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第三代半導(dǎo)體
第三代半導(dǎo)體 文章 進(jìn)入第三代半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)
我國(guó)首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術(shù)
- 9 月 3 日消息，“南京發(fā)布”官方公眾號(hào)于 9 月 1 日發(fā)布博文，報(bào)道稱(chēng)國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）歷時(shí) 4 年自主研發(fā)，成功攻關(guān)溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關(guān)鍵技術(shù)，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，實(shí)現(xiàn)我國(guó)在該領(lǐng)域的首次突破。項(xiàng)目背景碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場(chǎng)、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性。碳化硅 MOS 主要有平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)兩種結(jié)構(gòu)，目前業(yè)內(nèi)應(yīng)用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片為主。平面碳化硅 MOS
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 mosfet 第三代半導(dǎo)體 寬禁帶
搶奪賽位，第三代半導(dǎo)體戰(zhàn)局激烈
- 目前，第三代半導(dǎo)體是全球戰(zhàn)略競(jìng)爭(zhēng)新的制高點(diǎn)，也是各地區(qū)的重點(diǎn)扶持行業(yè)，意法半導(dǎo)體、英飛凌、安世半導(dǎo)體、三安光電等頭部廠(chǎng)商順勢(shì)而上，加速布局第三代半導(dǎo)體，市場(chǎng)戰(zhàn)火已燃，一場(chǎng)群雄逐鹿之戰(zhàn)正在上演。多方來(lái)戰(zhàn)，“直搗”三代半核心環(huán)節(jié)第三代半導(dǎo)體欣欣向榮，八方入局，搶奪市場(chǎng)重要賽位，擁抱巨大增量市場(chǎng)。業(yè)界認(rèn)為，面對(duì)下游行業(yè)需求的爆發(fā)，提升工藝及良率，擴(kuò)大晶圓產(chǎn)能是行業(yè)當(dāng)務(wù)之急。第三代半導(dǎo)體產(chǎn)能供應(yīng)緊張，三安/意法等大廠(chǎng)在前線(xiàn)沖鋒：英飛凌將拋出70億歐元（約544.24億元人民幣），部署馬來(lái)西亞地區(qū)產(chǎn)能，其馬來(lái)西亞居
- 關(guān)鍵字： 第三代半導(dǎo)體
第三代電力電子半導(dǎo)體SiC MOSFET：聚焦高效驅(qū)動(dòng)方案
- 第三代電力電子半導(dǎo)體SiC MOSFET：聚焦高效驅(qū)動(dòng)方案相比傳統(tǒng)的硅MOSFET，SiC MOSFET可實(shí)現(xiàn)在高壓下的高頻開(kāi)關(guān)。新能源、電動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域，SiC MOSFET（碳化硅-金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）憑借高頻、高功率、低損耗等卓越性能，SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)方案?jìng)涫荜P(guān)注。然而，SiC MOSFET的獨(dú)特器件特性，也意味著它們對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路有特殊的要求。本文將圍繞SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)方案展開(kāi)了解，其中包括驅(qū)動(dòng)過(guò)電流、過(guò)電壓保護(hù)以及如何為SiC MOSFET選擇合
- 關(guān)鍵字： 第三代半導(dǎo)體 SiC MOSFET 高效驅(qū)動(dòng) 電力電子
第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng)，2024慕尼黑上海電子展提供產(chǎn)業(yè)發(fā)展探討平臺(tái)
- 近年來(lái)，我國(guó)信息技術(shù)得到迅猛發(fā)展，第三代半導(dǎo)體作為其中的關(guān)鍵器件起著重要作用。政策方面國(guó)家出臺(tái)了一系列相關(guān)政策旨在大力提升先進(jìn)計(jì)算、新型智能終端、超高清視頻、網(wǎng)絡(luò)安全等數(shù)字優(yōu)勢(shì)產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力，積極推進(jìn)光電子、高端軟件等核心基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新突破，這大大提高了對(duì)第三代半導(dǎo)體的需求。預(yù)計(jì)未來(lái)，隨著互聯(lián)網(wǎng)與信息技術(shù)的持續(xù)進(jìn)步，對(duì)第三代半導(dǎo)體的需求會(huì)越來(lái)越高， 2023年到2028年的復(fù)合增長(zhǎng)率將達(dá)到30.83%，整體市場(chǎng)規(guī)模呈穩(wěn)定持續(xù)增長(zhǎng)趨勢(shì)。圖源丨智研咨詢(xún)5G通信基站驅(qū)動(dòng)射頻器件業(yè)務(wù)持續(xù)擴(kuò)張無(wú)線(xiàn)通訊基礎(chǔ)設(shè)施是氮化鎵射頻
- 關(guān)鍵字： 第三代半導(dǎo)體 慕尼黑上海電子展
SEMICON2024收官，第三代半導(dǎo)體賽道競(jìng)爭(zhēng)激烈！
- 3月20日，春分時(shí)期，萬(wàn)物復(fù)蘇，SEMICON China 2024在上海新國(guó)際博覽中心拉開(kāi)了序幕。現(xiàn)場(chǎng)一片繁忙熱鬧，據(jù)悉本次展會(huì)面積達(dá)90000平方米，共有1100家展商、4500個(gè)展位和20多場(chǎng)會(huì)議及活動(dòng)涉及了IC制造、功率及化合物半導(dǎo)體、先進(jìn)材料、芯車(chē)會(huì)等多個(gè)專(zhuān)區(qū)。本次展會(huì)中，碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈格外亮眼，據(jù)全球半導(dǎo)體觀(guān)察不完全統(tǒng)計(jì)，共有近70家相關(guān)企業(yè)帶來(lái)了一眾新品與最新技術(shù)，龍頭企業(yè)頗多，材料方面包括Resonac、天域半導(dǎo)體、天岳先進(jìn)、天科合達(dá)等企業(yè)，設(shè)備端則如晶盛機(jī)電、中微公司
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 氮化鎵 第三代半導(dǎo)體
GaN企業(yè)，出售！
- 近日，美國(guó)GaN器件廠(chǎng)商O(píng)dyssey宣布出售公司資產(chǎn)。目前，Odyssey已與客戶(hù)簽署最終協(xié)議，將其大部分資產(chǎn)出售給一家大型半導(dǎo)體公司，交易金額為952萬(wàn)美元，目前買(mǎi)家信息處于保密狀態(tài)。資料顯示，Odyssey成立于2019年，專(zhuān)注基于專(zhuān)有的氮化鎵（GaN）處理技術(shù)開(kāi)發(fā)高壓功率開(kāi)關(guān)元件和系統(tǒng)，擁有一座面積為1萬(wàn)平方英尺的半導(dǎo)體晶圓制造廠(chǎng)，配備了一定比例的1000級(jí)和10000級(jí)潔凈空間以及先進(jìn)半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)工具，致力于推出工作在650V和1200V的垂直氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管。償還貸款和交易費(fèi)用后，公司預(yù)
- 關(guān)鍵字： 氮化鎵 第三代半導(dǎo)體
全球GaN最新應(yīng)用進(jìn)展！
- 自2018年10月25日，Anker發(fā)布全球首款GaN充電器，將GaN正式引入消費(fèi)電子領(lǐng)域以來(lái)，短短幾年間，各大GaN廠(chǎng)商紛紛涉足相關(guān)產(chǎn)品。當(dāng)前，GaN消費(fèi)電子產(chǎn)品市場(chǎng)已是一片紅海，競(jìng)爭(zhēng)日趨激烈。面對(duì)GaN在消費(fèi)電子領(lǐng)域應(yīng)用現(xiàn)狀，相關(guān)企業(yè)開(kāi)始尋求新的增量市場(chǎng)，GaN技術(shù)應(yīng)用由此逐步向新能源汽車(chē)、光伏、數(shù)據(jù)中心等其他應(yīng)用場(chǎng)景延伸。GaN的特殊價(jià)值，正在消費(fèi)電子之外的多個(gè)領(lǐng)域持續(xù)釋放。01GaN正在加速“上車(chē)”在汽車(chē)電動(dòng)化與智能化趨勢(shì)下，汽車(chē)搭載的電子電力系統(tǒng)越來(lái)越多。而與傳統(tǒng)硅材料相比，基于GaN材料制備的
- 關(guān)鍵字： 氮化鎵 第三代半導(dǎo)體 消費(fèi)電子
全球加速碳化硅產(chǎn)能擴(kuò)充
- 受惠于下游應(yīng)用市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求，碳化硅產(chǎn)業(yè)正處于高速成長(zhǎng)期。據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)預(yù)期，至2026年SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)模可望達(dá)53.3億美元，其主流應(yīng)用仍倚重電動(dòng)汽車(chē)及可再生能源。近期，備受關(guān)注的碳化硅市場(chǎng)又有了新動(dòng)態(tài)，涉及三菱電機(jī)、美爾森、芯粵能等企業(yè)。三菱電機(jī)SiC工廠(chǎng)預(yù)計(jì)4月開(kāi)建據(jù)日經(jīng)新聞近日?qǐng)?bào)道，三菱電機(jī)將于今年4月，在日本熊本縣開(kāi)工建設(shè)新的8英寸SiC工廠(chǎng)，并計(jì)劃于2026年4月投入運(yùn)營(yíng)。2023年3月，三菱電機(jī)宣布，計(jì)劃在5年內(nèi)投資約1000億日元（折合人民幣約48.56億元）建設(shè)一個(gè)
- 關(guān)鍵字： 新能源汽車(chē) 碳化硅 第三代半導(dǎo)體
第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目遍地開(kāi)花
- 近日，多個(gè)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目迎來(lái)最新進(jìn)展。其中，重投天科第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目、山東菏澤砷化鎵半導(dǎo)體晶片項(xiàng)目投資資金超30億。總投資32.7億元，重投天科第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目在深圳寶安啟用據(jù)濱海寶安消息，2月27日，第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地在深圳寶安區(qū)啟用，其由深圳市重投天科半導(dǎo)體有限公司建設(shè)運(yùn)營(yíng)，將進(jìn)一步補(bǔ)強(qiáng)深圳第三代半導(dǎo)體“虛擬全產(chǎn)業(yè)鏈（VIDM）”，助力廣東打造國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展“第三極”。濱海寶安消息顯示，該項(xiàng)目2021年11月開(kāi)工建設(shè)，2022年11月關(guān)鍵生產(chǎn)區(qū)域廠(chǎng)房結(jié)構(gòu)封頂，2023年6月襯底產(chǎn)線(xiàn)
- 關(guān)鍵字： 第三代半導(dǎo)體
基于第三代半導(dǎo)體射頻微系統(tǒng)芯片研究項(xiàng)目啟動(dòng)
- 據(jù)云塔科技官微消息，1月15日，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院孫海定教授牽頭的國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“戰(zhàn)略性科技創(chuàng)新合作”重點(diǎn)專(zhuān)項(xiàng)“基于第三代半導(dǎo)體氮化鎵和氮化鈧鋁異質(zhì)集成射頻微系統(tǒng)芯片研究”項(xiàng)目啟動(dòng)會(huì)暨實(shí)施方案論證會(huì)在云塔科技（安努奇）舉行。據(jù)悉，該項(xiàng)目是由中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)牽頭，香港科技大學(xué)作為香港方合作單位以及安徽安努奇科技有限公司作為參研單位，共同開(kāi)展聯(lián)合攻關(guān)。面向國(guó)家在高頻、大帶寬和高功率密度戰(zhàn)略性高端通信芯片和射頻模組的迫切需求，開(kāi)展基于第三代半導(dǎo)體氮化鎵和氮化鈧鋁（GaN/AlScN）異質(zhì)集成射頻微系統(tǒng)
- 關(guān)鍵字： 第三代半導(dǎo)體 射頻微系統(tǒng)芯片 氮化鎵 氮化鈧
安森美：緊握第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)，助力產(chǎn)業(yè) 轉(zhuǎn)型與可持續(xù)發(fā)展
- 1 轉(zhuǎn)型成功的2023得益于成功的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型，在汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)增長(zhǎng)的 推動(dòng)下，安森美在 2023 年前 3 季度的業(yè)績(jī)都超預(yù)期。 其中，第一季度由先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 和能源基 礎(chǔ)設(shè)施終端市場(chǎng)帶來(lái)的收入均同比增長(zhǎng)約 50%，在第 二季度汽車(chē)業(yè)務(wù)收入超 10 億美元，同比增長(zhǎng) 35%，創(chuàng) 歷史新高，第三季度汽車(chē)和工業(yè)終端市場(chǎng)都實(shí)現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄 收入。安森美大中華區(qū)銷(xiāo)售副總裁Roy Chia2 深入布局碳化硅領(lǐng)域在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，安森美專(zhuān)注于 SiC，重點(diǎn)聚 焦于汽車(chē)、能源、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施等應(yīng)
- 關(guān)鍵字： 安森美 第三代半導(dǎo)體 碳化硅 SiC
聚焦第三代半導(dǎo)體，泰克榮獲“2023行家極光獎(jiǎng)”年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)
- 中國(guó)北京2023年12月20日?– “2023 行家極光獎(jiǎng)”頒獎(jiǎng)典禮于 12 月 14 日在深圳隆重舉行，數(shù)百家 SiC&GaN 企業(yè)代表出席了本次活動(dòng)，共同見(jiàn)證了第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的風(fēng)采。業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的測(cè)試與測(cè)量解決方案提供商泰克科技，5系列B MSO混合信號(hào)示波器榮獲年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)。 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?
- 關(guān)鍵字： 第三代半導(dǎo)體 泰克 2023行家極光獎(jiǎng)
韓國(guó)晶圓代工大廠(chǎng)加快第三代半導(dǎo)體布局！
- 據(jù)韓媒ETnews消息，近日，韓國(guó)晶圓代工大廠(chǎng)東部高科（DB HiTek）聘請(qǐng)了一位來(lái)自安森美的功率半導(dǎo)體專(zhuān)家。業(yè)內(nèi)人士透露，東部高科聘請(qǐng)了安森美半導(dǎo)體前技術(shù)開(kāi)發(fā)高級(jí)總監(jiān)Ali Salih，并讓他負(fù)責(zé)氮化鎵（GaN）工藝開(kāi)發(fā)。Salih是一位功率半導(dǎo)體工藝開(kāi)發(fā)人員，擁有約20年的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，曾在電氣與電子工程師學(xué)會(huì) (IEEE) 上發(fā)表過(guò)有關(guān)功率半導(dǎo)體的重要論文。東部高科聘請(qǐng)Salih是為了加快GaN業(yè)務(wù)的技術(shù)開(kāi)發(fā)和商業(yè)化。這項(xiàng)任命旨在加強(qiáng)第三代功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的技術(shù)開(kāi)發(fā)和商業(yè)化。功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)目前占東部高科
- 關(guān)鍵字： 韓國(guó) 晶圓代工 第三代半導(dǎo)體
總投資10億 正齊半導(dǎo)體年產(chǎn)6萬(wàn)顆功率模塊研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目落地
- 正齊半導(dǎo)體杭州項(xiàng)目將在開(kāi)發(fā)區(qū)投資建設(shè)第三代半導(dǎo)體模塊工廠(chǎng)，項(xiàng)目首期投資3000萬(wàn)美元，總投資額將達(dá)10億元人民幣。10月23日消息，近日，正齊半導(dǎo)體年產(chǎn)6萬(wàn)顆高階功率模塊研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目正式落地蕭山經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)。正齊半導(dǎo)體杭州項(xiàng)目將在開(kāi)發(fā)區(qū)投資建設(shè)第三代半導(dǎo)體模塊工廠(chǎng)。項(xiàng)目首期投資3000萬(wàn)美元，總投資額將達(dá)10億元人民幣，規(guī)劃建設(shè)10條智能化模塊封裝生產(chǎn)與組裝線(xiàn)，滿(mǎn)足車(chē)規(guī)級(jí)與航天級(jí)的模塊生產(chǎn)線(xiàn)要求，每年將生產(chǎn)6萬(wàn)顆高端航天及車(chē)規(guī)級(jí)IGBT與碳化硅芯片、模塊及器件等產(chǎn)品。該工廠(chǎng)將采用與合作廠(chǎng)商共同研制的驅(qū)動(dòng)
- 關(guān)鍵字： 正齊半導(dǎo)體 功率模塊 第三代半導(dǎo)體
中國(guó)香港地區(qū)將建首個(gè)具規(guī)模的半導(dǎo)體晶圓廠(chǎng)
- 香港科技園公司與微電子企業(yè)杰平方半導(dǎo)體簽署合作備忘錄，設(shè)立以第三代半導(dǎo)體為主的全球研發(fā)中心。大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)消息，10月13日，香港科技園公司（科技園公司）與微電子企業(yè)杰平方半導(dǎo)體（上海）有限公司（杰平方半導(dǎo)體）簽署合作備忘錄，在科學(xué)園設(shè)立以第三代半導(dǎo)體為主的全球研發(fā)中心，并投資開(kāi)設(shè)香港首間碳化硅（SiC）8寸先進(jìn)垂直整合晶圓廠(chǎng)，共同推進(jìn)香港微電子生態(tài)圈及第三代半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。據(jù)悉，該項(xiàng)目總投資額約69億港元，計(jì)劃到2028年年產(chǎn)24萬(wàn)片碳化硅晶圓，帶動(dòng)年產(chǎn)值超過(guò)110億港元，并創(chuàng)造超過(guò)700個(gè)本地和
- 關(guān)鍵字： 晶圓 碳化硅 第三代半導(dǎo)體
第三代半導(dǎo)體介紹
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