色婷婷AⅤ一区二区三区|亚洲精品第一国产综合亚AV|久久精品官方网视频|日本28视频香蕉

          "); //-->

          博客專欄

          EEPW首頁(yè) > 博客 > SD NAND的SPI模式如何進(jìn)入低功耗模式

          SD NAND的SPI模式如何進(jìn)入低功耗模式

          發(fā)布人:SDNAND 時(shí)間:2024-09-02 來(lái)源:工程師 發(fā)布文章


          最近,收到客戶反饋,使用MK米客方德SD NAND過(guò)程中,使用SPI模式,對(duì)SD完成操作后,SD沒(méi)有進(jìn)入低功耗模式,未對(duì)SD進(jìn)行任何操作的情況下測(cè)得的功耗仍在20mA左右。經(jīng)過(guò)我們分析,發(fā)現(xiàn)SD進(jìn)入低功耗的原因是CMD24 MISO電平高, 這沒(méi)有把busy動(dòng)作做完所以沒(méi)在低功耗

           



           

          上電初始化完成,沒(méi)有CMD下發(fā)是進(jìn)入低功耗的必要條件,其他也可能會(huì)有一些因素導(dǎo)致進(jìn)入低功耗失敗,如下圖,busy狀態(tài)需要持續(xù)下發(fā)clock(正常8個(gè)就行),直到一直讀到0xFF為止。

          666.png


          *博客內(nèi)容為網(wǎng)友個(gè)人發(fā)布,僅代表博主個(gè)人觀點(diǎn),如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系工作人員刪除。



          關(guān)鍵詞: SD NAND MCU

          相關(guān)推薦

          技術(shù)專區(qū)

          關(guān)閉