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	第九代 v-nand
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
          
                	
          第九代 v-nand 文章
                  進入第九代 v-nand技術社區(qū)  
                  
          
                
          
                                
          
                  

                                
          
                    
          Mobile RAM防線恐失守
          
                                                            
            
                    	
          • 　　行動裝置風潮崛起使得PC DRAM需求式微，自2011年起包括Mobile RAM、服務器DRAM等，儼然已成為DRAM廠最佳避風港，然在各家存儲器大廠一窩蜂搶進下，Mobile RAM已率先發(fā)難，出現(xiàn)供過于求警訊，日廠爾必達(Elpida)傳出原本爆滿的Mobile RAM產能將轉回作PC DRAM，加上近日PC DRAM價格再度崩跌至瀕臨1.5美元保衛(wèi)戰(zhàn)，DRAM廠12寸廠產能陷入苦尋不到避風港困境。
　　存儲器業(yè)者表示，PC市場成長趨緩是 DRAM產業(yè)致命傷，而平板計算機崛起讓每臺系統(tǒng)DRAM
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          • 關鍵字：
                        DRAM  NAND                          
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          Hynix成功開發(fā)出20nm制程64Gbit密度MLC NAND閃存芯片
          
                                                            
            
                    	
          • 　　Hynix半導體公司在近日舉辦的2011VLSI研討上宣布成功研發(fā)出了20nm制程64Gbit 多位元型(MLC)NAND閃存芯片，Hynix稱這款產品是業(yè)內首款基于20nm制程的大容量MLC NAND閃存芯片。
　　
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          • 關鍵字：
                        Hynix  NAND                          
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          海力士半導體放緩NAND Flash工藝轉換速度
          
                                                            
            
                    	
          • 　　南韓半導體大廠海力士半導體(Hynix)主要NAND Flash產品群，近期將從原本的30納米制程轉換至20納米級制程。海力士目前整體NAND Flash產量，以26納米制程產品比重逾50%為最大。
　　海力士相關人員表示，26納米制程NAND Flash比重至2011年3月底約為40%，6月已超越50%，月底可望提升到50%中段。26納米制程產品將逐漸取代32納米制程產品，成為海力士主力產品。
　　NAND Flash為非揮發(fā)性內存芯片，即使中斷供電也能儲存信息，是智能型手機、平板計算機等行動裝
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          • 關鍵字：
                        海力士  NAND                          
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          臺DRAM產業(yè)集成是唯一之道
          
                                                            
            
                    	
          • 　　存儲器模塊廠金士頓(Kingston)不畏存儲器景氣波動，2010年全球獨立DRAM模塊廠市占率首度突破50%大關，NAND Flash市場布局也成功跨足固態(tài)硬盤(SSD)市場，面對臺灣上游DRAM廠仍處于生存困境的當下，金士頓創(chuàng)辦人之一的杜紀川表示，認同孫大衛(wèi)認為臺灣 DRAM產業(yè)要集成才有活路的策略，唯有計畫性地將各方力量做結合，才能讓臺灣DRAM廠免受全球經(jīng)濟、市場波動沖擊?！?/li>
                    	                        
          • 關鍵字：
                        NAND  DRAM                          
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          需求趨緩致NAND閃存芯片價格下降
          
                                                            
            
                    	
          • 　　由于蘋果等大型企業(yè)的需求不夠強勁，導致5月的NAND閃存芯片合約價格“快速”降低。
　　今年5月的NAND芯片價格的降幅已經(jīng)超過15%，現(xiàn)貨市場的降幅則在20%左右。蘋果仍是NAND閃存芯片的最大買家，但需求提升不像往年的第二季度那么強勁。　　
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          • 關鍵字：
                        ipad  NAND                          
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          終端需求疲軟 NAND Flash合約價大跌 
          
                                                            
            
                    	
          • 　　第2季NAND Flash終端需求太差，新出爐合約報價大跌超過10%，內存模塊廠表示，合計整個5月現(xiàn)貨報價跌幅達20%，合約價合計跌幅也超過15%，反映終端需求確實需要新刺激，目前市場是底部已臨，靜待反彈階段;展望第3季，市場認同威剛董事長陳立白的基調，預期第3季仍會比第2季好一些，但市場不至于會有缺貨或價格飆漲的情況發(fā)生。
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          • 關鍵字：
                        三星  NAND Flash                          
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          NAND Flash需求急凍 模組廠瀕臨警戒線
          
                                                            
            
                    	
          • 　　全球NANDFlash市場需求在5月進入冰河期，不僅快閃記憶卡和隨身碟應用需求大幅降溫，甚至傳出平板電腦及智慧型手機大廠亦出現(xiàn)砍單情況，記憶體零售和系統(tǒng)端需求明顯降溫，市場五窮六絕跡象顯現(xiàn)，使得記憶體模組廠營收恐再次探底，部分廠商傳出力守2月營收低點的警戒線。不過，以毛利率角度來看，由于NANDFlash價格并沒有出現(xiàn)急跌，因此，模組廠5月毛利率仍可暫時守穩(wěn)在水準之上。
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          • 關鍵字：
                        NAND  DRAM                          
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          基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設計
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設計,摘要：介紹了一種最新DDR NAND閃存技術，它突破了傳統(tǒng)NAND Flash 50 MHz的讀寫頻率限制，提供更好的讀寫速度，以適應高清播放和高清監(jiān)控等高存儲要求的應用。分析該新型閃存軟硬件接口的設計方法。
            關鍵詞：DDR NAN
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          • 關鍵字：
                        嵌入式  接口  設計  高性能  閃存  DDR  NAND  基于                          
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          基于NAND FLASH的高速大容量存儲系統(tǒng)設計
          
                                                            
            
                    	
          • 摘要：為了解決目前記錄系統(tǒng)容量小、存儲速度低的問題，采用性能優(yōu)良的固態(tài)NAND型FLASH為存儲介質，大規(guī)模集成電路FPGA為控制核心，通過使用并行處理技術和流水線技術實現(xiàn)了多片低速FLASH時高速數(shù)據(jù)的存儲，提高了整
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          • 關鍵字：
                        FLASH  NAND  大容量  存儲                            
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          存儲器思謀發(fā)展
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　存儲器是隨著計算機而發(fā)展起來的一種專用電子部件，用于保存數(shù)據(jù)和程序，傳統(tǒng)上計算機的主存儲器稱Memory，外部設備用存儲器稱Storage(常用磁盤、磁帶)。上世紀50年代中期，主存曾用磁芯存儲器，60年代中期以來，半導體存儲器開始取代磁芯存儲器。隨著時間的前進，存儲器獲得了長足的發(fā)展。
　　
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          • 關鍵字：
                        存儲器  NAND  201105                          
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          Gartner認為SSD將在明年成為市場主流
          
                                                            
            
                    	
          • 　　數(shù)年來固態(tài)硬盤正在變得越來越便宜和可靠，但相比大容量的硬盤而言，這種產品在容量和價格比上依然顯得有些奢侈，例如40GB的Intel SSD相當于1TB的西部數(shù)據(jù)硬盤的價格。盡管如此，Gartner依然對SSD市場的前景十分看好，并認為到2012年下半年，固態(tài)硬盤將成為市場的主流，并預期到時候的價格將會下降到每1美元1GB，這意味著主流的SSD價格將下調到100美元以下，例如64GB64美元，從而開始被大眾接受。
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          • 關鍵字：
                        NAND  SSD                          
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          NAND FLASH在儲存測試系統(tǒng)中的應用
          
                                                            
            
                    	
          • 0 引言　　計算機技術的高速發(fā)展，存儲系統(tǒng)容量從過去的幾KB存儲空間，到現(xiàn)在的T8；乃至不久的將來要達到的PB存儲空間，其數(shù)據(jù)存取的能力在飛速擴展。隨之而來產生的SCSI、FC、SAN、iSCSI、IPStorage和數(shù)據(jù)生命周期管
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          • 關鍵字：
                        FLASH  NAND  儲存  測試系統(tǒng)                            
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          三星量產新型NAND閃存芯片
          
                                                            
            
                    	
          • 　　5月13日消息，據(jù)國外媒體報道，全球最大的內存芯片廠商三星電子周四稱，它已經(jīng)開始大批量生產新的NAND閃存芯片。這種閃存芯片傳送速度的速度比目前市場上的任何其它NAND閃存芯片都要快。
　　
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          • 關鍵字：
                        三星  NAND                          
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          NAND Flash大廠積極制程轉換
          
                                                            
            
                    	
          • 　　2011年全球NAND Flash中，全球三星電子(Samsung Electronics)仍是位居全球NAND Flash市場龍頭，市占率高達36.2%，緊追在后的是東芝(Toshiba)，市占率達35.1%，兩者合計掌握70%以上NAND Flash市場;根據(jù)市調機構TrendForce最新統(tǒng)計，2011年第1季NAND Flash品牌供應商的位元出貨量為13%，營收成長9.9%，達53.63億美元。
　　2011年第1季全球NAND Flash市場變化相當多，最大影響當屬日本311東北強震，對
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          • 關鍵字：
                        三星電子  NAND                          
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          三星與海力士提升NAND Flash芯片產量
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據(jù)了解，由于智能型手機(Smartphone)和平板計算機(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產量。
　　
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          • 關鍵字：
                        三星  NAND Flash                          
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	共1113條
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          第九代 v-nand介紹
          
      			
          
		      	
          
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