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EPC推出采用EPC氮化鎵（eGaN）技術(shù)的150安培開發(fā)板
- EPC9126HC開發(fā)板采用具備超快速功率轉(zhuǎn)換特性的氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN FET)，由于可以驅(qū)動高達(dá)150 A及可低至5 ns脈寬的脈沖大電流，因此可以提高激光
- 關(guān)鍵字： EPC9126HC開發(fā)板 激光雷達(dá) 自動駕駛汽車
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