在進展緩慢的儲存技術世界里，NAND Flash的普及速度算是極快，幾乎每種儲存產品都有其足跡，最主要原因就是速度。據TechTarget報導，NAND Flash剛推出時是市場上最昂貴的儲存裝置，后來供應商發(fā)現只要加入相對小量的快閃存儲器，便可以大幅提升效能以快閃存儲器技術為基礎的儲存裝置也開始大受歡迎。
由美光(Micro)和英特爾(Intel)合作開發(fā)的3D XPoint技術，以及IBM根據相變化存儲器(Phase Change Memory)修正后開發(fā)的新型態(tài)儲存裝置，在速度、耐用性和重
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NAND SSD
目前3D NAND由三星電子獨家量產，但是先有東芝殺入敵營，如今美光也宣布研發(fā)出3D NAND，而且已經送樣，三星一家獨大的情況將畫下句點，3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打!
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美光 3D NAND
全球業(yè)界首選光掩模合作伙伴Toppan Photomasks, Inc. (TPI)今天宣布批準對近期擴建的中國上海廠的下一階段投資計劃;該廠由TPI獨資子公司Toppan Photomasks Company Limited, Shanghai (TPCS) 運營。TPI將對此工廠再投資8000萬美元以展現其對中國快速成長的半導體產業(yè)及客戶之長期承諾。TPI先前已投資2000萬美元擴建上海二廠(TPCS Shanghai II);該廠現已量產并且為中國唯一提供全方位技術及產品的商業(yè)光掩模廠。
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DRAM NAND
美光科技有限公司今日推出了首項適用于移動設備的 3D NAND 存儲技術，并推出了基于通用閃存存儲 (UFS) 2.1 標準的首批產品。美光的首項移動 3D NAND 32GB 解決方案主要面向中高端智能手機細分市場，這一細分市場大約占據全球智能手機總量的 50%[1]。隨著移動設備替代個人電腦成為消費者的主要計算設備，用戶行為對設備的移動內存和存儲要求產生了極大影響。美光的移動 3D NAND 解決了這些問題，實現了無與倫比的用戶體驗，包括流暢傳輸高分辨率視頻、更高的游戲帶寬、更快的啟動時間、更好的
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美光 NAND
近日在加州圣克拉拉舉行的閃存峰會(Flash Memory Summit)上，鎂光公布了他們的首款 3D NAND 閃存芯片。這種閃存芯片在不改變尺寸的情況下能提供更多的儲存空間。據 PCWorld 報道，鎂光這款 3D 閃存芯片的容量為 32GB，其目標市場為中高端的智能手機。該產品基于新的 UFS 2.1 標準，市面上的智能手機均未使用這種理論上更快的儲存協(xié)議。
鎂光認為智能手機對內存容量的需求越來越高，虛擬現實應用和流媒體都將占用大量的儲存空間。他們表示，在幾年
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鎂光 NAND
中中國下決心做存儲器芯片，是個特別重大，而又十分艱難的決定，國存儲器業(yè)要取得成功，總體上產業(yè)發(fā)展有三條路徑，研發(fā)，兼并及合資，合作都是十分有效，然而經過一段時間的實踐，有一定進展，但是情況也有些變化，這一切唯有通過研發(fā)的早日成功，才能扭轉被動的局面。
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存儲器 NAND
據韓國經濟報導，大陸半導體產業(yè)在政府的強力支援下，清華紫光與武漢新芯采行攻擊性投資策略，迫使南韓、日本、美國等主要半導體業(yè)者也紛紛強化投資。
市調業(yè)者DRAM eXchange表示，全球半導體市場中，NAND Flash事業(yè)從2011~2016年以年均復合成長率(CARG)47%的速度成長;清華紫光以新成立的長江存儲進行武漢新芯的股權收購，成立長江存儲科技有限責任公司，未來可能引發(fā)NAND Flash市場版圖變化。
清華紫光擁有清華大學的人脈，在社會上擁有一定的影響力，武漢新芯擁有技術方面
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三星 3D NAND
上周東芝及WD(西部數據)宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開始量產，不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。外電報道，三星將搶先于今年底前開始量產64層3D NAND，三星表示，目標是今年生產4G V-NAND，可能意即為64層3D NAND。
SSD(固態(tài)硬盤)近年來制程技術演進，成本價格逐漸逼近硬盤(Hard disk)，因此滲透率大增，各大廠陸續(xù)將生產DRAM產能逐漸轉向NAND Flash(儲存型快閃記憶體)，大搶市占率，除了比市
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三星 NAND
上周東芝及WD(西部數據)宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開始量產，不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。外電報道，三星將搶先于今年底前開始量產64層3D NAND，三星表示，目標是今年生產4G V-NAND，可能意即為64層3D NAND。
SSD(固態(tài)硬盤)近年來制程技術演進，成本價格逐漸逼近硬盤(Hard disk)，因此滲透率大增，各大廠陸續(xù)將生產DRAM產能逐漸轉向NAND Flash(儲存型快閃記憶體)，大搶市占率，除了比市
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東芝 NAND
我們獲取和存儲數據的方式發(fā)生了巨大轉變，這是近年來半導體行業(yè)出現并購潮的原因所在。
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半導體 NAND
陶氏電子材料是陶氏化學公司的一個事業(yè)部，本日推出 OPTIPLANE™ 化學機械研磨液 (CMP) 平臺。OPTIPLANE 研磨液系列的開發(fā)是為了滿足客戶對先進半導體研磨液的需求：能以有競爭力的成本，符合減少缺陷的要求和更嚴格的規(guī)格，適合用來製造新一代先進半導體裝置。
全球 CMP 消耗品市場持續(xù)成長，部分的成長驅動力來自新的 3D 邏輯、NAND 快閃記憶體和封裝應用，這些均要求大幅提高的平坦化效果和最低程度的缺陷率，以符合無數先進電子裝置的性能需求。
「生產先進半導體晶圓
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陶氏 NAND
經過8個多月的努力，英特爾大連非易失性存儲制造新項目7月初實現提前投產。7月25日，記者在英特爾半導體(大連)有限公司廠區(qū)內看到，1000多名英特爾員工和來自全世界的數千名項目建設供應商員工，正井然有序地忙碌著，他們的共同目標只有一個：全力加速非易失性存儲制造新項目的量產步伐。
去年10月，英特爾公司宣布投資55億美元將大連工廠建設為世界上最先進的非易失性存儲器制造工廠。該項目是迄今為止英特爾在中國的最大一筆投資，也是大連市乃至遼寧省改革開放以來最大的外資項目。此前的2010年，作為英特爾在亞洲
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英特爾 NAND
NAND快閃記憶體受惠固態(tài)硬盤(SSD)銷售熱絡，加上智能手機搭載容量提高，帶動近月價格持續(xù)上漲，創(chuàng)見、威剛等模組廠營運受惠，市場預期蘋果將推出的iPhone 7拉貨動能如何，將攸關NAND快閃記憶體價格續(xù)漲力道。
市場指出，上半年非蘋陣營智能手機產品銷售強勁，產品功能提升帶動記憶體需求大增，加上6月三星西安廠因變電廠爆炸導致停工，帶動NAND快閃記憶體價格上漲，主流產品在1個月內漲幅超過2成。
市況變化帶動記憶體模組廠營運增溫，創(chuàng)見表示，在漲價預期心理帶動下，通路拉貨力道明顯回升，DRA
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NAND DRAM
因中國大陸、中國臺灣智能手機廠商紛紛強化產品功能、帶動記憶體需求大增，加上三星電子西安工廠6月因附近變電廠爆炸而一度停工，帶動使用于智能手機、記憶卡的NAND型快閃記憶體(Flash Memory)交易價格轉趨走揚，指標性產品6月份批發(fā)價在1個月期間內飆漲22%。
報道指出，6月份MLC(Multi-Level Cell)類型64Gb NAND價格揚升至每個2.75美元、為2年9個月以來首度走升，其中也有部分交易價格超過3美元，且進入7月以來價格仍持續(xù)走揚。據英國調查公司指出，2016年全球NA
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三星 NAND
據海外媒體報道，東芝(Toshiba)計劃領先三星電子(Samsung Electronics)于2016財年開始量產64層3D NAND Flash存儲器芯片。日經亞洲評論(Nikkei Asian Review)報導，東芝于7月15日舉辦日本三重縣四日市(Yokkaichi)半導體二廠啟用儀式，未來將在此工廠生產64層NAND Flash。
64層NAND Flash較東芝和三星目前生產的48層NAND Flash容量高30%，雖然價格較高，但每單位容量會比48層版的便宜。若應用于智能型手機
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東芝 NAND
第九代 v-nand介紹
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