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          Littelfuse推出高性能超級結X4-Class 200V功率MOSFET

          • 提供業(yè)界領先的低通態(tài)電阻,使電池儲能和電源設備應用的電路設計更加簡化,性能得到提升。Littelfuse公司是一家工業(yè)技術制造公司,致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司隆重宣布推出IXTN400N20X4和IXTN500N20X4超級結X4-Class功率MOSFET。這些新器件在當前200V X4-Class超級結MOSFET的基礎上進行擴展,有些具有最低導通電阻。這些MOSFET具有高電流額定值,設計人員能夠用來替換多個并聯(lián)的低額定電流器件,從而簡化設計流程,提高應用的可靠性和功率
          • 關鍵字: Littelfuse  超級結  功率MOSFET  

          一篇文章讀懂超級結MOSFET的優(yōu)勢

          •   平面式高壓MOSFET的結構   圖1顯示了一種傳統(tǒng)平面式高壓MOSFET的簡單結構。平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導通電阻,并伴隨相對更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實現(xiàn)較低的RDS(on)值。但大單元密度和管芯尺寸還伴隨高柵極和輸出電荷,這會增加開關損耗和成本。另外還存在對于總硅片電阻能夠達到多低的限制。器件的總RDS(on)可表示為通道、epi和襯底三個分量之和:   RDS(on) = Rch + Repi + Rsub      圖1:傳統(tǒng)平面式MOSF
          • 關鍵字: MOSFET  超級結  
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          超級結介紹

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