色婷婷AⅤ一区二区三区|亚洲精品第一国产综合亚AV|久久精品官方网视频|日本28视频香蕉

          新聞中心

          EEPW首頁 > 汽車電子 > 業(yè)界動態(tài) > 全球加速碳化硅產(chǎn)能擴充

          全球加速碳化硅產(chǎn)能擴充

          作者: 時間:2024-03-18 來源:全球半導體觀察 收藏

          受惠于下游應用市場的強勁需求,產(chǎn)業(yè)正處于高速成長期。據(jù)TrendForce集邦咨詢預期,至2026年SiC功率元件市場規(guī)??赏_53.3億美元,其主流應用仍倚重電動汽車及可再生能源。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/202403/456452.htm

          近期,備受關(guān)注的市場又有了新動態(tài),涉及三菱電機、美爾森、芯粵能等企業(yè)。

          三菱電機SiC工廠預計4月開建

          據(jù)日經(jīng)新聞近日報道,三菱電機將于今年4月,在日本熊本縣開工建設新的8英寸SiC工廠,并計劃于2026年4月投入運營。

          2023年3月,三菱電機宣布,計劃在5年內(nèi)投資約1000億日元(折合人民幣約48.56億元)建設一個8英寸SiC工廠,并加強相關(guān)生產(chǎn)設施。該廠房計劃于2026年4月投入運營。

          據(jù)了解,該新工廠共有六層,總建筑面積約4.2萬平方米,將主要負責8英寸SiC晶圓的前端工藝。三菱電機將在全工序段引入自動輸送系統(tǒng),打造生產(chǎn)效率高的生產(chǎn)線,并計劃逐步提高產(chǎn)能,目標在2026財年將SiC產(chǎn)能提升5倍(與2022財年相比)。

          2023年5月,三菱電機與Coherent簽署了一份諒解備忘錄,Coherent將為三菱電機新工廠供應8英寸n型4HSiC襯底,雙方共同致力于擴大8英寸SiC器件的生產(chǎn)規(guī)模。

          芯粵能SiC芯片制造項目加速一期產(chǎn)能爬坡

          近日,據(jù)芯粵能晶圓廠廠長邵永華介紹,目前整個工廠正在擴產(chǎn)爬坡,預計今年年底實現(xiàn)年產(chǎn)24萬片6英寸車規(guī)級SiC芯片的規(guī)劃產(chǎn)能。預留的8英寸產(chǎn)線就在6英寸產(chǎn)線隔壁,建成后將具備年產(chǎn)24萬片8英寸車規(guī)級SiC芯片的能力。

          據(jù)此前消息,芯粵能(SiC)芯片制造項目是廣東“強芯工程”重大項目,總投資額為75億元,占地150畝,一期投資35億元,建成年產(chǎn)24萬片6英寸SiC芯片的生產(chǎn)線,二期建設年產(chǎn)24萬片8英寸SiC芯片的生產(chǎn)線,產(chǎn)品包括IGBT、SiC SBD/JBS、SiC MOSFET等功率器件,主要應用于、光伏、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。

          2022年11月,該項目無塵車間正式啟用,目前已經(jīng)實現(xiàn)月產(chǎn)1萬片產(chǎn)能,車規(guī)級和工控級芯片成功流片并送樣,即將完成車規(guī)認證。截至目前,芯粵能已與40多家客戶簽約流片,覆蓋全國大部分SiC芯片設計企業(yè)。

          美爾森加碼SiC襯底項目

          3月12日,歐洲石墨材料和碳化硅襯底供應商美爾森宣布,公司獲得法國政府投資,將用于SiC襯底項目的產(chǎn)能擴充。該筆補貼金額或?qū)⒊^1200萬歐元(約合人民幣0.94億),來自于“法國2023計劃”——微電子和通信技術(shù)歐洲重要聯(lián)合利益項目。

          美爾森表示,他們計劃借此推進p-SiC襯底的研發(fā)和工業(yè)生產(chǎn)階段,p-SiC是一種低電阻率多晶SiC襯底,可以與單晶SiC有源層相結(jié)合,有助于SiC器件廠商提高產(chǎn)量和晶體管性能。

          美爾森預計,在2023至2025年將投資8500萬歐元(約合人民幣6.7億),雇傭80至100名員工,推動法國熱訥維耶工廠的產(chǎn)能建設,并在2027年之前達到40萬片襯底(150mm)的潛在制造能力。

          此外,美爾森將為Soitec公司供應碳化硅襯底。2021年11月,美爾森與Soitec達成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,憑借各自在基板和材料方面的經(jīng)驗,雙方聯(lián)合開發(fā)的極低電阻率多晶SiC襯底將用于Soitec Smart SiC?技術(shù)設計的SiC電力電子元件。

          a



          評論


          相關(guān)推薦

          技術(shù)專區(qū)

          關(guān)閉