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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 第三代半導(dǎo)體

第三代半導(dǎo)體文章進(jìn)入第三代半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)

我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術(shù)

9 月 3 日消息，“南京發(fā)布”官方公眾號于 9 月 1 日發(fā)布博文，報道稱國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）歷時 4 年自主研發(fā)，成功攻關(guān)溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關(guān)鍵技術(shù)，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，實現(xiàn)我國在該領(lǐng)域的首次突破。項目背景碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性。碳化硅 MOS 主要有平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)兩種結(jié)構(gòu)，目前業(yè)內(nèi)應(yīng)用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片為主。平面碳化硅 MOS
關(guān)鍵字：碳化硅 mosfet 第三代半導(dǎo)體寬禁帶

搶奪賽位，第三代半導(dǎo)體戰(zhàn)局激烈

目前，第三代半導(dǎo)體是全球戰(zhàn)略競爭新的制高點，也是各地區(qū)的重點扶持行業(yè)，意法半導(dǎo)體、英飛凌、安世半導(dǎo)體、三安光電等頭部廠商順勢而上，加速布局第三代半導(dǎo)體，市場戰(zhàn)火已燃，一場群雄逐鹿之戰(zhàn)正在上演。多方來戰(zhàn)，“直搗”三代半核心環(huán)節(jié)第三代半導(dǎo)體欣欣向榮，八方入局，搶奪市場重要賽位，擁抱巨大增量市場。業(yè)界認(rèn)為，面對下游行業(yè)需求的爆發(fā)，提升工藝及良率，擴大晶圓產(chǎn)能是行業(yè)當(dāng)務(wù)之急。第三代半導(dǎo)體產(chǎn)能供應(yīng)緊張，三安/意法等大廠在前線沖鋒：英飛凌將拋出70億歐元（約544.24億元人民幣），部署馬來西亞地區(qū)產(chǎn)能，其馬來西亞居
關(guān)鍵字：第三代半導(dǎo)體

第三代電力電子半導(dǎo)體SiC MOSFET：聚焦高效驅(qū)動方案

第三代電力電子半導(dǎo)體SiC MOSFET：聚焦高效驅(qū)動方案相比傳統(tǒng)的硅MOSFET，SiC MOSFET可實現(xiàn)在高壓下的高頻開關(guān)。新能源、電動汽車、工業(yè)自動化等領(lǐng)域，SiC MOSFET（碳化硅-金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）憑借高頻、高功率、低損耗等卓越性能，SiC MOSFET驅(qū)動方案備受關(guān)注。然而，SiC MOSFET的獨特器件特性，也意味著它們對柵極驅(qū)動電路有特殊的要求。本文將圍繞SiC MOSFET的驅(qū)動方案展開了解，其中包括驅(qū)動過電流、過電壓保護(hù)以及如何為SiC MOSFET選擇合
關(guān)鍵字：第三代半導(dǎo)體 SiC MOSFET 高效驅(qū)動電力電子

第三代半導(dǎo)體市場規(guī)模持續(xù)增長，2024慕尼黑上海電子展提供產(chǎn)業(yè)發(fā)展探討平臺

近年來，我國信息技術(shù)得到迅猛發(fā)展，第三代半導(dǎo)體作為其中的關(guān)鍵器件起著重要作用。政策方面國家出臺了一系列相關(guān)政策旨在大力提升先進(jìn)計算、新型智能終端、超高清視頻、網(wǎng)絡(luò)安全等數(shù)字優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)競爭力，積極推進(jìn)光電子、高端軟件等核心基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新突破，這大大提高了對第三代半導(dǎo)體的需求。預(yù)計未來，隨著互聯(lián)網(wǎng)與信息技術(shù)的持續(xù)進(jìn)步，對第三代半導(dǎo)體的需求會越來越高， 2023年到2028年的復(fù)合增長率將達(dá)到30.83%，整體市場規(guī)模呈穩(wěn)定持續(xù)增長趨勢。圖源丨智研咨詢5G通信基站驅(qū)動射頻器件業(yè)務(wù)持續(xù)擴張無線通訊基礎(chǔ)設(shè)施是氮化鎵射頻
關(guān)鍵字：第三代半導(dǎo)體慕尼黑上海電子展

SEMICON2024收官，第三代半導(dǎo)體賽道競爭激烈！

3月20日，春分時期，萬物復(fù)蘇，SEMICON China 2024在上海新國際博覽中心拉開了序幕?，F(xiàn)場一片繁忙熱鬧，據(jù)悉本次展會面積達(dá)90000平方米，共有1100家展商、4500個展位和20多場會議及活動涉及了IC制造、功率及化合物半導(dǎo)體、先進(jìn)材料、芯車會等多個專區(qū)。本次展會中，碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈格外亮眼，據(jù)全球半導(dǎo)體觀察不完全統(tǒng)計，共有近70家相關(guān)企業(yè)帶來了一眾新品與最新技術(shù)，龍頭企業(yè)頗多，材料方面包括Resonac、天域半導(dǎo)體、天岳先進(jìn)、天科合達(dá)等企業(yè)，設(shè)備端則如晶盛機電、中微公司
關(guān)鍵字：碳化硅氮化鎵第三代半導(dǎo)體

GaN企業(yè)，出售！

近日，美國GaN器件廠商Odyssey宣布出售公司資產(chǎn)。目前，Odyssey已與客戶簽署最終協(xié)議，將其大部分資產(chǎn)出售給一家大型半導(dǎo)體公司，交易金額為952萬美元，目前買家信息處于保密狀態(tài)。資料顯示，Odyssey成立于2019年，專注基于專有的氮化鎵（GaN）處理技術(shù)開發(fā)高壓功率開關(guān)元件和系統(tǒng)，擁有一座面積為1萬平方英尺的半導(dǎo)體晶圓制造廠，配備了一定比例的1000級和10000級潔凈空間以及先進(jìn)半導(dǎo)體開發(fā)和生產(chǎn)工具，致力于推出工作在650V和1200V的垂直氮化鎵場效應(yīng)晶體管。償還貸款和交易費用后，公司預(yù)
關(guān)鍵字：氮化鎵第三代半導(dǎo)體

全球GaN最新應(yīng)用進(jìn)展！

自2018年10月25日，Anker發(fā)布全球首款GaN充電器，將GaN正式引入消費電子領(lǐng)域以來，短短幾年間，各大GaN廠商紛紛涉足相關(guān)產(chǎn)品。當(dāng)前，GaN消費電子產(chǎn)品市場已是一片紅海，競爭日趨激烈。面對GaN在消費電子領(lǐng)域應(yīng)用現(xiàn)狀，相關(guān)企業(yè)開始尋求新的增量市場，GaN技術(shù)應(yīng)用由此逐步向新能源汽車、光伏、數(shù)據(jù)中心等其他應(yīng)用場景延伸。GaN的特殊價值，正在消費電子之外的多個領(lǐng)域持續(xù)釋放。01GaN正在加速“上車”在汽車電動化與智能化趨勢下，汽車搭載的電子電力系統(tǒng)越來越多。而與傳統(tǒng)硅材料相比，基于GaN材料制備的
關(guān)鍵字：氮化鎵第三代半導(dǎo)體消費電子

全球加速碳化硅產(chǎn)能擴充

受惠于下游應(yīng)用市場的強勁需求，碳化硅產(chǎn)業(yè)正處于高速成長期。據(jù)TrendForce集邦咨詢預(yù)期，至2026年SiC功率元件市場規(guī)?？赏_(dá)53.3億美元，其主流應(yīng)用仍倚重電動汽車及可再生能源。近期，備受關(guān)注的碳化硅市場又有了新動態(tài)，涉及三菱電機、美爾森、芯粵能等企業(yè)。三菱電機SiC工廠預(yù)計4月開建據(jù)日經(jīng)新聞近日報道，三菱電機將于今年4月，在日本熊本縣開工建設(shè)新的8英寸SiC工廠，并計劃于2026年4月投入運營。2023年3月，三菱電機宣布，計劃在5年內(nèi)投資約1000億日元（折合人民幣約48.56億元）建設(shè)一個
關(guān)鍵字：新能源汽車碳化硅第三代半導(dǎo)體

第三代半導(dǎo)體項目遍地開花

近日，多個第三代半導(dǎo)體項目迎來最新進(jìn)展。其中，重投天科第三代半導(dǎo)體項目、山東菏澤砷化鎵半導(dǎo)體晶片項目投資資金超30億?？偼顿Y32.7億元，重投天科第三代半導(dǎo)體項目在深圳寶安啟用據(jù)濱海寶安消息，2月27日，第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地在深圳寶安區(qū)啟用，其由深圳市重投天科半導(dǎo)體有限公司建設(shè)運營，將進(jìn)一步補強深圳第三代半導(dǎo)體“虛擬全產(chǎn)業(yè)鏈（VIDM）”，助力廣東打造國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展“第三極”。濱海寶安消息顯示，該項目2021年11月開工建設(shè)，2022年11月關(guān)鍵生產(chǎn)區(qū)域廠房結(jié)構(gòu)封頂，2023年6月襯底產(chǎn)線
關(guān)鍵字：第三代半導(dǎo)體

基于第三代半導(dǎo)體射頻微系統(tǒng)芯片研究項目啟動

據(jù)云塔科技官微消息，1月15日，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院孫海定教授牽頭的國家重點研發(fā)計劃“戰(zhàn)略性科技創(chuàng)新合作”重點專項“基于第三代半導(dǎo)體氮化鎵和氮化鈧鋁異質(zhì)集成射頻微系統(tǒng)芯片研究”項目啟動會暨實施方案論證會在云塔科技（安努奇）舉行。據(jù)悉，該項目是由中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)牽頭，香港科技大學(xué)作為香港方合作單位以及安徽安努奇科技有限公司作為參研單位，共同開展聯(lián)合攻關(guān)。面向國家在高頻、大帶寬和高功率密度戰(zhàn)略性高端通信芯片和射頻模組的迫切需求，開展基于第三代半導(dǎo)體氮化鎵和氮化鈧鋁（GaN/AlScN）異質(zhì)集成射頻微系統(tǒng)
關(guān)鍵字：第三代半導(dǎo)體射頻微系統(tǒng)芯片氮化鎵氮化鈧

安森美：緊握第三代半導(dǎo)體市場，助力產(chǎn)業(yè) 轉(zhuǎn)型與可持續(xù)發(fā)展

1 轉(zhuǎn)型成功的2023得益于成功的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型，在汽車和工業(yè)市場增長的推動下，安森美在 2023 年前 3 季度的業(yè)績都超預(yù)期。其中，第一季度由先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 和能源基礎(chǔ)設(shè)施終端市場帶來的收入均同比增長約 50%，在第二季度汽車業(yè)務(wù)收入超 10 億美元，同比增長 35%，創(chuàng) 歷史新高，第三季度汽車和工業(yè)終端市場都實現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄收入。安森美大中華區(qū)銷售副總裁Roy Chia2 深入布局碳化硅領(lǐng)域在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，安森美專注于 SiC，重點聚焦于汽車、能源、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施等應(yīng)
關(guān)鍵字：安森美第三代半導(dǎo)體碳化硅 SiC

聚焦第三代半導(dǎo)體，泰克榮獲“2023行家極光獎”年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎

中國北京2023年12月20日?– “2023 行家極光獎”頒獎典禮于 12 月 14 日在深圳隆重舉行，數(shù)百家 SiC&GaN 企業(yè)代表出席了本次活動，共同見證了第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的風(fēng)采。業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的測試與測量解決方案提供商泰克科技，5系列B MSO混合信號示波器榮獲年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎。 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?
關(guān)鍵字：第三代半導(dǎo)體泰克 2023行家極光獎

韓國晶圓代工大廠加快第三代半導(dǎo)體布局！

據(jù)韓媒ETnews消息，近日，韓國晶圓代工大廠東部高科（DB HiTek）聘請了一位來自安森美的功率半導(dǎo)體專家。業(yè)內(nèi)人士透露，東部高科聘請了安森美半導(dǎo)體前技術(shù)開發(fā)高級總監(jiān)Ali Salih，并讓他負(fù)責(zé)氮化鎵（GaN）工藝開發(fā)。Salih是一位功率半導(dǎo)體工藝開發(fā)人員，擁有約20年的行業(yè)經(jīng)驗，曾在電氣與電子工程師學(xué)會 (IEEE) 上發(fā)表過有關(guān)功率半導(dǎo)體的重要論文。東部高科聘請Salih是為了加快GaN業(yè)務(wù)的技術(shù)開發(fā)和商業(yè)化。這項任命旨在加強第三代功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的技術(shù)開發(fā)和商業(yè)化。功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)目前占東部高科
關(guān)鍵字：韓國晶圓代工第三代半導(dǎo)體

總投資10億正齊半導(dǎo)體年產(chǎn)6萬顆功率模塊研發(fā)生產(chǎn)項目落地

正齊半導(dǎo)體杭州項目將在開發(fā)區(qū)投資建設(shè)第三代半導(dǎo)體模塊工廠，項目首期投資3000萬美元，總投資額將達(dá)10億元人民幣。10月23日消息，近日，正齊半導(dǎo)體年產(chǎn)6萬顆高階功率模塊研發(fā)生產(chǎn)項目正式落地蕭山經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)。正齊半導(dǎo)體杭州項目將在開發(fā)區(qū)投資建設(shè)第三代半導(dǎo)體模塊工廠。項目首期投資3000萬美元，總投資額將達(dá)10億元人民幣，規(guī)劃建設(shè)10條智能化模塊封裝生產(chǎn)與組裝線，滿足車規(guī)級與航天級的模塊生產(chǎn)線要求，每年將生產(chǎn)6萬顆高端航天及車規(guī)級IGBT與碳化硅芯片、模塊及器件等產(chǎn)品。該工廠將采用與合作廠商共同研制的驅(qū)動
關(guān)鍵字：正齊半導(dǎo)體功率模塊第三代半導(dǎo)體

中國香港地區(qū)將建首個具規(guī)模的半導(dǎo)體晶圓廠

香港科技園公司與微電子企業(yè)杰平方半導(dǎo)體簽署合作備忘錄，設(shè)立以第三代半導(dǎo)體為主的全球研發(fā)中心。大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)消息，10月13日，香港科技園公司（科技園公司）與微電子企業(yè)杰平方半導(dǎo)體（上海）有限公司（杰平方半導(dǎo)體）簽署合作備忘錄，在科學(xué)園設(shè)立以第三代半導(dǎo)體為主的全球研發(fā)中心，并投資開設(shè)香港首間碳化硅（SiC）8寸先進(jìn)垂直整合晶圓廠，共同推進(jìn)香港微電子生態(tài)圈及第三代半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。據(jù)悉，該項目總投資額約69億港元，計劃到2028年年產(chǎn)24萬片碳化硅晶圓，帶動年產(chǎn)值超過110億港元，并創(chuàng)造超過700個本地和
關(guān)鍵字：晶圓碳化硅第三代半導(dǎo)體

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第三代半導(dǎo)體介紹

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第三代半導(dǎo)體文章進(jìn)入第三代半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)

我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術(shù)

搶奪賽位，第三代半導(dǎo)體戰(zhàn)局激烈

第三代電力電子半導(dǎo)體SiC MOSFET：聚焦高效驅(qū)動方案

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