穩(wěn)健性和安全系數(shù)。MDmeshTM K5產(chǎn)品是世界首款兼?zhèn)涑Y技術優(yōu)點與1500V漏源(drain-to-source)擊穿電壓(breakdown voltage)的晶體管，并已贏得亞洲及歐美主要客戶用于其重要設計中。 新產(chǎn)品瞄準計算機服務器及工業(yè)自動化市場。服務器要求更高的輔助開關式電源輸出功率，同時電源穩(wěn)健性是最大限度減少斷電停機時間的關鍵要素，電焊、工廠自
- 關鍵字： 意法半導體 MOSFET
更小、更快、更酷、更高效，900V SiC MOSFET在PFC中的應用
- Wolfspeed (原CREE Power產(chǎn)品)推出業(yè)界首款900V SiC MOSFET系列產(chǎn)品，拓展了高頻電力電子應用的范圍。相比于相當于硅MOSFET，這一突破900V SiC使我們的產(chǎn)品的新市場通過擴大我們在終端系統(tǒng)解決功率范圍。該系列產(chǎn)品提供了更高的開關速率和更低的開關損耗，從而為電力電子工程師們提供了設計出更小，更快，更酷，更高效的電源解決方案可能。 新的900V SiC MOSFET系列產(chǎn)品極大的擴大了產(chǎn)品應用空間，能夠更好的應對不斷發(fā)展變化的應用領域，更高的直流母線電壓可以覆蓋
- 關鍵字： Wolfspeed MOSFET
Diodes全新100V MOSFET優(yōu)化以太網(wǎng)供電應用
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMN10H120SFG MOSFET作為符合IEEE 802.3標準的48V以太網(wǎng)供電 (PoE) 系統(tǒng)的開關，能夠通過以太網(wǎng)線纜向無線接入點、VoIP網(wǎng)絡電話、銷售點終端、呼叫系統(tǒng)、IP網(wǎng)絡監(jiān)控鏡頭及樓房管理設備等終端應用供電。 在局域網(wǎng)路由器及中跨設備等供電設備內(nèi)，100V N通道MOSFET把電源接到五類或六類網(wǎng)線。然后網(wǎng)線就會借由消除供終端設備內(nèi)的電源降低成本，并提供電力和數(shù)據(jù)。該器件還保障了終端用戶，因為以太網(wǎng)
- 關鍵字： Diodes MOSFET
學習總結之電路是計算出來的
- 簡介：不斷的思考，不斷的理解，不斷的總結!希望大家堅持下去! 1、CS單管放大電路 共源級單管放大電路主要用于實現(xiàn)輸入小信號的線性放大，即獲得較高的電壓增益。在直流分析時，根據(jù)輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點，而根據(jù)MOSFET的I-V特性曲線可知，MOSFET的靜態(tài)工作點具有較寬的動態(tài)范圍，主要表現(xiàn)為MOS管在飽和區(qū)的VDS具有較寬的取值范圍，小信號放大時輸入的最小電壓為VIN-VTH，最大值約為VDD，假設其在飽和區(qū)可以完全表現(xiàn)線性特性，并且實現(xiàn)信號的最大限度放大【理想條件下】
- 關鍵字： CMOS MOSFET
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